說起存儲(chǔ)器IC的分類，大家馬上想起可以分為RAM和ROM兩大類。

RAM是Random Access Memory的縮寫，翻譯過來就是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，隨機(jī)存取可以理解為能夠高速讀寫。常見的R A M又可以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM：動(dòng)態(tài)RAM)。

ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過來就是只讀存儲(chǔ)器。常見的ROM又可分為掩膜ROM(有時(shí)直接稱為ROM)、PROM(Programmable ROM：

可編程ROM，特指一次編程的ROM)、EPROM(Erasable ProgrammableROM：可擦除可編程的ROM，擦除時(shí)用紫外線)、EEPROM(ElectricallyErasable Programmable ROM：電可擦除可編程ROM)。

以上是大家在各種教材上看到的存儲(chǔ)器的分類。

問題是，ROM明明叫只讀存儲(chǔ)器，也就是不可寫的存儲(chǔ)器，現(xiàn)實(shí)是除了掩膜ROM是不可寫的外，PROM、EPROM、EEPROM事實(shí)上都是可寫的。它們的名稱中還帶有“ROM”是名不副實(shí)的叫法。掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM這幾種存儲(chǔ)器的共同特點(diǎn)其實(shí)是掉電后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失，所以可以歸類為非易失性存儲(chǔ)器(即Non-Volatile Memory)。

SRAM、DRAM的共同特點(diǎn)是掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，所以也可稱為易失性存儲(chǔ)器(Volatile memory)。

于是，存儲(chǔ)器從大類來分，可以分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。

后來出現(xiàn)的Flash Memory(快閃存儲(chǔ)，簡稱閃存)，掉電后數(shù)據(jù)也不容易丟失，所以也屬于非易失性存儲(chǔ)器。Flash Memory的名稱中已經(jīng)不帶ROM字樣了，但是傳統(tǒng)的分類方法中，還是把Flash Memory歸類為ROM類，事實(shí)上此時(shí)是因?yàn)檫@些存儲(chǔ)器都是非易失的。

把存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器就萬事大吉了么？

令人糾結(jié)的是，有一種新的存儲(chǔ)器，它既是非易失的，同時(shí)又是能夠高速隨時(shí)讀寫數(shù)據(jù)的，也就是說能夠隨機(jī)存取的。這種存儲(chǔ)器就是FRAM(Ferroelectric Random AccessMemory：鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，簡稱鐵電存儲(chǔ)器)。把FRAM歸類為非易失性存儲(chǔ)器是可以，但是FRAM的高速讀寫性質(zhì)又與SRAM、DRAM更為接近，它也是一種RAM。

于是，存儲(chǔ)器的分類令人糾結(jié)。

傳統(tǒng)的分為RAM與ROM的方式本來就不科學(xué)。如果分成RAM與非易失性存儲(chǔ)器這兩大類，也不科學(xué)，因?yàn)檫@個(gè)分類本身就不是按同一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)分的，導(dǎo)致FRAM即屬于RAM，又屬于非易失性存儲(chǔ)器。如果只分成易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器，又導(dǎo)致FRAM與SRAM、DRAM分家，大家都有RAM嘛，憑什么分開是吧。

我的建議是，存儲(chǔ)器分成隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和非隨機(jī)存取存儲(chǔ)器兩大類比較合適。

于是，存儲(chǔ)器的分類如下(按存取速度分類)：

1、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：SRAM、DRAM、FRAM；

2、非隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。

差強(qiáng)人意的分類為(按易失性分類)：

1、易失性存儲(chǔ)器：SRAM、DRAM；

2 、非易失性存儲(chǔ)器： 掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory、FRAM。