外延片氧化清洗流程是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，旨在去除表面污染物并為后續(xù)工藝（如氧化層生長(zhǎng)）提供潔凈基底。以下是基于行業(yè)實(shí)踐和技術(shù)資料的流程解析：

一、預(yù)處理階段

初步清洗

目的：去除外延片表面的大顆粒塵埃、有機(jī)物及金屬離子污染。

方法：采用化學(xué)溶液（如SPM混合液）結(jié)合物理沖洗，通過高溫增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)效率，溶解并剝離表面殘留的光刻膠等物質(zhì)。

二、核心清洗步驟

有機(jī)溶劑處理

作用：分解油脂類污染物，通常使用丙酮或異丙醇浸泡，輔以加熱攪拌提升去污效果。

SC-1清洗（堿性氧化）

原理：利用過氧化氫的強(qiáng)氧化性將金屬雜質(zhì)轉(zhuǎn)化為可溶性離子，同時(shí)氨水調(diào)節(jié)pH值促進(jìn)顆粒脫離。

優(yōu)勢(shì)：對(duì)有機(jī)物和顆粒物清除率高，適用于多數(shù)半導(dǎo)體材料。

DHF蝕刻

功能：去除自然氧化層及吸附的金屬離子，確保表面原子級(jí)清潔。

IPA干燥

替代方案：對(duì)于敏感材料，可采用異丙醇蒸汽干燥法避免水痕殘留。

三、特殊工藝補(bǔ)充

兆聲波輔助清洗

在HF溶液中引入高頻兆聲波，增強(qiáng)微小顆粒的剝離能力，尤其適用于高深寬比結(jié)構(gòu)。

貼膜后專項(xiàng)處理

針對(duì)碳化硅外延片，需先機(jī)械去膜再用QDR沖洗，最后用熱氮?dú)獯祾咄瓿勺罱K干燥。

四、質(zhì)量驗(yàn)證

表面檢測(cè)

使用光學(xué)顯微鏡或掃描電子顯微鏡檢查顆粒數(shù)量及分布。

原子力顯微鏡測(cè)量粗糙度，電感耦合等離子體質(zhì)譜分析金屬離子濃度。