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onsemi NXH400N100L4Q2F2SG和NXH400N100L4Q2F2PG功率模塊深度解析

h1654155282.3538 ? 來(lái)源:未知 ? 作者:陳翠 ? 2025-12-05 09:37 ? 次閱讀
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onsemi NXH400N100L4Q2F2SG和NXH400N100L4Q2F2PG功率模塊深度解析

電力電子領(lǐng)域,功率模塊的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性起著關(guān)鍵作用。今天我們要深入探討的是onsemi推出的NXH400N100L4Q2F2SG和NXH400N100L4Q2F2PG這兩款功率模塊,它們?cè)诙喾N應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出了卓越的性能。

文件下載:onsemi NXH400N100L4Q2F2 igbt模塊.pdf

一、模塊概述

NXH400N100L4Q2是一款集成了I型中性點(diǎn)鉗位三電平逆變器的功率模塊。其內(nèi)部集成了場(chǎng)截止溝槽絕緣柵雙極晶體管IGBT)和快恢復(fù)二極管(FRD),這種設(shè)計(jì)大大降低了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,為工程師實(shí)現(xiàn)高效、可靠的設(shè)計(jì)提供了有力支持。

1.1 主要特性

  • 中性點(diǎn)鉗位三電平逆變器模塊:這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有助于提高系統(tǒng)的效率和輸出電能質(zhì)量。
  • 極端高效的場(chǎng)截止溝槽技術(shù):有效降低了功率損耗,提升了模塊的整體性能。
  • 低電感布局:減少了開關(guān)過(guò)程中的電壓尖峰和電磁干擾,提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
  • 低封裝高度:便于在空間受限的應(yīng)用中進(jìn)行布局。
  • 內(nèi)置熱敏電阻:方便實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)模塊的溫度,保障系統(tǒng)的安全運(yùn)行。

1.2 典型應(yīng)用

該模塊適用于多種領(lǐng)域,包括太陽(yáng)能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)和不間斷電源系統(tǒng)等。在這些應(yīng)用中,模塊的高性能和可靠性能夠充分發(fā)揮其優(yōu)勢(shì),為系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行提供保障。

二、電氣特性分析

2.1 絕對(duì)最大額定值

部件 參數(shù) 符號(hào) 單位
IGBT(T1,T2,T3,T4) 集電極 - 發(fā)射極電壓 VCES 1000 V
柵極 - 發(fā)射極電壓 VGE +20 / -30 V
連續(xù)集電極電流(@Tc = 80°C) Ic 360 A
脈沖峰值集電極電流(@Tc = 80°C,TJ = 175°C) Ic(Pulse) 1080 A
最大功耗(TJ = 175°C) Ptot 980 W
最小工作結(jié)溫 TJMIN -40 °C
最大工作結(jié)溫 TJMAX 175 °C
IGBT逆二極管(D1, D2, D3, D4) 峰值重復(fù)反向電壓 VRRM 1000 V
連續(xù)正向電流(@Tc = 80°C) IF 276 A
重復(fù)峰值正向電流(T = 175°C) IFRM 828 A
最大功耗(TJ = 175°C) Ptot 680 W
最小工作結(jié)溫 TJMIN -40 °C
最大工作結(jié)溫 TJMAX 175 °C
中性點(diǎn)二極管(D5, D6) 峰值重復(fù)反向電壓 VRRM 1000 V
連續(xù)正向電流(@Tc = 80°C) IF 291 A
重復(fù)峰值正向電流(TJ = 175°C) IFRM 873 A
最大功耗(TJ = 175°C) Ptot 734 W
最小工作結(jié)溫 TJMIN -40 °C
最大工作結(jié)溫 TJMAX 175 °C

從這些絕對(duì)最大額定值可以看出,該模塊能夠在較寬的溫度和電流范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,為工程師在設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)提供了較大的安全裕量。

2.2 電氣特性詳細(xì)參數(shù)

文檔中詳細(xì)列出了IGBT(包括外層和內(nèi)層)、逆二極管和中性點(diǎn)二極管的各項(xiàng)電氣特性參數(shù),如集電極 - 發(fā)射極截止電流、集電極 - 發(fā)射極飽和電壓、柵極 - 發(fā)射極閾值電壓等。這些參數(shù)在不同的測(cè)試條件下(如不同的溫度、電壓和電流)有所不同,工程師在設(shè)計(jì)時(shí)需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行合理選擇。

例如,外層IGBT(T1, T4)在TJ = 25°C,VCE = 600V,Ic = 200A,VGE = -9V, 15V,RGon = 9Ω,RGoff = 19Ω的條件下,導(dǎo)通延遲時(shí)間td(on)為170.46ns,關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)為696.63ns,每脈沖導(dǎo)通開關(guān)損耗Eon為8.96mJ,每脈沖關(guān)斷開關(guān)損耗Eoff為6mJ。而在TJ = 125°C時(shí),這些參數(shù)會(huì)發(fā)生相應(yīng)的變化,導(dǎo)通延遲時(shí)間變?yōu)?63.09ns,關(guān)斷延遲時(shí)間變?yōu)?71.31ns,每脈沖導(dǎo)通開關(guān)損耗變?yōu)?4.54mJ,每脈沖關(guān)斷開關(guān)損耗變?yōu)?.8mJ。

三、典型特性曲線

文檔中提供了大量的典型特性曲線,包括IGBT、逆二極管和中性點(diǎn)二極管的輸出特性、轉(zhuǎn)移特性、飽和電壓特性、開關(guān)損耗特性等。這些曲線直觀地展示了模塊在不同工作條件下的性能表現(xiàn),為工程師進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)和優(yōu)化提供了重要的參考依據(jù)。

例如,通過(guò)觀察典型的導(dǎo)通損耗與集電極電流(IC)的關(guān)系曲線,可以了解到隨著集電極電流的增加,導(dǎo)通損耗的變化趨勢(shì),從而合理選擇模塊的工作電流范圍,以達(dá)到最佳的效率和性能。

四、機(jī)械尺寸和封裝信息

文檔詳細(xì)給出了模塊的機(jī)械尺寸和封裝信息,包括不同引腳類型(壓配引腳和焊接引腳)的封裝尺寸、引腳位置公差等。這些信息對(duì)于工程師進(jìn)行PCB布局和機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)至關(guān)重要,確保模塊能夠正確安裝和連接到系統(tǒng)中。

4.1 封裝尺寸

尺寸 最小值(mm) 標(biāo)稱值(mm) 最大值(mm)
A 16.90 17.30 17.70
A1 13.97 14.18 14.39
A2 11.70 12.00 12.30
A3 4.40 4.70 5.00
A4 16.40 16.70 17.00
b 1.61 1.66 1.71
b1 0.75 0.80 0.85
D 92.90 93.00 93.10
D1 104.45 104.75 105.05
D2 81.80 82.00 82.20
D3 106.90 107.20 107.50
E 46.70 47.00 47.30
E1 44.10 44.40 44.70
E2 38.80 39.00 39.20
P 5.40 5.50 5.60
P1 10.60 10.70 10.80
P2 1.80 2.00 2.20

4.2 引腳功能

文檔還給出了詳細(xì)的引腳功能表,明確了每個(gè)引腳的作用和位置。例如,引腳1 - 8為Phase1,引腳9 - 16為Phase2等。工程師在進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí),需要根據(jù)這些引腳功能進(jìn)行正確的連接。

五、總結(jié)與建議

onsemi的NXH400N100L4Q2F2SG和NXH400N100L4Q2F2PG功率模塊具有高性能、低損耗、寬溫度范圍等優(yōu)點(diǎn),適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)景。在設(shè)計(jì)過(guò)程中,工程師需要充分考慮模塊的電氣特性、典型特性曲線和機(jī)械尺寸等因素,根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行合理選擇和優(yōu)化。

同時(shí),建議工程師在使用該模塊時(shí),仔細(xì)閱讀文檔中的注意事項(xiàng)和使用說(shuō)明,確保系統(tǒng)的安全可靠運(yùn)行。如果在設(shè)計(jì)過(guò)程中遇到問(wèn)題,可以參考o(jì)nsemi提供的技術(shù)文檔和在線支持資源,或者聯(lián)系當(dāng)?shù)氐匿N售代表獲取幫助。

你在實(shí)際設(shè)計(jì)中是否也會(huì)遇到類似的功率模塊選型和應(yīng)用問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。

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