onsemi NXH400N100L4Q2F2SG和NXH400N100L4Q2F2PG功率模塊深度解析
在電力電子領(lǐng)域,功率模塊的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性起著關(guān)鍵作用。今天我們要深入探討的是onsemi推出的NXH400N100L4Q2F2SG和NXH400N100L4Q2F2PG這兩款功率模塊,它們?cè)诙喾N應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出了卓越的性能。
文件下載:onsemi NXH400N100L4Q2F2 igbt模塊.pdf
一、模塊概述
NXH400N100L4Q2是一款集成了I型中性點(diǎn)鉗位三電平逆變器的功率模塊。其內(nèi)部集成了場(chǎng)截止溝槽絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和快恢復(fù)二極管(FRD),這種設(shè)計(jì)大大降低了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,為工程師實(shí)現(xiàn)高效、可靠的設(shè)計(jì)提供了有力支持。
1.1 主要特性
- 中性點(diǎn)鉗位三電平逆變器模塊:這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有助于提高系統(tǒng)的效率和輸出電能質(zhì)量。
- 極端高效的場(chǎng)截止溝槽技術(shù):有效降低了功率損耗,提升了模塊的整體性能。
- 低電感布局:減少了開關(guān)過(guò)程中的電壓尖峰和電磁干擾,提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
- 低封裝高度:便于在空間受限的應(yīng)用中進(jìn)行布局。
- 內(nèi)置熱敏電阻:方便實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)模塊的溫度,保障系統(tǒng)的安全運(yùn)行。
1.2 典型應(yīng)用
該模塊適用于多種領(lǐng)域,包括太陽(yáng)能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)和不間斷電源系統(tǒng)等。在這些應(yīng)用中,模塊的高性能和可靠性能夠充分發(fā)揮其優(yōu)勢(shì),為系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行提供保障。

二、電氣特性分析
2.1 絕對(duì)最大額定值
| 部件 | 參數(shù) | 符號(hào) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| IGBT(T1,T2,T3,T4) | 集電極 - 發(fā)射極電壓 | VCES | 1000 | V |
| 柵極 - 發(fā)射極電壓 | VGE | +20 / -30 | V | |
| 連續(xù)集電極電流(@Tc = 80°C) | Ic | 360 | A | |
| 脈沖峰值集電極電流(@Tc = 80°C,TJ = 175°C) | Ic(Pulse) | 1080 | A | |
| 最大功耗(TJ = 175°C) | Ptot | 980 | W | |
| 最小工作結(jié)溫 | TJMIN | -40 | °C | |
| 最大工作結(jié)溫 | TJMAX | 175 | °C | |
| IGBT逆二極管(D1, D2, D3, D4) | 峰值重復(fù)反向電壓 | VRRM | 1000 | V |
| 連續(xù)正向電流(@Tc = 80°C) | IF | 276 | A | |
| 重復(fù)峰值正向電流(T = 175°C) | IFRM | 828 | A | |
| 最大功耗(TJ = 175°C) | Ptot | 680 | W | |
| 最小工作結(jié)溫 | TJMIN | -40 | °C | |
| 最大工作結(jié)溫 | TJMAX | 175 | °C | |
| 中性點(diǎn)二極管(D5, D6) | 峰值重復(fù)反向電壓 | VRRM | 1000 | V |
| 連續(xù)正向電流(@Tc = 80°C) | IF | 291 | A | |
| 重復(fù)峰值正向電流(TJ = 175°C) | IFRM | 873 | A | |
| 最大功耗(TJ = 175°C) | Ptot | 734 | W | |
| 最小工作結(jié)溫 | TJMIN | -40 | °C | |
| 最大工作結(jié)溫 | TJMAX | 175 | °C |
從這些絕對(duì)最大額定值可以看出,該模塊能夠在較寬的溫度和電流范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,為工程師在設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)提供了較大的安全裕量。
2.2 電氣特性詳細(xì)參數(shù)
文檔中詳細(xì)列出了IGBT(包括外層和內(nèi)層)、逆二極管和中性點(diǎn)二極管的各項(xiàng)電氣特性參數(shù),如集電極 - 發(fā)射極截止電流、集電極 - 發(fā)射極飽和電壓、柵極 - 發(fā)射極閾值電壓等。這些參數(shù)在不同的測(cè)試條件下(如不同的溫度、電壓和電流)有所不同,工程師在設(shè)計(jì)時(shí)需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行合理選擇。
例如,外層IGBT(T1, T4)在TJ = 25°C,VCE = 600V,Ic = 200A,VGE = -9V, 15V,RGon = 9Ω,RGoff = 19Ω的條件下,導(dǎo)通延遲時(shí)間td(on)為170.46ns,關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)為696.63ns,每脈沖導(dǎo)通開關(guān)損耗Eon為8.96mJ,每脈沖關(guān)斷開關(guān)損耗Eoff為6mJ。而在TJ = 125°C時(shí),這些參數(shù)會(huì)發(fā)生相應(yīng)的變化,導(dǎo)通延遲時(shí)間變?yōu)?63.09ns,關(guān)斷延遲時(shí)間變?yōu)?71.31ns,每脈沖導(dǎo)通開關(guān)損耗變?yōu)?4.54mJ,每脈沖關(guān)斷開關(guān)損耗變?yōu)?.8mJ。
三、典型特性曲線
文檔中提供了大量的典型特性曲線,包括IGBT、逆二極管和中性點(diǎn)二極管的輸出特性、轉(zhuǎn)移特性、飽和電壓特性、開關(guān)損耗特性等。這些曲線直觀地展示了模塊在不同工作條件下的性能表現(xiàn),為工程師進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)和優(yōu)化提供了重要的參考依據(jù)。
例如,通過(guò)觀察典型的導(dǎo)通損耗與集電極電流(IC)的關(guān)系曲線,可以了解到隨著集電極電流的增加,導(dǎo)通損耗的變化趨勢(shì),從而合理選擇模塊的工作電流范圍,以達(dá)到最佳的效率和性能。
四、機(jī)械尺寸和封裝信息
文檔詳細(xì)給出了模塊的機(jī)械尺寸和封裝信息,包括不同引腳類型(壓配引腳和焊接引腳)的封裝尺寸、引腳位置公差等。這些信息對(duì)于工程師進(jìn)行PCB布局和機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)至關(guān)重要,確保模塊能夠正確安裝和連接到系統(tǒng)中。
4.1 封裝尺寸
| 尺寸 | 最小值(mm) | 標(biāo)稱值(mm) | 最大值(mm) |
|---|---|---|---|
| A | 16.90 | 17.30 | 17.70 |
| A1 | 13.97 | 14.18 | 14.39 |
| A2 | 11.70 | 12.00 | 12.30 |
| A3 | 4.40 | 4.70 | 5.00 |
| A4 | 16.40 | 16.70 | 17.00 |
| b | 1.61 | 1.66 | 1.71 |
| b1 | 0.75 | 0.80 | 0.85 |
| D | 92.90 | 93.00 | 93.10 |
| D1 | 104.45 | 104.75 | 105.05 |
| D2 | 81.80 | 82.00 | 82.20 |
| D3 | 106.90 | 107.20 | 107.50 |
| E | 46.70 | 47.00 | 47.30 |
| E1 | 44.10 | 44.40 | 44.70 |
| E2 | 38.80 | 39.00 | 39.20 |
| P | 5.40 | 5.50 | 5.60 |
| P1 | 10.60 | 10.70 | 10.80 |
| P2 | 1.80 | 2.00 | 2.20 |
4.2 引腳功能
文檔還給出了詳細(xì)的引腳功能表,明確了每個(gè)引腳的作用和位置。例如,引腳1 - 8為Phase1,引腳9 - 16為Phase2等。工程師在進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí),需要根據(jù)這些引腳功能進(jìn)行正確的連接。
五、總結(jié)與建議
onsemi的NXH400N100L4Q2F2SG和NXH400N100L4Q2F2PG功率模塊具有高性能、低損耗、寬溫度范圍等優(yōu)點(diǎn),適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)景。在設(shè)計(jì)過(guò)程中,工程師需要充分考慮模塊的電氣特性、典型特性曲線和機(jī)械尺寸等因素,根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行合理選擇和優(yōu)化。
同時(shí),建議工程師在使用該模塊時(shí),仔細(xì)閱讀文檔中的注意事項(xiàng)和使用說(shuō)明,確保系統(tǒng)的安全可靠運(yùn)行。如果在設(shè)計(jì)過(guò)程中遇到問(wèn)題,可以參考o(jì)nsemi提供的技術(shù)文檔和在線支持資源,或者聯(lián)系當(dāng)?shù)氐匿N售代表獲取幫助。
你在實(shí)際設(shè)計(jì)中是否也會(huì)遇到類似的功率模塊選型和應(yīng)用問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。
-
逆變器
+關(guān)注
關(guān)注
300文章
5087瀏覽量
214655 -
功率模塊
+關(guān)注
關(guān)注
11文章
606瀏覽量
46630 -
三電平
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
85瀏覽量
15916
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
NXH25T120L2Q1 功率集成模塊(PIM) 3通道T型NPC 1200 V 25 A IGBT 650 V 25 A IGBT
NXH160T120L2Q1 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A
NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和600 V 100 A
NXH450N65L4Q2 功率集成模塊(PIM) I型NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A二極管
NXH80T120L2Q0 功率集成模塊(PIM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT
NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A
NXH80B120L2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二極管
Onsemi安森美太陽(yáng)能IGBT解決方案產(chǎn)品目錄
?基于NXH600N65L4Q2F2 IGBT三電平NPC逆變器模塊的技術(shù)解析
探索 NXH80T120L2Q0S2G/S2TG, NXH80T120L2Q0P2G 功率模塊的卓越性能
onsemi三電平ANPC Q2Pack模塊:NXH800A100L4Q2F2S1G/P1G與NXH800A100L4Q2F2S2G/P2G的詳細(xì)解析
探索onsemi NXH600B100H4Q2F2SG:Si/SiC混合模塊的卓越性能與應(yīng)用潛力
安森美NXH400N100L4Q2F2系列功率模塊:高效與可靠的完美結(jié)合
探索 onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G:Si/SiC 混合模塊的卓越性能
深入解析 onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC 混合模塊

onsemi NXH400N100L4Q2F2SG和NXH400N100L4Q2F2PG功率模塊深度解析
評(píng)論