安森美NXH400N100H4Q2F2系列三電平NPC Q2Pack模塊深度解析
在電力電子領(lǐng)域,高效、可靠的功率模塊一直是工程師們追求的目標(biāo)。安森美(onsemi)的NXH400N100H4Q2F2系列三電平NPC Q2Pack模塊,憑借其卓越的性能和先進的技術(shù),成為了眾多應(yīng)用中的理想選擇。今天,我們就來深入剖析這款模塊,看看它究竟有何獨特之處。
文件下載:onsemi NXH400N100H4Q2F2碳化硅混合模塊.pdf
模塊概述
NXH400N100H4Q2F2系列包括NXH400N100H4Q2F2PG、NXH400N100H4Q2F2SG和NXH400N100H4Q2F2SG - R等型號。它是一款高密度、集成式功率模塊,將高性能IGBT與堅固的反并聯(lián)二極管相結(jié)合。這種設(shè)計不僅提高了模塊的整體性能,還為系統(tǒng)設(shè)計帶來了諸多便利。

技術(shù)特點
- 高效的溝槽場截止技術(shù):該技術(shù)使得模塊具有極低的開關(guān)損耗,能夠有效降低系統(tǒng)的功率耗散,提高能源利用效率。在當(dāng)今對能源效率要求越來越高的時代,這一特性無疑是一大亮點。
- 低電感布局:低電感布局有助于減少開關(guān)過程中的電壓尖峰和電磁干擾,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。同時,低電感還能降低開關(guān)損耗,進一步提升模塊的性能。
- 高功率密度:模塊設(shè)計緊湊,具有較高的功率密度,能夠在有限的空間內(nèi)實現(xiàn)更大的功率輸出。這對于空間受限的應(yīng)用場景,如太陽能逆變器和不間斷電源系統(tǒng),具有重要意義。
- 低封裝高度:低封裝高度使得模塊在安裝和散熱方面更加方便,能夠適應(yīng)不同的應(yīng)用環(huán)境。
環(huán)保特性
該系列模塊符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無鉛、無鹵素且無溴化阻燃劑(BFR Free),體現(xiàn)了安森美在環(huán)保方面的責(zé)任和承諾。這不僅有助于企業(yè)滿足環(huán)保法規(guī)的要求,還能提升產(chǎn)品的市場競爭力。
電氣特性
絕對最大額定值
不同類型的IGBT和二極管在不同參數(shù)下都有明確的絕對最大額定值。例如,外部IGBT(T1,T4)的集電極 - 發(fā)射極電壓(VCES)最大為1000V,連續(xù)集電極電流(Ic)在Tc = 80°C時為409A,脈沖峰值集電極電流(Ic(Pulse))在Tc = 80°C(TJ = 150°C)時為1227A。內(nèi)部IGBT(T2,T3)和IGBT反向二極管(D1,D2,D3,D4)以及中性點二極管(D5,D6)也都有各自相應(yīng)的額定值。在設(shè)計電路時,必須嚴(yán)格遵守這些額定值,否則可能會導(dǎo)致模塊損壞,影響系統(tǒng)的可靠性。
電氣參數(shù)
在不同的測試條件下,模塊的各項電氣參數(shù)表現(xiàn)也有所不同。以外部IGBT(T1,T4)為例,在VGE = 15V,Ic = 400A,TJ = 25°C時,集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat))典型值為1.77V,最大值為2.3V;而在TJ = 150°C時,典型值為2.11V。這些參數(shù)的變化對于電路的性能和穩(wěn)定性有著重要影響,工程師在設(shè)計時需要根據(jù)實際應(yīng)用場景進行合理選擇。
熱特性和絕緣特性
熱特性
模塊的熱特性對于其性能和可靠性至關(guān)重要。在開關(guān)條件下,模塊的工作溫度范圍為 - 40°C至150°C,存儲溫度范圍為 - 40°C至125°C。同時,不同類型的IGBT和二極管都有相應(yīng)的熱阻參數(shù),如芯片到散熱器的熱阻(RthJH)和芯片到外殼的熱阻(RthJc)。這些熱阻參數(shù)決定了模塊在工作過程中的散熱能力,工程師需要根據(jù)實際情況選擇合適的散熱方案,確保模塊在安全的溫度范圍內(nèi)工作。
絕緣特性
絕緣特性也是模塊的重要性能指標(biāo)之一。模塊的隔離測試電壓(Vis)在t = 2s,50Hz的條件下為VRMS,同時還給出了爬電距離和比較跟蹤指數(shù)(CTI)等參數(shù)。良好的絕緣特性能夠保證模塊在高壓環(huán)境下的安全性和可靠性,防止電氣事故的發(fā)生。
典型應(yīng)用
該系列模塊的典型應(yīng)用包括太陽能逆變器和不間斷電源系統(tǒng)。在太陽能逆變器中,模塊的高效性能和高功率密度能夠提高太陽能轉(zhuǎn)換效率,降低系統(tǒng)成本。在不間斷電源系統(tǒng)中,模塊的可靠性和穩(wěn)定性能夠確保在市電中斷時,為負(fù)載提供持續(xù)、穩(wěn)定的電力供應(yīng)。
訂購信息
該系列模塊有不同的型號和封裝可供選擇。例如,NXH400N100H4Q2F2PG采用壓配引腳(PRESS FIT PINS),封裝為PIM42,93x47(PRESSFIT),每泡罩托盤裝12個;NXH400N100H4Q2F2SG和NXH400N100H4Q2F2SG - R采用焊接引腳(SOLDER PINS),封裝為PIM44,93x47(SOLDER PIN),同樣每泡罩托盤裝12個。在訂購時,工程師需要根據(jù)實際需求選擇合適的型號和封裝。
總結(jié)
安森美NXH400N100H4Q2F2系列三電平NPC Q2Pack模塊以其高效的性能、先進的技術(shù)和環(huán)保的特性,為電力電子應(yīng)用提供了一個優(yōu)秀的解決方案。無論是在太陽能逆變器還是不間斷電源系統(tǒng)等領(lǐng)域,該系列模塊都能夠發(fā)揮出其優(yōu)勢,滿足不同客戶的需求。在實際應(yīng)用中,工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景和要求,合理選擇模塊的參數(shù)和散熱方案,確保系統(tǒng)的性能和可靠性。你在使用類似模塊的過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
-
功率模塊
+關(guān)注
關(guān)注
11文章
610瀏覽量
46634 -
三電平
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
86瀏覽量
15916 -
NPC
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
31瀏覽量
5480
發(fā)布評論請先 登錄
全新的Q0和Q2系列功率模塊的特點及應(yīng)用
NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和600 V 100 A
NXH450N65L4Q2 功率集成模塊(PIM) I型NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A二極管
NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A
Onsemi安森美太陽能IGBT解決方案產(chǎn)品目錄
?基于安森美EVBUM2878G-EVB評估板數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析
探索 NXH80T120L2Q0S2G/S2TG, NXH80T120L2Q0P2G 功率模塊的卓越性能
onsemi三電平ANPC Q2Pack模塊:NXH800A100L4Q2F2S1G/P1G與NXH800A100L4Q2F2S2G/P2G的詳細(xì)解析
探索onsemi NXH600B100H4Q2F2SG:Si/SiC混合模塊的卓越性能與應(yīng)用潛力
安森美NXH400N100L4Q2F2系列功率模塊:高效與可靠的完美結(jié)合
探索 onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G:Si/SiC 混合模塊的卓越性能
onsemi NXH400N100L4Q2F2SG和NXH400N100L4Q2F2PG功率模塊深度解析
深入解析 onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC 混合模塊
探索onsemi NXH450B100H4Q2F2/Q2F2PG-R Q2BOOST模塊:Si/SiC混合技術(shù)的卓越之選

安森美NXH400N100H4Q2F2系列三電平NPC Q2Pack模塊深度解析
評論