氮化鎵作為第三代半導體材料，具有耐高溫、兼容性高、熱導率高、寬帶隙等優(yōu)勢，在我國應用較為成熟。按照襯底材料不同，氮化鎵外延片又可分為氮化鎵基氮化鎵、碳化硅基氮化鎵、藍寶石基氮化鎵以及硅基氮化鎵四類。硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)成本低且生產(chǎn)技術較為成熟，為目前應用最廣泛的產(chǎn)品。

　　氮化鎵外延片主要用于制造電子元件，如晶體管、集成電路、光電子器件等。它可以提高電子元件的性能，提高元件的可靠性，并延長元件的使用壽命。

　　氮化鎵外延片工藝流程介紹

　　氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。其中，表面清洗是為了消除表面污染，并在表面形成氧化層；氮化處理是將外延片放入氮化爐中，在高溫下進行氮化處理，使外延片表面形成氮化層；清洗處理是將外延片從氮化爐中取出，用清洗液進行清洗，以去除氮化層上的污染物；干燥處理是將清洗后的外延片放入烘箱中，進行干燥處理，以去除清洗液中的水分；檢測處理是將外延片放入檢測儀器中，進行檢測，以確保外延片質(zhì)量符合要求。

　　氮化鎵外延片工藝流程主要包括以下幾個步驟：

　　1. 準備工作：清洗外延片表面，消除表面污染，并在表面形成氧化層；

　　2. 氮化處理：將外延片放入氮化爐中，在高溫下進行氮化處理，使外延片表面形成氮化層；

　　3. 清洗處理：將外延片從氮化爐中取出，用清洗液進行清洗，以去除氮化層上的污染物；

　　4. 干燥處理：將清洗后的外延片放入烘箱中，進行干燥處理，以去除清洗液中的水分；

　　5. 檢測處理：將外延片放入檢測儀器中，進行檢測，以確保外延片質(zhì)量符合要求。

　　外延片與晶圓的區(qū)別

　　區(qū)別是半成品和成品的區(qū)別。 外延片就是在襯底上做好外延層的硅片，外延是半導體工藝當中的一種，硅片最底層是P型襯底硅（有的加點埋層）然后在襯底上生長一層單晶硅，這層單晶硅稱為外延層再后來在外延層上注入基區(qū)、發(fā)射區(qū)等等。而晶圓片通常說經(jīng)過光刻、蝕刻等工序形成的。所以外延片屬于半成品，而晶圓屬于成品。

　　外延片和晶圓的主要區(qū)別在于：

　　1.外延片是一種半導體材料，而晶圓是一種半導體器件；

　　2.外延片是用來制造電子元件的原材料，而晶圓是用來安裝電子元件的基板；

　　3.外延片的尺寸小于晶圓，晶圓的尺寸大于外延片；

　　4.外延片的表面經(jīng)過特殊處理，而晶圓的表面沒有經(jīng)過特殊處理。

　　根據(jù)相關數(shù)據(jù)整理，截至第三季度，氮化鎵相關企業(yè)營收排名前十依次是：欣旺達、聞泰科技、領益智造、楚江新材、深康佳A、利歐股份、北方華創(chuàng)、有研新材、兆馳股份、安克創(chuàng)新。