探索MSD1819A-RT1G與NSVMSD1819A-RT1G通用放大器晶體管的卓越性能
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,選擇合適的晶體管對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路至關(guān)重要。今天,我們將深入探討ON Semiconductor推出的MSD1819A-RT1G與NSVMSD1819A-RT1G通用放大器晶體管,了解它們的特性、參數(shù)以及應(yīng)用場(chǎng)景。
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產(chǎn)品概述
MSD1819A-RT1G和NSVMSD1819A-RT1G是NPN硅外延平面晶體管,專為通用放大器應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它們采用SC - 70/SOT - 323封裝,這種封裝非常適合低功率表面貼裝應(yīng)用,為工程師在設(shè)計(jì)緊湊型電路時(shí)提供了便利。
尺寸圖

產(chǎn)品特性亮點(diǎn)
高增益與低飽和電壓
這兩款晶體管具有高h(yuǎn)FE值(210 - 460),能夠提供出色的電流放大能力。同時(shí),其集電極 - 發(fā)射極飽和電壓VCE(sat) < 0.5V,這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,晶體管的功耗較低,有助于提高電路的效率。
良好的靜電防護(hù)能力
它們具備出色的靜電防護(hù)性能,人體模型(Human Body Model)靜電防護(hù)能力 > 4000V,機(jī)器模型(Machine Model)靜電防護(hù)能力 > 400V。這使得在實(shí)際應(yīng)用中,晶體管能夠更好地抵御靜電干擾,提高產(chǎn)品的可靠性。
汽車級(jí)應(yīng)用資質(zhì)
NSV前綴版本適用于汽車和其他對(duì)生產(chǎn)場(chǎng)地和控制變更有特殊要求的應(yīng)用,并且通過(guò)了AEC - Q101認(rèn)證,具備PPAP能力。這表明該產(chǎn)品在汽車電子等對(duì)可靠性要求極高的領(lǐng)域也能穩(wěn)定工作。
環(huán)保特性
這些器件是無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú)溴化阻燃劑(BFR Free)的,并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求,有助于工程師設(shè)計(jì)出符合綠色環(huán)保理念的產(chǎn)品。
關(guān)鍵參數(shù)解讀
最大額定值
| 額定值 | 符號(hào) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 集電極 - 基極電壓 | V(BR)CBO | 60 | Vdc |
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | V(BR)CEO | 50 | Vdc |
| 發(fā)射極 - 基極電壓 | V(BR)EBO | 7.0 | Vdc |
| 集電極連續(xù)電流 | Ic | 100 | mAdc |
| 集電極峰值電流 | Ic(P) | 200 | mAdc |
這些參數(shù)規(guī)定了晶體管正常工作的電壓和電流范圍。在設(shè)計(jì)電路時(shí),工程師必須確保實(shí)際工作條件不超過(guò)這些最大額定值,否則可能會(huì)損壞器件,影響電路的可靠性。
熱特性
| 特性 | 符號(hào) | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 功耗(注1) | PD | 150 | mW |
| 結(jié)溫 | TJ | 150 | ℃ |
| 存儲(chǔ)溫度范圍 | Tstg | -55 至 +150 | ℃ |
熱特性參數(shù)對(duì)于評(píng)估晶體管在不同溫度環(huán)境下的性能至關(guān)重要。例如,在高溫環(huán)境下工作時(shí),需要確保晶體管的功耗不超過(guò)其最大允許值,以避免結(jié)溫過(guò)高導(dǎo)致性能下降甚至損壞。
電氣特性
| 特性 | 符號(hào) | 最小值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓(Ic = 2.0 mAdc,Ib = 0) | V(BR)CEO | 50 | Vdc | |
| 集電極 - 基極擊穿電壓(Ic = 10 pAdc,Ie = 0) | V(BR)CBO | 60 | Vdc | |
| 發(fā)射極 - 基極擊穿電壓(Ie = 10 pAdc,Ib = 0) | V(BR)EBO | 7.0 | Vdc | |
| 集電極 - 基極截止電流(VcB = 20 Vdc,Ie = 0) | ICBO | 0.1 | μA | |
| 集電極 - 發(fā)射極截止電流(VcE = 10 Vdc,Ib = 0) | ICEO | 0.1 | μA | |
| 直流電流增益(注2)(VCE = 10 Vdc,Ic = 2.0 mAdc)(VCE = 2.0 Vdc,Ic = 100 mAdc) | hFE1 hFE2 | 210 90 | 340 | |
| 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(注2)(Ic = 100 mAdc,Ib = 10 mAdc) | VCE(sat) | 0.5 | Vdc |
電氣特性參數(shù)描述了晶體管在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。工程師可以根據(jù)這些參數(shù)來(lái)選擇合適的偏置條件,以實(shí)現(xiàn)所需的放大倍數(shù)和輸出特性。
封裝與訂購(gòu)信息
封裝尺寸
| SC - 70(SOT - 323)封裝的尺寸詳細(xì)信息如下: | 尺寸 | 毫米(MIN. - NOM. - MAX.) | 英寸(MIN. - NOM. - MAX.) |
|---|---|---|---|
| A | 0.80 - 0.90 - 1.00 | 0.032 - 0.035 - 0.040 | |
| A1 | 0.00 - 0.05 - 0.10 | 0.000 - 0.002 - 0.004 | |
| A2 | 0.70 REF | 0.028 BSC | |
| lo | 0.30 - 0.35 - 0.40 | 0.012 - 0.014 - 0.016 | |
| C | 0.10 - 0.18 - 0.25 | 0.004 - 0.007 - 0.010 | |
| D | 1.80 - 2.10 - 2.20 | 0.071 - 0.083 - 0.087 | |
| E | 1.15 - 1.24 - 1.35 | 0.045 - 0.049 - 0.053 | |
| e | 1.20 - 1.30 - 1.40 | 0.047 - 0.051 - 0.055 | |
| e1 | 0.65 BSC | 0.026 BSC | |
| L | 0.20 - 0.38 - 0.56 | 0.008 - 0.015 - 0.022 | |
| HE | 2.00 - 2.10 - 2.40 | 0.079 - 0.083 - 0.095 |
這些精確的封裝尺寸信息對(duì)于PCB布局設(shè)計(jì)非常重要,工程師需要根據(jù)這些尺寸來(lái)合理安排晶體管的位置,確保焊接和組裝的順利進(jìn)行。
訂購(gòu)信息
| 器件 | 封裝 | 包裝數(shù)量 |
|---|---|---|
| MSD1819A - RT1G | SC - 70(無(wú)鉛) | 3,000/卷帶包裝 |
| NSVMSD1819A - RT1G | SC - 70(無(wú)鉛) | 3,000/卷帶包裝 |
工程師可以根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的器件和包裝形式進(jìn)行訂購(gòu)。
應(yīng)用建議與思考
MSD1819A - RT1G和NSVMSD1819A - RT1G的高增益、低飽和電壓和良好的靜電防護(hù)特性使其非常適合各種通用放大器應(yīng)用,如音頻放大器、信號(hào)調(diào)理電路等。在汽車電子領(lǐng)域,NSV前綴版本的產(chǎn)品可以用于汽車音響、傳感器接口等對(duì)可靠性要求較高的電路中。
在實(shí)際設(shè)計(jì)過(guò)程中,工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景和性能要求,合理選擇偏置電阻、負(fù)載電阻等外圍元件,以優(yōu)化晶體管的工作狀態(tài)。同時(shí),要注意散熱設(shè)計(jì),確保晶體管在工作過(guò)程中的溫度在安全范圍內(nèi)。
大家在使用這兩款晶體管的過(guò)程中,有沒(méi)有遇到過(guò)一些特殊的問(wèn)題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)兀繗g迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
總之,MSD1819A - RT1G和NSVMSD1819A - RT1G以其出色的性能和豐富的特性,為電子工程師提供了一個(gè)可靠的選擇,有助于設(shè)計(jì)出更加高效、穩(wěn)定的電路。
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