外延片氧化清洗流程是半導體制造中的關鍵環(huán)節(jié)，旨在去除表面污染物并為后續(xù)工藝（如氧化層生長）提供潔凈基底。以下是基于行業(yè)實踐和技術資料的流程解析：

一、預處理階段

初步清洗

目的：去除外延片表面的大顆粒塵埃、有機物及金屬離子污染。

方法：采用化學溶液（如SPM混合液）結合物理沖洗，通過高溫增強化學反應效率，溶解并剝離表面殘留的光刻膠等物質。

二、核心清洗步驟

有機溶劑處理

作用：分解油脂類污染物，通常使用丙酮或異丙醇浸泡，輔以加熱攪拌提升去污效果。

SC-1清洗（堿性氧化）

原理：利用過氧化氫的強氧化性將金屬雜質轉化為可溶性離子，同時氨水調節(jié)pH值促進顆粒脫離。

優(yōu)勢：對有機物和顆粒物清除率高，適用于多數(shù)半導體材料。

DHF蝕刻

功能：去除自然氧化層及吸附的金屬離子，確保表面原子級清潔。

IPA干燥

替代方案：對于敏感材料，可采用異丙醇蒸汽干燥法避免水痕殘留。

三、特殊工藝補充

兆聲波輔助清洗

在HF溶液中引入高頻兆聲波，增強微小顆粒的剝離能力，尤其適用于高深寬比結構。

貼膜后專項處理

針對碳化硅外延片，需先機械去膜再用QDR沖洗，最后用熱氮氣吹掃完成最終干燥。

四、質量驗證

表面檢測

使用光學顯微鏡或掃描電子顯微鏡檢查顆粒數(shù)量及分布。

原子力顯微鏡測量粗糙度，電感耦合等離子體質譜分析金屬離子濃度。