近年來，俄羅斯下諾夫哥羅德洛巴切夫斯基國立大學(xué)（UNN）、印度理工學(xué)院焦特布爾校區(qū)和印度理工學(xué)院羅巴爾校區(qū)的科學(xué)家們一直致力于開發(fā)在紫外波段工作的日盲光探測器。這是電子技術(shù)領(lǐng)域的一項(xiàng)重要任務(wù)，因?yàn)樗芮袛嗖ㄩL高于280nm的輻射，有助于避免日光的干擾，并記錄白天的紫外輻射。

UNN大學(xué)物理與技術(shù)研究所實(shí)驗(yàn)室主任Alexey Mikhaylov說:“由于日盲光探測器對深紫外光高度敏感但對日光不敏感，所以能夠廣泛用于各種重要應(yīng)用中，包括臭氧損傷檢測、噴氣發(fā)動機(jī)的監(jiān)測及火焰檢測?！?/p>

制造日盲光電探測器的主要材料是寬帶隙半導(dǎo)體。下諾夫哥羅德的科學(xué)家和印度的同事認(rèn)為，氧化鎵()是一種很有前景的半導(dǎo)體，帶隙為4.4-4.9 eV，可以切斷波長超過260-280nm的輻射，探測到深紫外波段的輻射。

合成氧化鎵的現(xiàn)有方法非常復(fù)雜，與傳統(tǒng)的硅技術(shù)兼容性差。此外，通過這些方法獲得的膜層通常會有許多缺陷。利用離子注入（現(xiàn)代電子技術(shù)的基本技術(shù)）合成氧化鎵納米晶體，為開發(fā)日盲光探測器開辟了新的可能性。

該光探測器的光譜響應(yīng)在250-270nm波段顯示出優(yōu)異的日盲紫外特性，探測器在250 nm波長處的響應(yīng)度也高達(dá)50 mA/μW。光探測器的暗電流非常低，只有0.168 mA。

制造這種探測器的過程包括通過離子注入在硅層上的氧化鋁薄膜中合成氧化鎵納米晶體。UNN大學(xué)的科學(xué)家在世界上首次實(shí)現(xiàn)了以這種方式制造探測器。

Mikhaylov說:“通過在離子注入的輔助下制造這種光探測器，將有可能適用現(xiàn)有的硅技術(shù)制造新一代設(shè)備。”