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探索 onsemi NXV08H350XT1 汽車功率 MOSFET 模塊:設(shè)計與應(yīng)用解析

h1654155282.3538 ? 來源:未知 ? 作者:陳翠 ? 2025-11-28 15:20 ? 次閱讀
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探索 onsemi NXV08H350XT1 汽車功率 MOSFET 模塊:設(shè)計與應(yīng)用解析

汽車電子領(lǐng)域,功率 MOSFET 模塊扮演著至關(guān)重要的角色。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NXV08H350XT1 汽車功率 MOSFET 模塊,了解其特性、應(yīng)用、電氣參數(shù)等方面的內(nèi)容,為電子工程師們在設(shè)計相關(guān)系統(tǒng)時提供參考。

文件下載:onsemi NXV08H350XT1 MOSFET模塊.pdf

模塊特性與優(yōu)勢

特性亮點

  • 多用途設(shè)計:該模塊為 2 相 MOSFET 模塊,在客戶端可通過組合 2 相輸出功率端子,將其用作 1/2 橋 MOSFET 模塊。這種靈活的設(shè)計方式,為不同的應(yīng)用場景提供了更多的可能性。
  • 電氣隔離與緊湊設(shè)計:采用電氣隔離的 DBC 基板,具有低熱阻(Rthjc)特性,同時緊湊的設(shè)計使得模塊總電阻較低。這不僅有助于提高模塊的散熱性能,還能在有限的空間內(nèi)實現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。
  • 高可靠性與合規(guī)性:模塊達到 AQG324 標準,內(nèi)部組件分別符合 AEC Q101(MOSFET)和 AEC Q200(無源元件)標準,并且符合 UL 94 V - 0 標準。此外,該器件無鉛且符合 RoHS 指令,還經(jīng)過了 HBM 和 CDM 的 ESD 測試,確保了在復(fù)雜環(huán)境下的可靠性和穩(wěn)定性。

應(yīng)用優(yōu)勢

  • 節(jié)能與環(huán)保:適用于 48V 逆變器和 48V 牽引應(yīng)用,能夠?qū)崿F(xiàn)小型、高效和可靠的系統(tǒng)設(shè)計,有助于降低車輛的燃油消耗和 $CO_{2}$ 排放。
  • 簡化裝配:在車輛裝配過程中,該模塊能夠簡化裝配流程,提高生產(chǎn)效率。
  • 低熱阻與低電感:通過在模塊外殼和散熱器之間直接安裝熱界面材料,實現(xiàn)了從結(jié)到散熱器的低熱阻,同時具有低電感特性,進一步提高了系統(tǒng)的性能。

方框圖


封裝尺寸

產(chǎn)品標識與訂購信息

標識說明

模塊的標識包含了特定的設(shè)備代碼、批次 ID、組裝和測試地點、年份、工作周以及序列號等信息,方便進行產(chǎn)品的追溯和管理。

訂購信息

NXV08H350XT1 采用 APM17 - MDC 封裝,無鉛且符合 RoHS 標準,工作環(huán)境溫度范圍為 - 40°C 至 125°C,包裝方式為管裝。

引腳配置與功能

引腳圖

Pin Configuration

引腳功能描述

Pin No. Description Remark
1 Q2 Gate
2 Q2 Source Sense
3 B + #2Sense
4 Q4 Gate
5 Q4 Source Sense
6 NTC1
7 Phase Out2 For 3 phase motor inverter, those 2 pins can be used as one phase out
8 Phase Out1
9 NTC2
10 Q3 Source Sense
11 Q3 Gate
12 B + #1Sense
13 Q1 Source Sense
14 Q1 Gate
15 B + #1
17 B + #2

電氣與熱性能參數(shù)

絕對最大額定值

Symbol Parameter Max. Unit
VDS(Q1~Q4) Drain - to - Source Voltage 80 V
VGS(Q1 - Q4) Gate - to - Source Voltage +20 V
EAS(Q1~Q4) Single Pulse Avalanche Energy (Note 1) 1946 mJ
TJ Maximum Junction Temperature 175 °C
TSTG Storage Temperature 125 °C

需要注意的是,超過這些最大額定值可能會損壞器件,影響其功能和可靠性。

電氣特性

在 $T_{J}=25^{\circ} C$ 的條件下,該模塊具有一系列特定的電氣特性,如漏源擊穿電壓(BVDSS)、柵源閾值電壓(VGS(th))、源漏二極管電壓(VSD)等。不同的 MOSFET 通道(Q1 - Q4)在導(dǎo)通電阻(RDS(ON))方面也有不同的表現(xiàn),這與模塊內(nèi)部的測量路徑有關(guān)。

熱性能

模塊的熱阻(Rthjc)對于散熱設(shè)計至關(guān)重要。該模塊的熱阻參數(shù)能夠幫助工程師合理設(shè)計散熱方案,確保模塊在工作過程中保持穩(wěn)定的溫度。

動態(tài)與開關(guān)特性

動態(tài)特性

包括輸入電容(Ciss)、輸出電容(Coss)、反向傳輸電容(Crss)、柵極電阻(Rg)、總柵極電荷(Qg(tot))等參數(shù),這些參數(shù)反映了模塊在動態(tài)工作過程中的性能。

開關(guān)特性

如導(dǎo)通時間(ton)、導(dǎo)通延遲時間(td(on))、導(dǎo)通上升時間(tr)、關(guān)斷延遲時間(td(off))、關(guān)斷下降時間(tf)和關(guān)斷時間(toff)等,對于評估模塊的開關(guān)速度和效率具有重要意義。

典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線,如非鉗位電感開關(guān)能力、飽和特性、導(dǎo)通電阻與柵極電壓和溫度的關(guān)系、歸一化柵極閾值電壓與溫度的關(guān)系等。這些曲線能夠幫助工程師更好地理解模塊在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。

機械特性與封裝尺寸

機械特性

模塊具有一定的平整度要求,同時在安裝時需要注意安裝扭矩。不同類型的螺絲可能會影響最大扭矩額定值,在特殊安裝情況下,需要聯(lián)系 onsemi 獲取合適的安裝信息。

封裝尺寸

詳細的封裝尺寸信息為 PCB 設(shè)計提供了重要的參考,確保模塊能夠正確安裝在電路板上。

總結(jié)

onsemi 的 NXV08H350XT1 汽車功率 MOSFET 模塊具有多種優(yōu)勢,適用于 48V 逆變器和 48V 牽引等汽車電子應(yīng)用。電子工程師在設(shè)計相關(guān)系統(tǒng)時,需要充分考慮模塊的電氣、熱性能和機械特性等方面的參數(shù),以確保系統(tǒng)的高效、可靠運行。同時,在實際應(yīng)用中,還需要根據(jù)具體的工作條件對模塊的性能進行驗證和優(yōu)化。你在使用類似的 MOSFET 模塊時,遇到過哪些挑戰(zhàn)呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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