什么是SRAM？
SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲器）是一種在通電狀態(tài)下可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失的存儲器件，無需刷新即可持續(xù)工作，因此具有高速讀寫、響應(yīng)及時(shí)的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于對實(shí)時(shí)性要求高的場景。

并行SRAM的技術(shù)特點(diǎn)
與常見串行SRAM相比，并行SRAM通過多條數(shù)據(jù)線同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)，顯著提升了數(shù)據(jù)吞吐效率。例如NETSOL推出的S6R4008WEB型號，采用512K x 8的封裝引腳結(jié)構(gòu)，支持多字節(jié)同步訪問，配備輸出使能控制，在地址訪問周期內(nèi)實(shí)現(xiàn)快速讀取。

NETSOL SRAM存儲芯片基于先進(jìn)CMOS工藝與6晶體管存儲單元設(shè)計(jì)，內(nèi)嵌ECC（錯(cuò)誤校正碼）功能，可自動校正讀取過程中的單位錯(cuò)誤，大幅提高系統(tǒng)可靠性。NETSOL并行SRAM存儲芯片工作電壓范圍寬（1.65V–3.6V），兼容TTL電平，提供8ns、10ns、12ns等多種存取時(shí)間選項(xiàng)，并采用緊湊的48引腳FBGA封裝，適用于高密度集成場景。

NETSOL SRAM存儲芯片方案優(yōu)勢
①高速低延遲：多路并行傳輸，支持納秒級存取，適用于實(shí)時(shí)處理系統(tǒng)。
②高可靠性：并行SRAM存儲芯片內(nèi)置ECC糾錯(cuò)，適應(yīng)嚴(yán)苛工作環(huán)境。
③低功耗設(shè)計(jì)：寬電壓供電與優(yōu)化電路結(jié)構(gòu)，助力能效敏感型設(shè)備。
④封裝靈活：并行SRAM存儲芯片提供FBGA、TSOP等封裝形式，便于緊湊布局。

NETSOL SRAM存儲芯片應(yīng)用領(lǐng)域
①汽車電子
在ADAS（高級駕駛輔助系統(tǒng)）中，雷達(dá)與傳感器信號需實(shí)時(shí)處理，高速并行SRAM為算法提供低延遲緩存，保障行車安全。
②通信基礎(chǔ)設(shè)施
5G基站采用Massive MIMO技術(shù)，波束成形等實(shí)時(shí)計(jì)算需依賴大容量SRAM進(jìn)行快速數(shù)據(jù)緩沖與處理，并行架構(gòu)可滿足高帶寬要求。
③消費(fèi)電子
隨著TWS耳機(jī)、智能穿戴等設(shè)備功能復(fù)雜化，其對存儲器的小尺寸、低功耗要求日益提升。低電壓運(yùn)行的并行SRAM可延長電池續(xù)航，并支持持續(xù)數(shù)據(jù)記錄與傳輸。

NETSOL并行SRAM存儲芯片這些小尺寸、低功耗、高性能串行SRAM器件具有無限的耐用性和零寫入時(shí)間，是涉及連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸、緩沖、數(shù)據(jù)記錄、計(jì)量以及其他數(shù)學(xué)和數(shù)據(jù)密集型功能的應(yīng)用的絕佳選擇。如果想了解更多，請?jiān)L問英尚微電子產(chǎn)品中心頁面。

審核編輯 黃宇