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探索 onsemi NST1602CL 雙極晶體管:高性能與可靠性的完美結(jié)合

h1654155282.3538 ? 來源:未知 ? 作者:陳翠 ? 2025-12-08 16:20 ? 次閱讀
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探索 onsemi NST1602CL 雙極晶體管:高性能與可靠性的完美結(jié)合

電子工程師的世界里,選擇合適的晶體管對于電路設(shè)計的成功至關(guān)重要。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NST1602CL 雙極晶體管,這款器件以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景,成為眾多設(shè)計中的理想之選。

文件下載:onsemi NST160xCL 160V 1.5A NPN雙極晶體管.pdf

產(chǎn)品概述

NST1602CL 是一款 NPN 單極雙極結(jié)型晶體管,具有高電流、低飽和電壓和高速開關(guān)的特點(diǎn)。它采用了 LFPAK8 3.3x3.3mm 的薄型封裝,不僅節(jié)省了電路板空間,還具備出色的散熱性能。該器件適用于汽車應(yīng)用,通過了 AEC - Q101 認(rèn)證,并且具備 PPAP 能力,為汽車電子系統(tǒng)的可靠性提供了有力保障。

電氣連接

主要特性

高性能指標(biāo)

  • 大電流處理能力:集電極電流(Ic)可達(dá) 1.5A,脈沖電流(IcP)更是高達(dá) 2.5A,能夠滿足高負(fù)載電路的需求。
  • 低飽和電壓:集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat))極低,例如在 IC = 250mA、IB = 25mA 的條件下,典型值僅為 0.04V,這有助于降低功耗,提高電路效率。
  • 高速開關(guān)特性:開關(guān)時間短,如導(dǎo)通時間(ton)典型值為 30ns,存儲時間(tstg)為 1340ns,關(guān)斷時間(tf)為 30ns,適用于高頻開關(guān)電路

可靠性與環(huán)保

  • 高允許功率耗散:集電極耗散功率(Pc)在不同條件下分別可達(dá) 0.8W 和 2.2W,能夠承受較大的功率損耗。
  • 寬溫度范圍:結(jié)溫(TJ)最高可達(dá) 175℃,存儲溫度范圍(Tstg)為 - 55℃至 + 175℃,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。
  • 環(huán)保設(shè)計:該器件為無鉛、無鹵/無溴化阻燃劑(BFR)產(chǎn)品,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。

典型應(yīng)用

負(fù)載開關(guān)

NST1602CL 可作為負(fù)載開關(guān),用于控制電路中負(fù)載的通斷。其低飽和電壓特性能夠減少開關(guān)過程中的功率損耗,提高系統(tǒng)效率。

柵極驅(qū)動

在柵極驅(qū)動電路中,該晶體管的高速開關(guān)特性能夠快速響應(yīng)控制信號,實(shí)現(xiàn)對功率器件的精確驅(qū)動。

DC - DC 轉(zhuǎn)換器

在 DC - DC 轉(zhuǎn)換器中,NST1602CL 可用于調(diào)節(jié)輸出電壓和電流,其高性能指標(biāo)有助于提高轉(zhuǎn)換器的效率和穩(wěn)定性。

電氣參數(shù)

絕對最大額定值

參數(shù) 符號 單位
集電極 - 基極電壓 VCBO 180 V
集電極 - 發(fā)射極電壓 VCEO 160 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO 6 V
集電極電流 Ic 1.5 A
集電極電流(脈沖) IcP 2.5 A
集電極耗散功率(條件 1) Pc (Note 1) 0.8 W
集電極耗散功率(條件 2) Pc(Note 2) 2.2 W
結(jié)溫 TJ 175
存儲溫度范圍 Tstg -55 至 +175

電氣特性

參數(shù) 符號 條件 最小值 典型值 最大值 單位
集電極截止電流 ICBO VCB = 180V,IE = 0A 0.1 μA
發(fā)射極截止電流 IEBO VEB = 6V,IC = 0A 0.1 μA
DC 電流增益(IC = 100mA) hFE1 VCE = 5V 140 280
DC 電流增益(IC = 400mA) hFE2 VCE = 5V 120
增益 - 帶寬積 fT VCE = 10V,IC = 100mA 100 MHz
輸出電容 Cob VCB = 10V,f = 1MHz 10 pF
集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(IC = 250mA,IB = 25mA) VCE(sat)1 0.04 0.08 V
集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(IC = 250mA,IB = 50mA) VCE(sat)2 0.035 0.07 V
集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(IC = 500mA,IB = 50mA) VCE(sat)3 0.07 0.14 V
基極 - 發(fā)射極飽和電壓 VBE(sat) IC = 250mA,IB = 25mA 0.8 1.2 V
集電極 - 基極擊穿電壓 V(BR)CBO IC = 10μA,IE = 0A 180 V
集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓 V(BR)CEO IC = 1mA,RBE = ∞ 160 V
發(fā)射極 - 基極擊穿電壓 V(BR)EBO IE = 10μA,IC = 0A 6 V
導(dǎo)通時間 ton 見 Figure 1 30 ns
存儲時間 tstg 1340 ns
關(guān)斷時間 tf 30 ns

ESD 評級

參數(shù) 符號 單位 類別
人體模型靜電放電 HBM >2000,<4000 V 2
機(jī)器模型靜電放電 MM >400 V M4

封裝與訂購信息

封裝尺寸

NST1602CL 采用 LFPAK8 3.3x3.3mm 的封裝,詳細(xì)的機(jī)械尺寸和公差信息可參考文檔中的相關(guān)圖表。這種封裝不僅緊湊,而且便于安裝和焊接。

訂購信息

器件型號 標(biāo)記 封裝 包裝數(shù)量
NSVT1602CLTWG NST1602G LFPAK8(無鉛/無鹵) 3,000/ 卷帶包裝
NST1602CLTWG NST1602G LFPAK8(無鉛/無鹵) 3,000/ 卷帶包裝

總結(jié)

onsemi 的 NST1602CL 雙極晶體管以其高性能、可靠性和環(huán)保特性,成為電子工程師在設(shè)計汽車電子、負(fù)載開關(guān)、柵極驅(qū)動器和 DC - DC 轉(zhuǎn)換器等電路時的理想選擇。在實(shí)際應(yīng)用中,我們需要根據(jù)具體的電路要求,合理選擇器件的參數(shù)和工作條件,以充分發(fā)揮其優(yōu)勢。同時,要注意靜電防護(hù)和散熱設(shè)計,確保器件的長期穩(wěn)定運(yùn)行。你在使用雙極晶體管時遇到過哪些挑戰(zhàn)?又是如何解決的呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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