超鏈接引導

行業(yè)圖譜

EMC保護方案大全

下載：國外品牌替代表EMC行業(yè)標準雷卯實驗室免費測試雷卯產(chǎn)品規(guī)格書講解

MOSFET柵極與源極間的SiO?氧化層是器件核心，厚度僅數(shù)納米，一旦承受電壓超閾值（Si MOSFET±30V、SiC MOSFET+30V/-10V），就會發(fā)生永久性擊穿。雷卯EMC小哥在數(shù)百個儲能、工業(yè)控制項目中發(fā)現(xiàn)，70% 的MOSFET失效都與柵氧化層浪涌擊穿相關，且該失效完全不可逆。

VGS 過壓：瞬態(tài)浪涌的致命威脅

MOSFET 對 VGS 電壓有明確限定：穩(wěn)態(tài)電壓常見 ±20V（部分 ±30V），瞬態(tài)電壓多為 ±30V，而實際驅動電壓多在 12V~15V。但 ESD 靜電、感性負載斷開、PCB 寄生電感耦合等引發(fā)的 ns 級瞬態(tài)浪涌，極易導致 VGS 超限。
這類沖擊會通過 Fowler-Nordheim 隧穿效應破壞柵極超薄氧化層，導致導通電阻增大、閾值電壓漂移、柵極漏電流上升，最終表現(xiàn)為開關異常、靜態(tài)功耗增加等故障。與漏極雪崩擊穿不同，柵極氧化層無能量吸收能力，擊穿即意味著器件報廢。

TVS 選型：精準防護核心方案

1. 無負壓驅動場景：優(yōu)先選擇單向TVS

負向鉗位相當于二極管正向導通壓降（Vf=0.7V），防護效果優(yōu)于雙向TVS
典型VRWM選型：15V~18V，VC范圍24.4V~29.2V

2．有負

壓驅動場景：選用雙向TVS

雷卯雙向TVS具備對稱鉗位特性，可同時防護正負向過壓，適配復雜驅動需求。

3. SiC MOSFET：

非對稱防護方案

SiC MOSFET負向耐壓僅-10V，且易受高電場應力影響導致參數(shù)退化，需針對性防護，雷卯電子推出非對稱TVS防護方案，通過正負向差異化的鉗位設計，完美適配SiC MOSFET需求：
正向：VRWM=15V~20V，VC=18.57V~26.40V（@Ipp）
負向：VRWM=-6V，VC=-10.3V（@Ipp）

MOSFET的柵極防護需基于失效機理精準設計，雷卯電子通過單向、雙向TVS產(chǎn)品，覆蓋通用MOSFET與SiC MOSFET的防護需求，從選型到應用提供全流程技術支持。