隨著衛(wèi)星通信、先進(jìn)雷達(dá)及高頻測(cè)量設(shè)備向更高性能、更小體積持續(xù)演進(jìn)，其核心射頻電路對(duì)基礎(chǔ)元器件的性能要求日益嚴(yán)苛。

為滿足這一前沿需求，芯導(dǎo)科技（Prisemi）最新推出“超低結(jié)電容、高速開(kāi)關(guān)肖特基二極管系列產(chǎn)品”。該系列產(chǎn)品憑借卓越的高頻特性，已在多家客戶的關(guān)鍵電路的設(shè)計(jì)驗(yàn)證中表現(xiàn)出色，正成為工程師應(yīng)對(duì)高端射頻設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的有力新選擇。

典型應(yīng)用框圖

在C波段（4-8 GHz）和Ku波段（12-18 GHz）應(yīng)用中，二極管固有的結(jié)電容是制約電路帶寬、效率和線性度的關(guān)鍵因素。較高的寄生電容會(huì)導(dǎo)致信號(hào)損耗加劇、響應(yīng)速度受限，直接影響檢測(cè)精度與混頻效能。

芯導(dǎo)科技聚焦于此核心技術(shù)難點(diǎn)，通過(guò)創(chuàng)新的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與工藝優(yōu)化，成功開(kāi)發(fā)了具有“超低結(jié)電容（典型值小于1pF級(jí)）”的肖特基二極管。

該系列產(chǎn)品在實(shí)現(xiàn)極低電容(Cj)同時(shí)保持了優(yōu)異的正向壓降(Vf)、極高的峰值浪涌電流(IFSM)和極低的反向漏電流（Ir），實(shí)現(xiàn)了高速開(kāi)關(guān)性能與高功率耐受能力的平衡。

與國(guó)際先進(jìn)水平相比：

更低的電容

更低的漏電流（低兩個(gè)數(shù)量級(jí)）

更高的IFSM（近10倍于競(jìng)品）

更優(yōu)的Trr參數(shù)

實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)

芯導(dǎo)科技超低容值肖特基二極管產(chǎn)品系列

芯導(dǎo)科技不僅提供性能優(yōu)異的單體器件，更愿意與客戶深入合作，共同攻克系統(tǒng)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)：

提供樣品與技術(shù)支持：面向有需求的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)提供產(chǎn)品樣品及全面的應(yīng)用技術(shù)支持。

可靠性保障：產(chǎn)品經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試，確保在多種應(yīng)用環(huán)境中具備高可靠性與長(zhǎng)壽命。

企業(yè)介紹

芯導(dǎo)科技(Prisemi)專注于高品質(zhì)、高性能的模擬集成電路和功率器件的開(kāi)發(fā)及銷(xiāo)售，總部位于上海市張江科學(xué)城。

公司于2009年成立，至今已獲國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)、“上市公司金牛獎(jiǎng)”、“上市公司金質(zhì)量獎(jiǎng)”、“功率半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)”、“上海市規(guī)劃布局內(nèi)重點(diǎn)集成電路企業(yè)”、“高新技術(shù)企業(yè)”、“上海市科技小巨人企業(yè)”等榮譽(yù)資質(zhì)，并已擁有百余項(xiàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)。公司已在上海證券交易所科創(chuàng)板上市，股票簡(jiǎn)稱"芯導(dǎo)科技"，股票代碼為688230.SH。

芯導(dǎo)科技專注于功率IC（鋰電池充電管理 IC、OVP過(guò)壓保護(hù) IC、音頻功率放大器、GaN 驅(qū)動(dòng)與控制IC、DC/DC電源IC等）以及功率器件（ESD、EOS/TVS、MOSFET、GaN HEMT、SiC MOS、SiC SBD、IGBT等）的開(kāi)發(fā)及應(yīng)用。公司在深耕國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的同時(shí)，積極拓展海外市場(chǎng)，目前產(chǎn)品已遠(yuǎn)銷(xiāo)歐美日韓及東南亞等國(guó)家與地區(qū)，可應(yīng)用于移動(dòng)終端、網(wǎng)絡(luò)通信、安防工控、電源、儲(chǔ)能、汽車(chē)電子、光伏逆變器等領(lǐng)域。