探索 onsemi NST1602CL 雙極晶體管:高性能與可靠性的完美結(jié)合
在電子工程師的世界里,選擇合適的晶體管對(duì)于電路設(shè)計(jì)的成功至關(guān)重要。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NST1602CL 雙極晶體管,這款器件以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景,成為眾多設(shè)計(jì)中的理想之選。
文件下載:onsemi NST160xCL 160V 1.5A NPN雙極晶體管.pdf
產(chǎn)品概述
NST1602CL 是一款 NPN 單極雙極結(jié)型晶體管,具有高電流、低飽和電壓和高速開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)。它采用了 LFPAK8 3.3x3.3mm 的薄型封裝,不僅節(jié)省了電路板空間,還具備出色的散熱性能。該器件適用于汽車(chē)應(yīng)用,通過(guò)了 AEC - Q101 認(rèn)證,并且具備 PPAP 能力,為汽車(chē)電子系統(tǒng)的可靠性提供了有力保障。
電氣連接

主要特性
高性能指標(biāo)
- 大電流處理能力:集電極電流(Ic)可達(dá) 1.5A,脈沖電流(IcP)更是高達(dá) 2.5A,能夠滿足高負(fù)載電路的需求。
- 低飽和電壓:集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat))極低,例如在 IC = 250mA、IB = 25mA 的條件下,典型值僅為 0.04V,這有助于降低功耗,提高電路效率。
- 高速開(kāi)關(guān)特性:開(kāi)關(guān)時(shí)間短,如導(dǎo)通時(shí)間(ton)典型值為 30ns,存儲(chǔ)時(shí)間(tstg)為 1340ns,關(guān)斷時(shí)間(tf)為 30ns,適用于高頻開(kāi)關(guān)電路。
可靠性與環(huán)保
- 高允許功率耗散:集電極耗散功率(Pc)在不同條件下分別可達(dá) 0.8W 和 2.2W,能夠承受較大的功率損耗。
- 寬溫度范圍:結(jié)溫(TJ)最高可達(dá) 175℃,存儲(chǔ)溫度范圍(Tstg)為 - 55℃至 + 175℃,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。
- 環(huán)保設(shè)計(jì):該器件為無(wú)鉛、無(wú)鹵/無(wú)溴化阻燃劑(BFR)產(chǎn)品,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。
典型應(yīng)用
負(fù)載開(kāi)關(guān)
NST1602CL 可作為負(fù)載開(kāi)關(guān),用于控制電路中負(fù)載的通斷。其低飽和電壓特性能夠減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的功率損耗,提高系統(tǒng)效率。
柵極驅(qū)動(dòng)器
在柵極驅(qū)動(dòng)電路中,該晶體管的高速開(kāi)關(guān)特性能夠快速響應(yīng)控制信號(hào),實(shí)現(xiàn)對(duì)功率器件的精確驅(qū)動(dòng)。
DC - DC 轉(zhuǎn)換器
在 DC - DC 轉(zhuǎn)換器中,NST1602CL 可用于調(diào)節(jié)輸出電壓和電流,其高性能指標(biāo)有助于提高轉(zhuǎn)換器的效率和穩(wěn)定性。
電氣參數(shù)
絕對(duì)最大額定值
| 參數(shù) | 符號(hào) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 集電極 - 基極電壓 | VCBO | 180 | V |
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | VCEO | 160 | V |
| 發(fā)射極 - 基極電壓 | VEBO | 6 | V |
| 集電極電流 | Ic | 1.5 | A |
| 集電極電流(脈沖) | IcP | 2.5 | A |
| 集電極耗散功率(條件 1) | Pc (Note 1) | 0.8 | W |
| 集電極耗散功率(條件 2) | Pc(Note 2) | 2.2 | W |
| 結(jié)溫 | TJ | 175 | ℃ |
| 存儲(chǔ)溫度范圍 | Tstg | -55 至 +175 | ℃ |
電氣特性
| 參數(shù) | 符號(hào) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 集電極截止電流 | ICBO | VCB = 180V,IE = 0A | 0.1 | μA | |||
| 發(fā)射極截止電流 | IEBO | VEB = 6V,IC = 0A | 0.1 | μA | |||
| DC 電流增益(IC = 100mA) | hFE1 | VCE = 5V | 140 | 280 | |||
| DC 電流增益(IC = 400mA) | hFE2 | VCE = 5V | 120 | ||||
| 增益 - 帶寬積 | fT | VCE = 10V,IC = 100mA | 100 | MHz | |||
| 輸出電容 | Cob | VCB = 10V,f = 1MHz | 10 | pF | |||
| 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(IC = 250mA,IB = 25mA) | VCE(sat)1 | 0.04 | 0.08 | V | |||
| 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(IC = 250mA,IB = 50mA) | VCE(sat)2 | 0.035 | 0.07 | V | |||
| 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(IC = 500mA,IB = 50mA) | VCE(sat)3 | 0.07 | 0.14 | V | |||
| 基極 - 發(fā)射極飽和電壓 | VBE(sat) | IC = 250mA,IB = 25mA | 0.8 | 1.2 | V | ||
| 集電極 - 基極擊穿電壓 | V(BR)CBO | IC = 10μA,IE = 0A | 180 | V | |||
| 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓 | V(BR)CEO | IC = 1mA,RBE = ∞ | 160 | V | |||
| 發(fā)射極 - 基極擊穿電壓 | V(BR)EBO | IE = 10μA,IC = 0A | 6 | V | |||
| 導(dǎo)通時(shí)間 | ton | 見(jiàn) Figure 1 | 30 | ns | |||
| 存儲(chǔ)時(shí)間 | tstg | 1340 | ns | ||||
| 關(guān)斷時(shí)間 | tf | 30 | ns |
ESD 評(píng)級(jí)
| 參數(shù) | 符號(hào) | 值 | 單位 | 類(lèi)別 |
|---|---|---|---|---|
| 人體模型靜電放電 | HBM | >2000,<4000 | V | 2 |
| 機(jī)器模型靜電放電 | MM | >400 | V | M4 |
封裝與訂購(gòu)信息
封裝尺寸
NST1602CL 采用 LFPAK8 3.3x3.3mm 的封裝,詳細(xì)的機(jī)械尺寸和公差信息可參考文檔中的相關(guān)圖表。這種封裝不僅緊湊,而且便于安裝和焊接。
訂購(gòu)信息
| 器件型號(hào) | 標(biāo)記 | 封裝 | 包裝數(shù)量 |
|---|---|---|---|
| NSVT1602CLTWG | NST1602G | LFPAK8(無(wú)鉛/無(wú)鹵) | 3,000/ 卷帶包裝 |
| NST1602CLTWG | NST1602G | LFPAK8(無(wú)鉛/無(wú)鹵) | 3,000/ 卷帶包裝 |
總結(jié)
onsemi 的 NST1602CL 雙極晶體管以其高性能、可靠性和環(huán)保特性,成為電子工程師在設(shè)計(jì)汽車(chē)電子、負(fù)載開(kāi)關(guān)、柵極驅(qū)動(dòng)器和 DC - DC 轉(zhuǎn)換器等電路時(shí)的理想選擇。在實(shí)際應(yīng)用中,我們需要根據(jù)具體的電路要求,合理選擇器件的參數(shù)和工作條件,以充分發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)。同時(shí),要注意靜電防護(hù)和散熱設(shè)計(jì),確保器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。你在使用雙極晶體管時(shí)遇到過(guò)哪些挑戰(zhàn)?又是如何解決的呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。
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