這個十二月，捷報連連！揚杰科技先于12月4日獲頒“中國SiC器件IDM十強企業(yè)”，彰顯其在碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的垂直整合實力；隨后在12月6日，又憑借過硬的產(chǎn)品與技術，一舉奪得“國產(chǎn)功率器件行業(yè)-車規(guī)級-卓越獎”與“功率器件-IGBT行業(yè)-卓越獎”。

中國SiC器件IDM十強企業(yè)獎項

12月4日，2025年行家說三代半年會—碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎頒獎典禮在深圳舉行，本次大會由行家說主辦，聚焦SiC創(chuàng)新應用，SiC&GaN終端應用，技術、市場及未來走勢，通過技術演講、數(shù)據(jù)報告、高端對話、行業(yè)評選和產(chǎn)品展示，進一步探討SiC 和 GaN 全球市場規(guī)模及未來發(fā)展空間和挑戰(zhàn)。

會上，行家說為揚州揚杰電子科技股份有限公司頒發(fā)“中國SiC器件IDM十強企業(yè)獎項”。

SiC MOSFET

光伏儲能、OBC領域“優(yōu)質(zhì)之選”

揚杰科技近日推出了杰冠微自產(chǎn)SiC MOSFET產(chǎn)品。卓越的電性性能，高效率，高可靠性與魯棒性；工藝穩(wěn)定，品質(zhì)把控嚴格；擺脫外部限制，供貨穩(wěn)定，交期可控；更提供全方位的技術支持，為客戶投資保駕護航！

產(chǎn)品特點：

1.耐高溫特性，工作溫度（175°C)，出色的散熱性能，有著優(yōu)異的溫升表現(xiàn)，提高了產(chǎn)品的可靠性；

2.自研工藝，柵氧層質(zhì)量高，壽命長，閾值電壓穩(wěn)定；

2.擊穿電壓和耐壓能力高，通流能力優(yōu)秀；

3.動態(tài)性能良好，SiC MOSFET 在開關過程中具有較小的開關損耗和快速恢復時間。

國產(chǎn)功率器件行業(yè)-車規(guī)級-卓越獎

功率器件-IGBT行業(yè)-卓越獎

緊隨其后，在12月6日舉行的亞洲電源技術發(fā)展論壇暨頒獎典禮上，揚杰科技再次憑借在功率半導體領域的出色表現(xiàn)，榮獲世紀電源網(wǎng)評選的《國產(chǎn)功率器件行業(yè)-車規(guī)級-卓越獎》與《功率器件-IGBT行業(yè)-卓越獎》。

這兩項榮譽進一步印證了公司在車規(guī)級功率器件及IGBT產(chǎn)品領域的技術領先性與市場認可度，體現(xiàn)了其在多元化功率半導體產(chǎn)品布局上的協(xié)同發(fā)展與綜合競爭力。

車規(guī)IGBT單管：TO-247-3L

給空調(diào)壓縮機控制器裝上“短路防護盾”

新一代TO-247-3L封裝1200V車規(guī)級IGBT單管，產(chǎn)品采用新一代微溝槽工藝平臺，極大的優(yōu)化了器件的導通損耗，具有較強的短路能力，產(chǎn)品參數(shù)一致性好，可靠性優(yōu)良，適用于壓縮機控制器等各類中低頻應用領域。

產(chǎn)品特點：

1. 精細微溝槽工藝平臺，極具性價比的芯片方案；

2. 電壓等級為1200V，電流等級為40A@Tc=100℃ ；

3. 低導通損耗，適用于中低頻應用領域；

4. 具有極強的短路能力(器件在20V的高驅(qū)動電壓條件下依舊保證10us以上的短路能力)

展望未來

未來，揚杰科技將繼續(xù)依托IDM模式優(yōu)勢，加速SiC、IGBT等新產(chǎn)品研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化進程，協(xié)同上下游伙伴共建健康生態(tài)，以更高效、更可靠的功率半導體解決方案，賦能能源變革與產(chǎn)業(yè)升級，持續(xù)為我國半導體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展注入強勁動能。

關于揚杰

揚州揚杰電子科技股份有限公司是國內(nèi)少數(shù)集半導體分立器件芯片設計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的杰出廠商。產(chǎn)品線含蓋分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模塊、SiC、整流器件、保護器件、小信號等，為客戶提供一攬子產(chǎn)品解決方案。公司產(chǎn)品廣泛應用于汽車電子、人工智能、清潔能源、5G通訊、智能安防、工業(yè)、消費類電子等諸多領域。

公司于2014年1月23日在深交所上市，證券代碼300373，相信在您的關懷支持下，我們一定能夠成為世界信賴的功率半導體伙伴。