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汽車USB充電新選擇:TPS2585x-Q1深度解析

lhl545545 ? 2025-12-17 15:10 ? 次閱讀
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汽車USB充電新選擇:TPS2585x-Q1深度解析

汽車電子領域,USB充電端口的需求日益增長,對充電效率、穩(wěn)定性和兼容性的要求也越來越高。德州儀器TI)的TPS2585x-Q1系列產(chǎn)品,為汽車USB充電端口提供了一個高度集成的解決方案。本文將深入探討TPS2585x-Q1的特點、功能、應用及設計要點,幫助工程師更好地理解和應用這款產(chǎn)品。

文件下載:tps25850-q1.pdf

一、TPS2585x-Q1概述

TPS2585x-Q1是一款專為汽車應用設計的集成式USB充電端口解決方案,包含TPS25850-Q1、TPS25851-Q1和TPS25852-Q1三個型號。它集成了同步直流/直流轉(zhuǎn)換器、檢測和控制功能,可提供最大6.6A的電流,支持USB電池充電1.2和Type-C端口標準,適用于汽車USB充電端口和媒體中心等應用。

二、產(chǎn)品特性亮點

2.1 汽車級標準與低EMI設計

  • 符合AEC-Q100標準:溫度等級1,工作溫度范圍為 -40°C至 +125°C,具備HBM ESD分類等級H2和CDM ESD分類等級C5,確保在汽車環(huán)境中的可靠性。
  • 低EMI優(yōu)化:符合CISPR25 5類標準,采用HotRod?封裝減少開關節(jié)點振鈴,展頻技術降低峰值發(fā)射,有效減少電磁干擾。

2.2 高效同步降壓穩(wěn)壓器

  • 高效率:在2.1MHz下,當$V{IN}=13.5V$、$I{PA_BUS}=3A$且$I_{PB_BUS}=3A$時,效率可達93.4%。
  • 寬工作電壓范圍:工作電壓范圍為5.5V至26V,可承受36V輸入,適應不同的汽車電源系統(tǒng)。
  • 頻率可調(diào)節(jié):開關頻率可在200kHz至3MHz之間調(diào)節(jié),可根據(jù)應用需求選擇合適的頻率,避開AM無線電頻帶或使用較小的電感器。

2.3 低導通電阻與高精度電流限制

  • 低$R_{DS(ON)}$:降壓穩(wěn)壓器MOSFET的$R{DS(ON)}$低至18mΩ/10mΩ,內(nèi)部USB功率MOSFET的$R{DS(ON)}$低至7mΩ/7mΩ,降低功率損耗。
  • 高精度可編程電流限制:USB端口的電流限制精度在3.4A下為 ±10%,可根據(jù)需要進行精確設置。

2.4 其他特性

  • 內(nèi)部電源路徑:集成了7mΩ/7mΩ低$R_{DS(ON)}$內(nèi)部USB功率MOSFET,提供高效的電源路徑。
  • 線路壓降補償:在2.4A負載下,線路壓降補償可達90mV,確保在長電纜或高負載情況下的充電效果。
  • OUT電源:可提供5.1V、200mA的輔助負載電源。

三、功能詳細解析

3.1 電源控制與保護

3.1.1 電源關斷與欠壓鎖定(UVLO)

當IN端子電壓低于$V{UVLO}$時,器件進入低功耗模式,所有端子呈高阻抗狀態(tài)。當IN電壓高于$V{UVLO}$閾值時,根據(jù)EN/UVLO引腳電壓,器件進入睡眠模式或活動模式。EN/UVLO引腳電壓高于$V_{EN/UVLO - H}$時,內(nèi)部調(diào)節(jié)器啟動并開始監(jiān)控CCn線,以檢測有效的Type-C連接。

3.1.2 輸入過壓保護(OVP)

當輸入源出現(xiàn)過壓時,降壓調(diào)節(jié)器的HSFET/LSFET立即關閉,USB端口和OUT引腳失去電源。過壓恢復正常后,降壓調(diào)節(jié)器繼續(xù)工作,為USB端口和OUT引腳供電。在過壓期間,內(nèi)部調(diào)節(jié)器將SENSE電壓調(diào)節(jié)在5V,為內(nèi)部偏置電路和外部NTC上拉參考提供電源。

3.2 降壓轉(zhuǎn)換器

TPS2585x-Q1集成了單片、同步、整流、降壓開關模式轉(zhuǎn)換器,采用峰值電流模式控制和內(nèi)部補償,可在寬輸入電源范圍內(nèi)實現(xiàn)高達6.6A的連續(xù)輸出電流,并具有出色的負載和線路調(diào)節(jié)能力。其工作原理是通過控制高側(cè)(HS)和低側(cè)(LS)NMOS開關的占空比來調(diào)節(jié)輸出電壓,在連續(xù)導通模式(CCM)下,SW引腳電壓在HS開關導通時升至約$V_{IN}$,LS開關導通時電感電流通過LS開關放電。

3.3 頻率設置與同步

3.3.1 FREQ/SYNC引腳

開關頻率可通過連接在FREQ/SYNC引腳和AGND引腳之間的電阻$R{FREQ}$進行編程,計算公式為$R{FREQ}(kΩ)=26660 × f_{SW}^{-1.0483}(kHz)$。同時,F(xiàn)REQ/SYNC引腳還可用于將內(nèi)部振蕩器同步到外部時鐘,外部時鐘信號AC耦合峰值 - 峰值電壓需超過1.2V(典型值),且最小SYNC時鐘HIGH和LOW時間需長于100ns(典型值)。

3.4 電流限制與短路保護

3.4.1 USB開關可編程電流限制

TPS2585x-Q1采用兩級電流限制方案,包括典型電流限制$I{OS_BUS}$和二級電流限制$I{OS_HI}$,$I{OS_HI}$為$I{OS_BUS}$的1.6倍。通過連接在ILIM引腳的電阻$R{ILIM}$可設置電流限制閾值,計算公式為$R{ILIM}(KΩ)=frac{32273}{I_{OS_BUS}(mA)}$。在正常應用中,可將ILIM引腳直接接地,設置默認的3.55A電流限制。當出現(xiàn)過載情況時,根據(jù)不同的電流情況,器件會采取相應的保護措施,如快速關斷、進入打嗝模式等。

3.4.2 聯(lián)鎖機制

為避免兩個USB端口同時拉出大電流導致DC/DC調(diào)節(jié)器過載,TPS2585x-Q1采用聯(lián)鎖機制。當一個USB端口電流超過$I{OS_BUS}$閾值時,另一個USB端口的電流限制閾值立即被覆蓋為$I{OS_BUS}$,確保DC/DC調(diào)節(jié)器有足夠的能量維持輸出電壓。

3.4.3 逐周期降壓電流限制

在電感電流的峰值和谷值都有逐周期電流限制。高側(cè)MOSFET過流保護通過峰值電流模式控制實現(xiàn),低側(cè)MOSFET電流也被監(jiān)測和限制,以確保系統(tǒng)的安全性。

3.4.4 OUT電流限制

OUT引腳可提供200mA的電流為輔助負載供電,當OUT電流達到電流限制水平時,OUT引腳MOSFET進入恒流限制模式。若過流情況持續(xù)超過4.1ms,將進入打嗝模式。

3.5 電纜補償

當負載通過長或細的導線吸取電流時,會產(chǎn)生IR壓降,降低負載端的電壓。TPS2585x-Q1具有內(nèi)置的電纜補償功能,當VSET引腳接地時,隨著負載電流的增加,SENSE引腳的電壓線性增加,以維持負載端電壓的相對恒定。在輸出電流大于2.4A時,電纜補償電壓為90mV。

3.6 熱管理

3.6.1 溫度傳感與OTSD

TS輸入引腳可實現(xiàn)用戶可編程的熱保護,其閾值與$V{sense}$成比例。當$V{TS}=0.5 × V{SENSE}$時,Type-C端口的電流通告自動降低到1.5A水平;當$V{TS}=0.65 × V_{SENSE}$時,廣播默認USB電源模式,降壓調(diào)節(jié)器輸出電壓降低到4.77V;若溫度繼續(xù)升高達到OTSD閾值,器件將進行熱關斷。

3.6.2 熱關斷

器件具有內(nèi)部過溫關斷閾值$T{SD}$,當器件溫度超過$T{SD}$時,器件關閉。當芯片溫度降至154°C(典型值)以下時,器件重新啟動。

3.7 USB功能

3.7.1 USB使能控制(TPS25852-Q1)

PA_EN和PB_EN引腳分別用于控制PA_USB和PB_USB的開關,當Px_EN引腳拉高時,USB開關激活;拉低時,USB開關關閉并進行輸出放電??蓪x_EN連接到SENSE引腳實現(xiàn)自動啟動,也可通過外部信號進行控制。

3.7.2 故障指示(TPS25851-Q1和TPS25852-Q1)

PA_FAULT和PB_FAULT引腳分別用于指示PA_USB和PB_USB的故障情況。在正常情況下,F(xiàn)AULT引腳為開漏狀態(tài);當USB開關進入打嗝模式或觸發(fā)過溫熱關斷(OTSD)時,Px_FAULT引腳被拉低。

3.7.3 USB規(guī)范支持

TPS2585x-Q1支持多種常見的USB充電方案,包括USB Type-C(1.5A和3A通告)、USB電池充電規(guī)范BC1.2 DCP模式、中國電信行業(yè)標準YD/T 1591 - 2009、Divider 3模式和1.2-V模式。

四、應用與設計要點

4.1 典型應用

TPS2585x-Q1通常用于汽車系統(tǒng)中,將車輛電池的直流電壓轉(zhuǎn)換為5V直流電壓,為USB設備供電。其典型應用電路只需幾個外部組件,集成的降壓調(diào)節(jié)器為內(nèi)部補償,優(yōu)化了外部電感和電容的選擇,以滿足應用需求和控制環(huán)路的穩(wěn)定性標準。

4.2 設計步驟

4.2.1 輸出電壓設置

通過VSET引腳可設置輸出電壓,將VSET引腳接地可設置輸出電壓為5.17V并啟用電纜補償功能。不同的VSET配置對應不同的輸出電壓,具體可參考相關表格。

4.2.2 開關頻率選擇

推薦的開關頻率范圍為250kHz - 400kHz以實現(xiàn)高效率,也可根據(jù)需要選擇其他頻率。選擇開關頻率時需要在轉(zhuǎn)換效率和整體解決方案尺寸之間進行權(quán)衡,較低的開關頻率可降低開關損耗,提高系統(tǒng)效率;較高的開關頻率可使用更小的電感和輸出電容,實現(xiàn)更緊湊的設計。

4.2.3 電感器選擇

電感器的關鍵參數(shù)包括電感值、飽和電流和額定電流。電感值根據(jù)所需的峰 - 峰紋波電流$Delta i{L}$計算,通常選擇使電感紋波電流相對器件最大輸出電流的系數(shù)$K{IND}$在20% - 40%之間。同時,電感器的電流額定值必須高于器件的電流限制。

4.2.4 輸出電容選擇

輸出電容的選擇直接影響穩(wěn)態(tài)輸出電壓紋波、環(huán)路穩(wěn)定性以及負載電流瞬變時的電壓過沖或下沖。一般根據(jù)負載瞬態(tài)要求選擇合適的電容值和ESR,以確保在負載變化時輸出電壓能保持在規(guī)定范圍內(nèi)。

4.2.5 輸入電容選擇

TPS2585x-Q1需要高頻輸入去耦電容,推薦使用高質(zhì)量的X5R或X7R陶瓷電容,其額定電壓應至少為應用所需的最大輸入電壓,最好為最大輸入電壓的兩倍。此外,還可根據(jù)需要使用電解電容,以提供對電纜或走線電感引起的電壓尖峰的阻尼。

4.2.6 自舉電容選擇

自舉電容(CBOOT)推薦值為100nF,額定電壓為16V或更高,應使用高質(zhì)量的X7R或X5R陶瓷電容,以確保溫度穩(wěn)定性。

4.2.7 欠壓鎖定設置

系統(tǒng)欠壓鎖定(UVLO)可通過外部電阻分壓器網(wǎng)絡$R{ENT}$和$R{ENB}$進行調(diào)整,其上升和下降閾值可根據(jù)相應公式計算。注意不能直接將EN引腳連接到IN引腳以實現(xiàn)自啟動,可將EN引腳連接到VSENSE引腳,在輸入電壓在工作范圍內(nèi)時實現(xiàn)自動啟動。

4.2.8 電纜補償設置

將VSET引腳接地可啟用電纜補償功能,此時降壓調(diào)節(jié)器的輸出電壓將隨負載電流的增加而線性增加,在USB端口電流大于2.4A時,電壓補償為90mV。

4.3 布局指南

PCB布局對TPS2585x-Q1的性能至關重要,以下是一些布局建議:

  • 輸入旁路電容:$C_{IN}$應盡可能靠近IN和PGND引腳放置,輸入側(cè)的高頻陶瓷旁路電容為脈沖電流的高di/dt分量提供主要路徑。
  • 接地平面:使用中間層的接地平面作為噪聲屏蔽和散熱路徑,AGND和PGND引腳應通過過孔連接到接地平面。
  • 自舉電容:$C_{BOOT}$電容應靠近器件放置,使用短而寬的走線連接到BOOT和SW引腳。
  • SW引腳:連接到電感的SW引腳應盡可能短,寬度應足以承載負載電流而不過度發(fā)熱。
  • 電阻放置:$R{ILIM}$和$R{FREQ}$電阻應盡可能靠近ILIM和FREQ引腳,并連接到AGND。
  • 總線連接:使$VIN$、$SENSE$和接地總線連接盡可能寬,以減少轉(zhuǎn)換器輸入或輸出路徑上的電壓降,提高效率。
  • 散熱設計:提供足夠的PCB面積用于散熱,確保有足夠的銅面積以實現(xiàn)低$R_{theta JA}$,可使用熱過孔將暴露的焊盤連接到底層PCB的接地平面。
  • CC線:保持CC線長度相近,避免在CC線上創(chuàng)建短截線或測試點。

五、總結(jié)

TPS2585x-Q1系列產(chǎn)品為汽車USB充電端口應用提供了一個高度集成、高效且可靠的解決方案。其豐富的功能和特性,如低EMI設計、高精度電流限制、電纜補償和熱管理等,能夠滿足汽車電子系統(tǒng)對USB充電的嚴格要求。在設計應用時,工程師需要根據(jù)具體需求選擇合適的參數(shù)和外部組件,并遵循合理的布局指南,以確保系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性。你在使用這款產(chǎn)品時遇到過哪些挑戰(zhàn)呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。

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