2025 年半導(dǎo)體市場在AI需求爆發(fā)與全產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)蘇的雙重推動下，呈現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長態(tài)勢。以EDA/IP先進(jìn)方法學(xué)、先進(jìn)工藝、算力芯片、端側(cè)AI、精準(zhǔn)控制、高端模擬、高速互聯(lián)、新型存儲、先進(jìn)封裝等為代表的技術(shù)創(chuàng)新，和以AI數(shù)據(jù)中心、具身智能、新能源汽車、工業(yè)智能、衛(wèi)星通信、AI眼鏡等為代表的新興應(yīng)用，開啟新一輪的技術(shù)和應(yīng)用革命。過去的一年，半導(dǎo)體助力夯實(shí)數(shù)字經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展的全新底座，新的一年，半導(dǎo)體行業(yè)又將如何推動端云協(xié)同、普惠智能的普及之路呢。

最近，由電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃的“2026半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望”專題正式發(fā)布。電子發(fā)燒友網(wǎng)已經(jīng)連續(xù)數(shù)年策劃并推出“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望”系列專題，每次一經(jīng)上線都反響熱烈、好評如潮。這里匯聚了半導(dǎo)體高管們對往年發(fā)展的回顧與總結(jié)，以及對新年市場機(jī)會和形勢的前瞻預(yù)測。他們的睿智和洞察給了產(chǎn)業(yè)界莫大的參考和啟發(fā)。今年來自國內(nèi)外的半導(dǎo)體創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管們又帶來哪些前瞻觀點(diǎn)？此次，電子發(fā)燒友網(wǎng)特別采訪了安森美中國區(qū)銷售副總裁 Roy Chia，以下是他對2026年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的分析與展望。

2025年半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展形勢與安森美成績

Roy Chia表示，全球半導(dǎo)體市場銷售的強(qiáng)勢增長主要得益于AI浪潮的推動。目前，云端服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心等支持AI大模型的底層基礎(chǔ)建設(shè)，仍是AI半導(dǎo)體需求的主要驅(qū)動力。盡管整體市場向好，但行業(yè)環(huán)境復(fù)雜且充滿不確定性，全球半導(dǎo)體市場依然面臨諸多挑戰(zhàn)，需以審慎警醒的態(tài)度對待。

在這樣復(fù)雜且不確定的2025年行業(yè)環(huán)境中，安森美彰顯出了強(qiáng)勁的業(yè)務(wù)韌性。公司聚焦AI數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等戰(zhàn)略性高增長領(lǐng)域，成功實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵業(yè)務(wù)突破，為企業(yè)長期增長奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

在汽車電子領(lǐng)域，安森美通過靈活的產(chǎn)品組合，快速響應(yīng)高壓平臺市場需求，強(qiáng)化了EliteSiC M3e MOSFET與VE - Trac模塊的市場領(lǐng)先優(yōu)勢。同時，針對多元化應(yīng)用場景，優(yōu)化IGBT與SiC混合方案配比，確保持續(xù)提供高效解決方案。此外，公司創(chuàng)新推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體技術(shù)，為功率密度、能效和耐用性樹立了新標(biāo)桿，為實(shí)現(xiàn)“更小體積、更高功率”提供了可能。

安森美還持續(xù)投資于差異化智能電源與智能感知技術(shù)，這些技術(shù)正定義下一代智能、高能效系統(tǒng)，并賦能AI數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、機(jī)器人等關(guān)鍵應(yīng)用場景。公司的PowerTrench? T10 MOSFET與EliteSiC 650V MOSFET組合方案，成為AI數(shù)據(jù)中心功率半導(dǎo)體的理想選擇。

在產(chǎn)能方面，作為全球少數(shù)幾家具備從晶體生長、晶圓制造到成品封裝垂直整合能力的SiC供應(yīng)商之一，安森美通過端到端的供應(yīng)鏈掌控，保障了產(chǎn)品性能、質(zhì)量和交付可靠性。過去一年，公司還與國內(nèi)外多家戰(zhàn)略客戶深化合作，進(jìn)一步鞏固了在車規(guī)級功率半導(dǎo)體和智能感知領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

AI浪潮推動半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新與安森美進(jìn)展

Roy Chia指出，當(dāng)前AI正從云端向邊緣和終端設(shè)備全面延伸，這種“AI + 全場景”融合趨勢正在深刻重塑半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展路徑。一方面，AI數(shù)據(jù)中心對能效、功率密度和熱管理提出了前所未有的嚴(yán)苛要求；另一方面，端側(cè)AI應(yīng)用迫切需要低功耗、高集成度與強(qiáng)環(huán)境適應(yīng)性的智能感知與電源解決方案。

2025年，安森美在AI領(lǐng)域持續(xù)推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)品布局。在AI數(shù)據(jù)中心電源解決方案方面，公司通過持續(xù)迭代SiC技術(shù)平臺深化EliteSiC系列研發(fā)，重點(diǎn)優(yōu)化器件電容與柵極驅(qū)動兼容性以適配高功率架構(gòu)需求。同時，升級硅基PowerTrench T10系列器件，提升其在DC - DC轉(zhuǎn)換中的大電流承載能力及熱穩(wěn)定性，滿足AI服務(wù)器多相供電場景。PowerTrench? T10 MOSFET與EliteSiC 650V MOSFET的組合方案已實(shí)現(xiàn)超過97.5%的能效標(biāo)準(zhǔn)，符合Open Rack V3規(guī)范要求。此外，SiC JFET技術(shù)成功融入EliteSiC電源產(chǎn)品組合，顯著提升模塊效率，支撐AI數(shù)據(jù)中心對高功率密度的需求。

在功率器件技術(shù)創(chuàng)新方面，安森美推出垂直氮化鎵(vGaN)技術(shù)，該創(chuàng)新方案通過優(yōu)化效率、功率密度和耐用性，為800V DC - DC轉(zhuǎn)換器等AI核心部件實(shí)現(xiàn)更高能效比的設(shè)計(jì)目標(biāo)提供關(guān)鍵支持。針對端側(cè)AI市場，公司通過Treo模擬混合信號平臺與RSL15超低功耗藍(lán)牙MCU的協(xié)同，構(gòu)建了智能電源與感知一體化解決方案，有效激活了邊緣設(shè)備對低功耗、高集成度應(yīng)用的市場需求。

2025-2026年新應(yīng)用領(lǐng)域拓展與布局規(guī)劃

Roy Chia介紹，在2025年，安森美聚焦AI數(shù)據(jù)中心、新能源汽車以及光儲充一體化等戰(zhàn)略性高增長領(lǐng)域，成功實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵業(yè)務(wù)突破，并堅(jiān)定聚焦智能電源與智能感知的戰(zhàn)略方向，為把握未來市場機(jī)遇奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

展望2026年，安森美認(rèn)為AI數(shù)據(jù)中心市場將在生成式人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等技術(shù)的強(qiáng)勁驅(qū)動下迎來顯著增長，但隨之而來的能耗問題將急劇凸顯，市場對高能效的功率轉(zhuǎn)換及電源管理解決方案的需求日益迫切。為此，安森美將持續(xù)投資于差異化智能電源與智能感知技術(shù)，這些技術(shù)將定義下一代智能、高能效系統(tǒng)，以高度差異化的創(chuàng)新產(chǎn)品組合賦能AI數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人等關(guān)鍵應(yīng)用場景，從而把握新興市場的增長機(jī)遇。

2026年半導(dǎo)體行業(yè)增長形勢、機(jī)遇挑戰(zhàn)與安森美預(yù)期

Roy Chia表示，展望2026年，安森美認(rèn)為全球半導(dǎo)體市場仍將面臨諸多挑戰(zhàn)，公司對此保持審慎樂觀的態(tài)度。行業(yè)真正的全面復(fù)蘇將源于邊緣AI的深度應(yīng)用，這有望成為驅(qū)動產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新動力。

在這一背景下，AI數(shù)據(jù)中心對高能效功率器件的需求持續(xù)上升，新能源汽車還將繼續(xù)推動功率半導(dǎo)體的市場需求；同時，端側(cè)AI的快速爆發(fā)也催生了對低功耗、高集成度及高度定制化芯片的強(qiáng)勁需求。

安森美面臨的挑戰(zhàn)主要來自競爭日趨激烈的市場，尤其在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域，客戶對功率器件在效率、功率密度和散熱性能等方面的要求不斷提高。安森美將繼續(xù)聚焦AI數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)等應(yīng)用場景，確保產(chǎn)品在供應(yīng)韌性、質(zhì)量和成本控制方面的競爭優(yōu)勢，并通過系統(tǒng)級創(chuàng)新和差異化產(chǎn)品組合，精準(zhǔn)把握新興增長機(jī)會。此外，公司也將繼續(xù)與戰(zhàn)略客戶深化協(xié)同開發(fā)，以提供高度差異化、貼近應(yīng)用場景的解決方案，堅(jiān)定推進(jìn)可持續(xù)增長。