2018年全球NAND Flash價格一路走跌，由于市場需求增長平緩，業(yè)者預(yù)期下半年將延續(xù)跌勢，隨著國際NAND Flash大廠紛紛加碼投資次時代技術(shù)堆疊，2019年QLC(Quad-Level Cell )NAND將邁入百家爭鳴時代，帶動消費性固態(tài)硬盤(SSD)容量快速升級至TB等級，加上長江存儲發(fā)布新一代3D NAND架構(gòu)Xtacking，試圖超車追趕國際大廠，全球NAND Flash產(chǎn)量持續(xù)增加，戰(zhàn)火愈益激烈，2019年NAND Flash市場恐將大幅震蕩。

美光(Micron)與英特爾(Intel)于5月發(fā)布全球首款QLC 3D NAND技術(shù)SSD，宣告2018年進入QLC量產(chǎn)元年，目標市場鎖定數(shù)據(jù)中心應(yīng)用領(lǐng)域。近期三星電子(Samsung Electronics)宣布將針對消費性市場推出QLC SSD產(chǎn)品，采用64層3D NAND堆疊生產(chǎn)，最大容量將達到4TB，后續(xù)將再推出企業(yè)用QLC SSD。

存儲器業(yè)者指出，2018年以來NAND Flash價格走勢疲弱，消費性市場搭載大容量SSD產(chǎn)品需求與滲透率持續(xù)成長，盡管QLC具有更高容量和成本優(yōu)勢，然因單位體積容量增加與存儲密度增大，廠商要確保產(chǎn)品速度和性能水平并不容易，三星聲稱已可實現(xiàn)QLC SSD與TLC同等級的性能，未來高容量SSD擁有價格優(yōu)勢，可望提升ODM廠商搭載意愿，包括筆記本電腦(NB)搭載SSD主流規(guī)格將朝向1TB邁進。

由于SSD容量發(fā)展速度已明顯快于HDD，意味著SSD將加快取代HDD的腳步，尤其三星推出消費性QLC SSD搶市后，業(yè)界預(yù)期東芝(Toshiba)96層QLC 3D NAND亦可望跟進推出，2019年全球存儲器原廠QLC SSD產(chǎn)品相繼問世，存儲器模塊廠亦將推出新品上市，帶動SSD容量升級及價格競爭白熱化。

SK海力士則推出全球首款4D NAND TLC產(chǎn)品，芯片面積更小、處理工時縮短且成本降低，其采用96層堆疊技術(shù)，I/O接口速度為1.2Gbps，預(yù)計2018年第4季推出樣品，同時投入4D QLC研發(fā)，可望于2019年下半推出樣品。

值得注意的是，在國內(nèi)發(fā)展存儲器國產(chǎn)化的聲浪下，長江存儲日前亦推出全新3D NAND架構(gòu)Xtacking，首要特點在于大幅提升I/O接口速度，具備3D NAND多層堆疊的更高存儲密度，并可減少上市周期。

長江存儲指出，Xtacking可將I/O接口速度提升到3Gbps，相當于DRAM DDR4的速度，產(chǎn)品開發(fā)時間可縮短3個月，生產(chǎn)周期縮短20%，可加速3D NAND產(chǎn)品上市，Xtacking技術(shù)將應(yīng)用于第二代3D NAND產(chǎn)品開發(fā)，預(yù)計2019年進入量產(chǎn)。

業(yè)界認為長江存儲積極超車趕上的態(tài)勢，加上第4季32層NAND將進入量產(chǎn)，2019年能否快速擴大量產(chǎn)及鋪貨將是觀察重點，即使目前長江存儲NAND技術(shù)仍落后國際大廠，但市場價格制約力量將逐漸形成，并為NAND Flash市場波動帶來新變量。