11月28日，聚焦高端電子元器件產(chǎn)業(yè)變革的芯質(zhì)俱樂部年會暨硅電容生態(tài)大會在上海召開。

本次大會由上海同濟(jì)經(jīng)濟(jì)園區(qū)發(fā)展有限公司與上海朗矽科技有限公司聯(lián)合主辦，匯聚了嘉定區(qū)政府領(lǐng)導(dǎo)、芯片產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)代表、高科技領(lǐng)域一線投資機(jī)構(gòu)、高校科研團(tuán)隊及行業(yè)研究員，更將通過發(fā)布硅電容行業(yè)白皮書、核心技術(shù)分享、兩場圓桌論壇及合作簽約等重磅環(huán)節(jié)，搭建起技術(shù)交流、資源對接與生態(tài)協(xié)同的核心平臺，共同探索中國在高端電容與芯片支撐環(huán)節(jié)的自主突破路徑，為硅電容產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程注入新動能。

朗矽科技于2023年3月成立，致力于以“硅電容”切入高端電子元器件賽道，逐步構(gòu)建國產(chǎn)化高端元件平臺。公司專注于3D硅電容、硅電感及硅電阻的設(shè)計、研發(fā)與銷售，產(chǎn)品廣泛覆蓋AI算力芯片、高性能SoC、高速光模塊、服務(wù)器高密度電源等百億級應(yīng)用市場，獲得24項核心專利，并獲批2024年上海市集成電路先導(dǎo)產(chǎn)業(yè)項目。

在高端電子元器件領(lǐng)域，傳統(tǒng)MLCC（多層陶瓷電容）長期面臨“卡脖子”困境——從關(guān)鍵原材料BaTiO?粉體，到核心設(shè)備帶式爐、漿料涂敷系統(tǒng)，再到工藝配方，全鏈條被村田、TDK、京瓷等日系企業(yè)壟斷，因此，在先進(jìn)手機(jī)SoC、大芯片、服務(wù)器、電動車電子等應(yīng)用領(lǐng)域，國產(chǎn)替代空間巨大但切入門檻極高，行業(yè)急需新路徑破局。

朗矽科技根據(jù)行業(yè)痛點，選擇以“硅電容”為戰(zhàn)略切入點。硅電容使用CMOS工藝制造，本質(zhì)上屬于半導(dǎo)體設(shè)備體系，不再受制于日系廠商壟斷的陶瓷材料體系。這被認(rèn)為是“技術(shù)路線換道超車”。

與當(dāng)前主流的陶瓷電容相比，硅電容在高頻、高可靠、小型化方面具備天然優(yōu)勢。硅電容通過半導(dǎo)體工藝革新可集成在先進(jìn)封裝中。標(biāo)準(zhǔn)化的硅電容可以做到100μm，定制化的可以做到40~50μm，可用于高性能SoC的封裝模塊，更契合終端產(chǎn)品小型化的需求；高頻方面，硅電容ESL/ESR逼近物理極限。同時，硅電容壽命更是達(dá)到傳統(tǒng)MLCC的20倍。

當(dāng)前，硅電容已被英偉達(dá)和蘋果率先應(yīng)用，可顯著提升主芯片性能?！癆I芯片的功耗大、頻率高，電源穩(wěn)定性直接影響運算效率。硅電容能在高頻下提供極低阻抗，起到穩(wěn)壓核心的作用。優(yōu)異的高頻特性，在光模塊中起到高頻濾波等作用”，朗矽科技創(chuàng)始人汪大祥表示。

據(jù)市場調(diào)查公司Transparency Market Research數(shù)據(jù)顯示，2021年全球硅電容市場規(guī)模為15.8億美元，隨著AI服務(wù)器、電源管理、光通信需求的爆發(fā)，未來三年硅電容將進(jìn)入快速成長階段。

在技術(shù)研發(fā)層面，朗矽科技以半導(dǎo)體精密制造的思維代替?zhèn)鹘y(tǒng)被動組件的研發(fā)制造，研發(fā)高介電常數(shù)薄膜與低損耗結(jié)構(gòu)，導(dǎo)入先進(jìn)ALD技術(shù)，使硅電容具備高容值密度、低ESR、低ESL和低漏電等特性。

在商業(yè)化落地層面，朗矽科技相正與AI算力芯片、高密度電源等領(lǐng)域頭部企業(yè)洽談合作，計劃推出封裝級整體解決方案。依托國內(nèi)AI產(chǎn)業(yè)發(fā)展優(yōu)勢，該公司將以硅電容為切入點，打造國產(chǎn)高端硅基無源器件平臺。

對于如何縮短與國際巨頭的差距，汪大祥表示，“中國市場龐大、應(yīng)用多元多樣，客戶對新技術(shù)接受度高，這讓我們能夠快速試錯、優(yōu)化快速迭代。同時，我們在高密度整合設(shè)計、封裝定制化、與AI應(yīng)用場景的結(jié)合上走得更靈活。與國際巨頭相比，我們在品牌影響力和客戶信賴度上仍在追趕，但在技術(shù)迭代、高密度整合與定制化封裝上已有自主優(yōu)勢，可針對AI、HPC、SOC等場景提供訂制且更高性能的解決方案。”

審核編輯 黃宇