引言

CAN Bus（Controller Area Network），控制器區(qū)域網(wǎng)，起源于80年代，由國際標(biāo)準(zhǔn)化組織（ISO）所發(fā)布，因?yàn)槔秒p線差動(dòng)（two-wired differential），使其即使在電器條件惡劣環(huán)境下，也可正常運(yùn)作的一種傳輸總線。又因雙線溝通的特性，大幅縮減了其應(yīng)用線路的使用量，也降低傳統(tǒng)線路復(fù)雜易造成錯(cuò)誤的發(fā)生機(jī)會(huì)。

圖1. Harvard結(jié)構(gòu)

每個(gè)MAXQ器件采用以下存儲(chǔ)器類型：

1.閃存

2.SRAM

3.固定用途ROM

MAXQ器件也可從閃存、固定用途ROM或SRAM執(zhí)行程序代碼。從某個(gè)存儲(chǔ)器段執(zhí)行程序代碼時(shí)，其它兩個(gè)存儲(chǔ)器段可作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱從閃存執(zhí)行程序和執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)部分）。這是因?yàn)槌绦蚝蛿?shù)據(jù)存儲(chǔ)器總線不能同時(shí)存取同一存儲(chǔ)器段。

有人可能認(rèn)為采用Harvard結(jié)構(gòu)的MAXQ微控制器也不能在非易失閃存中儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。然而，MAXQ器件內(nèi)嵌固定用途ROM函數(shù)，允許讀、寫非易失閃存數(shù)據(jù)。

從閃存執(zhí)行程序

MAXQ器件中，從閃存執(zhí)行應(yīng)用程序時(shí)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器為SRAM （讀和寫）和固定用途ROM （只讀）。從閃存執(zhí)行代碼時(shí)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器映射請(qǐng)參見表1,存儲(chǔ)器映射參見圖2.

SRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x0000至0x07FF （字節(jié)尋址模式下）或地址0x0000至0x03FF （字尋址模式下）。

固定用途ROM在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x8000至0x9FFFh （字節(jié)模式）或地址0x8000至0x8FFF （字尋址模式下）。

圖2. 從閃存執(zhí)行應(yīng)用代碼時(shí)的存儲(chǔ)器映射

執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)

執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)時(shí)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器為SRAM （讀和寫）和閃存（讀和寫）。從閃存執(zhí)行應(yīng)用程序且變量或數(shù)據(jù)對(duì)象位于閃存時(shí)，可通過固定用途ROM函數(shù)讀或?qū)戇@些變量或數(shù)據(jù)對(duì)象。通過跳轉(zhuǎn)至執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)，即可將閃存作為數(shù)據(jù)進(jìn)行存取。從固定用途ROM執(zhí)行代碼時(shí)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器映射請(qǐng)參見表2,存儲(chǔ)器映射參見圖3.

1.SRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x0000至0x07FF （字節(jié)尋址模式下）或地址0x0000至0x03FF （字尋址模式下）。

2.字節(jié)尋址模式下，CDA0 = 0時(shí)，閃存的低半部分在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x8000至0xFFFFh;CDA0 = 1時(shí)，閃存的高半部分在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x8000至0xFFFFh.字尋址模式下，閃存在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x8000至0xFFFF.

圖3. 執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)時(shí)的存儲(chǔ)器映射

閃存和SRAM中的存儲(chǔ)器分配

IAR嵌入式工作臺(tái)IDE用于編程基于MAXQ核的微控制器。IAR? C編譯器（用于MAXQ微控制器）提供用于定義閃存或SRAM位置中數(shù)據(jù)對(duì)象或變量的選項(xiàng)。編譯器具有特殊關(guān)鍵詞pragma location和pragma required;通過使用關(guān)鍵詞，可將存儲(chǔ)器分配給絕對(duì)地址的數(shù)據(jù)對(duì)象或變量。必須用IAR關(guān)鍵詞__no_init或const （標(biāo)準(zhǔn)C關(guān)鍵詞）聲明這些變量或數(shù)據(jù)對(duì)象。請(qǐng)參見下文中__no_init、const、pragma location和pragma required的關(guān)鍵詞說明。

關(guān)鍵詞說明

pragma location

#pragma location用于定義絕對(duì)地址的單個(gè)全局或靜態(tài)變量或數(shù)據(jù)對(duì)象。變量或數(shù)據(jù)對(duì)象必須聲明為__no_init或const.這對(duì)于必須位于固定地址的個(gè)體數(shù)據(jù)對(duì)象非常有用，例如變量、帶有外部或內(nèi)部接口的數(shù)據(jù)對(duì)象或增加的硬件表項(xiàng)。

pragma required

#pragma required確保鏈接輸出中包括某個(gè)符號(hào)所需的另一個(gè)符號(hào)。該指令必須放在緊鄰第二個(gè)符號(hào)的前邊。如果符號(hào)在應(yīng)用中不可見，使用該指令。例如，如果僅通過某個(gè)變量所在的段對(duì)其進(jìn)行間接引用，必須使用#pragma required.

__no_init

正常情況下，應(yīng)用程序啟動(dòng)時(shí)，IAR運(yùn)行時(shí)環(huán)境將全部全局和靜態(tài)變量初始化為0.IAR C編譯器支持聲明不初始化的變量，使用__no_init類型限定符。聲明為__no_init的變量在啟動(dòng)時(shí)被禁止。不可能為__no_init對(duì)象賦予初始值。

例如：__no_init char MaximChar @ 0x0200;

本例中，聲明為__no_init的變量被放在默認(rèn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（SRAM）的一個(gè)絕對(duì)地址。

const

const關(guān)鍵詞意味著對(duì)象為只讀。這類限定符用于表示直接或通過指針存取的數(shù)據(jù)對(duì)象，不可寫。當(dāng)const隨關(guān)鍵詞#pragma location和#pragma required一起使用時(shí)，IAR分配#pragma location定義的位置的存儲(chǔ)器。這對(duì)于配置從外部接口進(jìn)行存取的參數(shù)非常有用。這樣的閃存數(shù)據(jù)只能由固定用途ROM函數(shù)讀或?qū)憽?/p>

IAR默認(rèn)存儲(chǔ)器模型中，不可存取絕對(duì)地址的常量。利用選項(xiàng)Place constants in CODE （在IAR Project Option General Option Target window）使其可存取，如圖4所示。

圖4. IAR項(xiàng)目選項(xiàng)窗口

例1

const int FLASH_DATA0;

//FLASH_DATA0 is initialized to 0x0000 and linker will allocate memory address.

例2

#pragma location = 0xA000

const int FLASH_DATA1 = 0x1234;

#pragma required = FLASH_DATA1

本例中，存儲(chǔ)器分配為閃存地址0xA000,初始化為0x1234.

例3

#pragma location = 0xA002

__no_init const int FLASH_DATA2 //Memory is allocated at the address 0xA002 （byte address）

#pragma required = FLASH_DATA2

本例中，存儲(chǔ)器分配為閃存地址0xA002,不初始化。

上例中，有三個(gè)聲明為常量的對(duì)象，第一個(gè)初始化為0,第二個(gè)初始化為規(guī)定值，第三個(gè)不初始化。全部三個(gè)變量均在閃存中。

關(guān)鍵詞舉例

例1

下例中，F(xiàn)LASH_CONFIG為FlashMemoryMap結(jié)構(gòu)變量。利用關(guān)鍵詞#pragma location和#pragma required顯式定義該結(jié)構(gòu)變量的開始地址為"CONFIG_FLASH" （0xEE00）。

//Structure for Memory Map

typedef struct

{

unsigned char SYSTEM_CONFIG; //Address 0x00

unsigned char TEMP_CONFIG; //Address 0x01

unsigned char SLAVE_ADDR_A0; //Address 0x02

unsigned char NULL_A0_3; //Address 0x03

signed int INTERNAL_TEMP_THRES; //Address 0x04-5

signed int EXTERNAL_TEMP_THRES; //Address 0x06-7

signed int DS75_TEMP_THRES; //Address 0x08-9

}FlashMemoryMap;

#define CONFIG_FLASH = 0xEE00 //Flash Address

#pragma location = CONFIG_FLASH

const FlashMemoryMap FLASH_CONFIG = //Initialize data objects variable

{

0x00, // SYSTEM_CONFIG

0xFE, // TEMP_CONFIG

0xA0, // SLAVE_ADDR_A0

0x00, // NULL_A0_3

0x3200, // INTERNAL_TEMP_THRES

0x4200, // EXTERNAL_TEMP_THRES

0x5200 // DS75_TEMP_THRES

};

#pragma required = FLASH_CONFIG

為了在IAR嵌入式工作臺(tái)IDE中查看存儲(chǔ)器分配和初始化，進(jìn)入View Memory.在顯示的編輯框中，在Go to框中鍵入0xEE00,然后從下拉框中選擇Code,如圖5所示。

圖5. 存儲(chǔ)器分配

例2

下例中，在地址0x0116創(chuàng)建DATA SRAMMemoryMap結(jié)構(gòu)變量（DATA_MONITOR），該變量將被初始化（使用__no_init類型限定符）。

typedef struct

{

//Read Only

signed int INTERNAL_TEMP; //Address = OFFSET + 0x00-1

signed int EXTERNAL_TEMP; //Address = OFFSET + 0x02-3

signed int DS75_TEMP; //Address = OFFSET + 0x04-5

signed int VOLTAGE0; //Address = OFFSET + 0x06-7

signed int VOLTAGE1; //Address = OFFSET + 0x08-9

}SRAMMemoryMap;

#define CONFIG_SRAM 0x0116 //SRAM Address 0x0116

#pragma location = CONFIG_SRAM

__no_init SRAMMemoryMap DATA_MONITOR;

#pragma required = DATA_MONITOR

在IAR中調(diào)試時(shí)，為了查看該結(jié)構(gòu)變量的內(nèi)容，選擇變量，點(diǎn)擊右鍵，然后選擇Add to Watch選項(xiàng)，參見圖6.

圖6. IAR查看窗口

在Intel? HEX文件中查看分配的存儲(chǔ)器

可在IAR嵌入式工作臺(tái)生成的Intel HEX文件中查看在代碼存儲(chǔ)器中為數(shù)據(jù)對(duì)象分配的存儲(chǔ)器。請(qǐng)參見圖7中的高亮部分。本例中，為數(shù)據(jù)對(duì)象分配的存儲(chǔ)器為閃存中0xEE00至0xEE15.

圖7. 釋放模式下IAR生成的HEX文件