探索TI SN65LVDT14-EP和SN65LVDT41-EP：LVDS技術(shù)在Memory Stick接口擴(kuò)展中的應(yīng)用

在當(dāng)今電子設(shè)備不斷發(fā)展的時代，數(shù)據(jù)傳輸?shù)木嚯x和速度成為了設(shè)計中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。對于Memory Stick接口而言，傳統(tǒng)的單端信號傳輸方式在長距離傳輸時存在一定的局限性。而德州儀器（TI）的SN65LVDT14-EP和SN65LVDT41-EP芯片組，憑借其LVDS（低電壓差分信號）技術(shù)，為Memory Stick接口的擴(kuò)展提供了有效的解決方案。

文件下載：sn65lvdt41-ep.pdf

芯片組概述

SN65LVDT14-EP和SN65LVDT41-EP是專門為基于LVDS的Memory Stick接口擴(kuò)展而設(shè)計的芯片組。其中，SN65LVDT14將一個LVDS線驅(qū)動器和四個終端LVDS線接收器集成在一個封裝中，適用于Memory Stick端；而SN65LVDT41則將四個LVDS線驅(qū)動器和一個終端LVDS線接收器集成在一起，用于主機(jī)端。

特性亮點

• 受控基線與DMS支持：具備受控基線，單一組裝/測試地點和單一制造地點，同時提供增強(qiáng)的DMS（減少制造源）支持，確保產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可維護(hù)性。
• 接口擴(kuò)展能力：支持Memory Stick接口擴(kuò)展，允許主機(jī)和Memory Stick之間實現(xiàn)長距離互連。同時，還能實現(xiàn)SPI（串行外圍接口）和MMC（多媒體卡）在SPI模式下的接口擴(kuò)展。
• 集成電阻與單電源供電：集成了110Ω標(biāo)稱接收器線路終端電阻，簡化了設(shè)計。并且可以由單一的3.3V電源供電，降低了電源設(shè)計的復(fù)雜度。
• 高數(shù)據(jù)速率與兼容性：數(shù)據(jù)速率大于125Mbps，采用直通式引腳布局。邏輯I/O與LVTTL兼容，總線引腳的ESD保護(hù)超過12kV，符合ANSI/TIA/EIA - 644A LVDS標(biāo)準(zhǔn)。

電氣特性分析

絕對最大額定值

推薦工作條件

為了確保芯片的正常工作和性能，需要在推薦工作條件下使用。雖然文檔中推薦工作條件部分表格信息不太清晰，但我們知道電源電壓等參數(shù)需要在合適的范圍內(nèi)。

接收器和驅(qū)動器電氣特性

接收器和驅(qū)動器的電氣特性是影響數(shù)據(jù)傳輸質(zhì)量的關(guān)鍵因素。以下是一些重要的參數(shù)：

• 接收器：正、負(fù)向差分輸入電壓閾值分別為±100mV，高、低電平輸出電壓分別為2.4V和0.4V，輸入電流和電源關(guān)閉時的輸入電流最大值為±40μA等。
• 驅(qū)動器：差分輸出電壓幅度典型值為340mV，穩(wěn)態(tài)共模輸出電壓在1.125 - 1.375V之間等。

開關(guān)特性

開關(guān)特性決定了信號的傳輸延遲和上升、下降時間等，對于高速數(shù)據(jù)傳輸非常重要。

• 接收器：傳播延遲時間（低到高和高到低）典型值為2.6ns，輸出信號上升和下降時間最大值為1.4ns等。
• 驅(qū)動器：傳播延遲時間（低到高和高到低）典型值分別為1.7ns和1.6ns，差分輸出信號上升和下降時間最大值為1.2ns等。

功能與應(yīng)用

功能表

通過功能表可以清晰地了解接收器和驅(qū)動器的輸入輸出關(guān)系。

• 接收器：當(dāng)差分輸入電壓VID ≥ 100mV時，輸出為高電平；當(dāng) - 100mV < VID < 100mV時，輸出不確定；當(dāng)VID ≤ - 100mV時，輸出為低電平；輸入開路時，輸出為高電平。
• 驅(qū)動器：輸入為高電平時，輸出Y為高電平，Z為低電平；輸入為低電平時，輸出Y為低電平，Z為高電平；輸入開路時，輸出Y為低電平，Z為高電平。

典型應(yīng)用：Memory Stick接口擴(kuò)展

Memory Stick接口采用主從架構(gòu)，有三個有效信號線：時鐘（SCLK）、總線狀態(tài)（BS）和串行數(shù)據(jù)輸入/輸出（SDIO）。傳統(tǒng)的單端信號傳輸方式限制了傳輸距離，而LVDS技術(shù)則能很好地解決這個問題。

• 信號傳輸方式：SCLK和BS信號采用單工鏈路，SDIO數(shù)據(jù)分為兩個單工流，通過主機(jī)處理器的方向（DIR）信號進(jìn)行控制。DIR信號也通過單工LVDS鏈路從主機(jī)傳輸?shù)組emory Stick。
• 信號方向切換：在單端接口中，SDIO信號流方向的切換由電子開關(guān)設(shè)備管理，如TI的SN74CBTLV1G125，該設(shè)備采用節(jié)省空間的SOT - 23或SC - 70封裝。

機(jī)械與封裝信息

封裝尺寸

兩款芯片均采用20引腳的TSSOP（PW）封裝，封裝尺寸與引腳數(shù)量有關(guān)，不同引腳數(shù)的最大高度A在2.90 - 9.80mm之間。

包裝信息

提供了可訂購的零件編號、狀態(tài)、材料類型、包裝數(shù)量、載體、RoHS合規(guī)性、引腳鍍層/球材料、MSL評級/峰值回流溫度、工作溫度和零件標(biāo)記等詳細(xì)信息，方便工程師進(jìn)行采購和使用。

總結(jié)與思考

TI的SN65LVDT14-EP和SN65LVDT41-EP芯片組為Memory Stick接口的長距離擴(kuò)展提供了一種可靠且高效的解決方案。其LVDS技術(shù)的應(yīng)用帶來了低輻射、高抗噪、低功耗和低成本互連電纜等優(yōu)勢。在實際設(shè)計過程中，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，綜合考慮芯片的電氣特性、機(jī)械封裝等因素。例如，在高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用中，需要重點關(guān)注開關(guān)特性，確保信號的準(zhǔn)確傳輸。同時，對于芯片的絕對最大額定值和推薦工作條件，必須嚴(yán)格遵守，以保證芯片的可靠性和穩(wěn)定性。大家在使用這兩款芯片時，有沒有遇到過什么特別的問題或者有獨特的設(shè)計思路呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。