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紫光國(guó)芯:以三維堆疊存儲(chǔ)技術(shù)突破,筑牢算力時(shí)代“數(shù)據(jù)基石”

獨(dú)角獸科技 ? 2025-12-05 20:21 ? 次閱讀
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存儲(chǔ)技術(shù)的競(jìng)賽,是智能時(shí)代一場(chǎng)沒有硝煙的戰(zhàn)爭(zhēng)。當(dāng)算力需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),傳統(tǒng)存儲(chǔ)架構(gòu)日益成為性能瓶頸,三維堆疊技術(shù)正成為打破“內(nèi)存墻”的關(guān)鍵路徑。在這一前沿領(lǐng)域,紫光國(guó)芯的突破引人注目。

01 戰(zhàn)略定位:全棧存儲(chǔ)產(chǎn)品與解決方案提供商

紫光國(guó)芯是新紫光集團(tuán)在半導(dǎo)體與數(shù)字經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域布局的關(guān)鍵一員。公司明確將自己定位為“以存儲(chǔ)技術(shù)為核心的產(chǎn)品和服務(wù)提供商”,其業(yè)務(wù)版圖完整覆蓋了從底層芯片到系統(tǒng)服務(wù)的價(jià)值鏈。公司五大核心業(yè)務(wù)構(gòu)成堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品矩陣:存儲(chǔ)顆粒、存儲(chǔ)KGD(已知合格芯片)、模組和系統(tǒng)產(chǎn)品、三維堆疊DRAM(SeDRAM)及CXL主控芯片,以及集成電路設(shè)計(jì)開發(fā)服務(wù)。這一布局使其能夠?yàn)榭蛻籼峁男酒较到y(tǒng)的全棧解決方案。

在產(chǎn)業(yè)層面,紫光系企業(yè)已形成協(xié)同效應(yīng)。根據(jù)2025年中國(guó)大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)重點(diǎn)企業(yè)排名,紫光股份憑借智慧城市數(shù)據(jù)平臺(tái)整合能力位居行業(yè)前列,而紫光國(guó)芯則在上游核心芯片領(lǐng)域提供關(guān)鍵技術(shù)支撐,共同構(gòu)建了從芯片到系統(tǒng)的完整競(jìng)爭(zhēng)力。

02 技術(shù)突破:第四代SeDRAM引領(lǐng)架構(gòu)創(chuàng)新

SeDRAM技術(shù)的演進(jìn)歷程,是中國(guó)存儲(chǔ)芯片自主創(chuàng)新的一個(gè)縮影。這項(xiàng)技術(shù)的核心在于通過三維堆疊實(shí)現(xiàn)邏輯晶圓與DRAM晶圓的3D集成,創(chuàng)造了存儲(chǔ)領(lǐng)域的新范式。目前已經(jīng)發(fā)展至第四代的SeDRAM技術(shù),取得了多項(xiàng)性能突破。它能夠?yàn)樗懔π酒峁┟棵敫哌_(dá)數(shù)十TB的訪存帶寬,并支持高達(dá)數(shù)十GB的內(nèi)存容量。這一指標(biāo)針對(duì)性地解決了AI計(jì)算中數(shù)據(jù)搬運(yùn)速度跟不上處理速度的“內(nèi)存墻”難題。

這一創(chuàng)新獲得了行業(yè)的高度認(rèn)可,相關(guān)技術(shù)成果榮獲“科學(xué)進(jìn)步獎(jiǎng)”并入選“硬科技重大突破”等產(chǎn)業(yè)榮譽(yù)。這些榮譽(yù)標(biāo)志著中國(guó)企業(yè)在存儲(chǔ)芯片這一關(guān)鍵領(lǐng)域已從技術(shù)跟隨走向自主創(chuàng)新。

03 產(chǎn)業(yè)協(xié)同:新紫光生態(tài)中的關(guān)鍵一環(huán)

在新紫光集團(tuán)“從芯到云”的戰(zhàn)略布局中,紫光國(guó)芯扮演著不可或缺的角色。作為集團(tuán)存儲(chǔ)領(lǐng)域的技術(shù)核心,它與集團(tuán)內(nèi)的云網(wǎng)板塊、行業(yè)解決方案板塊形成緊密協(xié)同。這種垂直整合的產(chǎn)業(yè)生態(tài),使紫光國(guó)芯能夠更精準(zhǔn)地把握從消費(fèi)電子到數(shù)據(jù)中心等多元市場(chǎng)的需求變化,快速響應(yīng)客戶的定制化需求。在集團(tuán)內(nèi)部,技術(shù)研發(fā)與市場(chǎng)應(yīng)用形成了高效閉環(huán),加速了創(chuàng)新技術(shù)的產(chǎn)品化進(jìn)程。

04 市場(chǎng)應(yīng)用:瞄準(zhǔn)算力時(shí)代的存儲(chǔ)瓶頸

存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)長(zhǎng)期被國(guó)際巨頭主導(dǎo),紫光國(guó)芯選擇了一條以架構(gòu)創(chuàng)新開辟細(xì)分賽道的差異化路徑。SeDRAM技術(shù)正是這一戰(zhàn)略的體現(xiàn)。

隨著人工智能從訓(xùn)練向推理、從云端向邊緣拓展,對(duì)高帶寬、大容量、低功耗存儲(chǔ)的需求變得日益迫切。SeDRAM的架構(gòu)特性恰好契合了這一趨勢(shì),在AI訓(xùn)練、高性能計(jì)算、邊緣智能等場(chǎng)景中展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。除了SeDRAM,公司在CXL主控芯片領(lǐng)域的布局同樣著眼于未來。隨著CXL互聯(lián)技術(shù)逐漸成為數(shù)據(jù)中心內(nèi)存擴(kuò)展的新標(biāo)準(zhǔn),相關(guān)主控芯片將成為存儲(chǔ)市場(chǎng)的重要增長(zhǎng)點(diǎn),紫光國(guó)芯的前瞻性布局為其贏得了市場(chǎng)先機(jī)。

當(dāng)全球步入由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的新發(fā)展階段,存儲(chǔ)芯片作為數(shù)字世界的基石,其戰(zhàn)略價(jià)值日益凸顯。紫光國(guó)芯憑借在三維堆疊存儲(chǔ)等前沿領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新,不僅為中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)開辟了新的技術(shù)路徑,也為全球算力基礎(chǔ)設(shè)施的演進(jìn)提供了重要的技術(shù)選項(xiàng)。

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