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深入剖析SN65LVDS1、SN65LVDS2、SN65LVDT2:高速差分線驅(qū)動與接收器的理想之選

lhl545545 ? 2025-12-31 17:30 ? 次閱讀
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深入剖析SN65LVDS1、SN65LVDS2、SN65LVDT2:高速差分線驅(qū)動與接收器的理想之選

在電子設(shè)計領(lǐng)域,高速、低功耗且穩(wěn)定的信號傳輸一直是工程師們追求的目標。今天,我們將深入探討德州儀器TI)的SN65LVDS1、SN65LVDS2和SN65LVDT2這三款單通道、低電壓差分信號(LVDS)線驅(qū)動器和接收器,它們在眾多應用場景中展現(xiàn)出了卓越的性能。

文件下載:sn65lvdt2.pdf

產(chǎn)品概述

SN65LVDS1、SN65LVDS2和SN65LVDT2是采用小外形晶體管封裝的單通道、低電壓差分線驅(qū)動器和接收器。這些器件的輸出符合TIA/EIA - 644標準,在高達630Mbps的驅(qū)動速率和400Mbps的接收速率下,能為100Ω負載提供最小247mV的差分輸出電壓幅度。其典型的傳播延遲時間為驅(qū)動器1.7ns、接收器2.5ns,在200MHz時的功耗分別為驅(qū)動器25mW、接收器60mW。

產(chǎn)品特性與優(yōu)勢

高速率與寬電壓范圍

這些器件能夠滿足或超越ANSI TIA/EIA - 644標準,驅(qū)動信號速率高達630Mbps,接收信號速率高達400Mbps。它們可在2.4V至3.6V的電源電壓下工作,適用于多種電源環(huán)境。

低功耗與低電磁干擾

低電壓差分信號(LVDS)技術(shù)使得輸出電壓典型值為350mV(負載100Ω),有效降低了輻射能量和功耗。同時,差分輸出結(jié)構(gòu)對共模耦合信號具有很強的抗干擾能力。

高靜電放電(ESD)耐受性

總線終端ESD超過9kV,確保了器件在復雜電磁環(huán)境下的可靠性。

豐富的封裝選擇

提供SOT - 23和SOIC封裝,方便不同應用場景的布局設(shè)計。

產(chǎn)品詳細解析

SN65LVDS1:單通道LVDS線驅(qū)動器

SN65LVDS1以標稱3.3V(范圍2.4V - 3.6V)的單電源供電,輸入為LVTTL信號,輸出為符合LVDS標準的差分信號。其輸出信號在1.2V共模電壓下,標稱差分信號電平為340mV。該器件具有以下特點:

  • 電源管理:當電源電壓低于1.5V時,驅(qū)動器輸出呈高阻態(tài),確保系統(tǒng)安全。
  • 輸出電壓控制:通過感測電路和控制環(huán)路,將輸出共模電壓保持在1.2V(±75mV),并在2.6V - 3.6V電源范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
  • 5V輸入耐受:能夠處理高達5V的輸入信號,兼容多種邏輯標準。
  • ESD保護:輸入和輸出級均采用齊納二極管進行ESD保護,增強了器件的可靠性。

SN65LVDS2和SN65LVDT2:單通道LVDS線接收器

這兩款接收器同樣以標稱3.3V(范圍2.4V - 3.6V)的單電源供電,輸入為差分LVDS信號,輸出為LVTTL數(shù)字信號。它們的特點包括:

  • 開路故障保護:當輸入開路時,通過300kΩ電阻將信號線路拉至VCC,并通過與門檢測該狀態(tài),強制輸出高電平。
  • 電源管理:當電源電壓低于1.5V時,輸入和輸出引腳均呈高阻態(tài)。
  • 寬共模輸入范圍:輸入共模范圍取決于電源電壓,在0V至電源電壓減去0.8V之間,確保了在不同電源條件下的穩(wěn)定工作。

應用場景與設(shè)計要點

點對點通信

點對點通信是LVDS緩沖器最基本的應用場景,適用于數(shù)字數(shù)據(jù)的長距離或嘈雜環(huán)境傳輸。設(shè)計時需要注意以下參數(shù):

  • 電源電壓:驅(qū)動器和接收器的電源電壓范圍為2.4V - 3.6V,應根據(jù)實際需求選擇合適的電壓。
  • 輸入輸出電壓:驅(qū)動器輸入電壓范圍為0.8V - 5.0V,輸出為1.2V共模電壓、標稱350mV差分信號;接收器輸入差分電壓大于100mV時輸出高電平,小于 - 100mV時輸出低電平。
  • 互連介質(zhì):可選用雙絞線、同軸電纜、扁平帶狀電纜或PCB走線,特性阻抗應在100Ω - 120Ω之間,偏差不超過10%。
  • 終端電阻:終端電阻應與互連介質(zhì)的特性阻抗匹配,通常為100Ω,并盡量靠近接收器放置。

多點通信

多點通信拓撲中,一個驅(qū)動器和多個接收器共享總線。設(shè)計時除了考慮點對點通信的參數(shù)外,還需注意:

  • 互連設(shè)計:合理布局驅(qū)動器和接收器的位置,減少信號反射和串擾。
  • 終端電阻:僅在總線末端放置終端電阻,以吸收入射波。

布局與電源建議

布局指南

  • 傳輸線選擇:優(yōu)先選擇微帶線傳輸LVDS信號,以減少輻射和干擾。
  • 介質(zhì)選擇:對于上升或下降時間小于500ps的信號,建議使用介電常數(shù)接近3.4的材料,如Rogers? 4350或Nelco N4000 - 13。
  • 堆疊布局:采用至少兩層獨立信號層的堆疊布局,減少TTL/CMOS與LVDS信號的串擾。
  • 布線規(guī)則:差分對應緊密耦合,保持相同的電氣長度;相鄰單端或差分走線應遵循3 - W規(guī)則,避免90°轉(zhuǎn)彎。
  • 串擾和地彈最小化:提供靠近信號源的高頻電流返回路徑,使用連續(xù)的接地平面。
  • 去耦設(shè)計:每個電源和接地引腳應通過低電感路徑連接到PCB,使用不同電容值的陣列進行去耦。

電源建議

驅(qū)動器和接收器均采用單電源供電,電壓范圍為2.4V - 3.6V。在實際應用中,驅(qū)動器和接收器可能位于不同的電路板或設(shè)備上,應使用獨立的電源,并確保電源之間的接地電位差小于±1V。同時,應使用板級和局部設(shè)備級的旁路電容,以減少電源噪聲。

總結(jié)

SN65LVDS1、SN65LVDS2和SN65LVDT2憑借其高速率、低功耗、高抗干擾性和豐富的特性,成為了高速差分信號傳輸?shù)睦硐脒x擇。在設(shè)計過程中,工程師們應根據(jù)具體應用場景,合理選擇器件參數(shù)和布局方式,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。你在使用這些器件時遇到過哪些問題?又是如何解決的呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。

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