探索SN65LVDS18/19和SN65LVP18/19：高性能振蕩器增益級/緩沖器的奧秘

在電子設(shè)計領(lǐng)域，高性能的振蕩器增益級和緩沖器是實現(xiàn)高速信號處理和傳輸?shù)年P(guān)鍵組件。今天，我們就來深入探討德州儀器（TI）的SN65LVDS18、SN65LVP18、SN65LVDS19和SN65LVP19這四款器件，看看它們在高頻應(yīng)用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢。

文件下載：sn65lvds19.pdf

器件概述

這四款器件是高頻振蕩器增益級，適用于3.3 - V或2.5 - V系統(tǒng)，能夠在高增益輸出端支持LVPECL或LVDS信號。其中，SN65LVx18提供單端輸入（PECL電平），而SN65LVx19則支持全差分輸入。它們具有以下顯著特點：

• 小封裝：采用2 - mm x 2 - mm的小外形無引腳封裝（WSON），節(jié)省電路板空間。
• 高速性能：時鐘速率可達(dá)1 GHz，輸出轉(zhuǎn)換時間低至250 ps，典型固有相位抖動僅0.12 ps，傳播延遲時間小于630 ps。
• 低電壓操作：支持2.5 - V或3.3 - V電源供電，滿足不同系統(tǒng)的電壓需求。

應(yīng)用場景

這些器件在多個領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用，例如：

• PECL - 到 - LVDS轉(zhuǎn)換：在不同電平標(biāo)準(zhǔn)之間進(jìn)行信號轉(zhuǎn)換，確保信號的兼容性和穩(wěn)定性。
• 時鐘信號放大：增強時鐘信號的強度，提高信號質(zhì)量，減少信號失真。

功能特性詳解

增益控制與輸出特性

SN65LVx18提供增益控制（GC）功能，用戶可以通過將其開路（NC）、接地或連接到$V_{CC}$來控制$bar{Q}$輸出電壓在300 mV至860 mV之間變化（開路時默認(rèn)值為575 mV）。SN65LVx19的Q輸出默認(rèn)值同樣為575 mV。

參考電壓

兩款器件都提供一個典型值為$V{CC}$以下1.35 V的參考電壓（$V{BB}$），用于接收單端PECL輸入信號。當(dāng)不使用時，$V_{BB}$應(yīng)保持未連接或開路狀態(tài)。

內(nèi)置ESD保護(hù)

雖然這些器件內(nèi)置了有限的ESD保護(hù)，但在存儲或處理過程中，為防止MOS柵極受到靜電損壞，建議將引腳短接在一起或使用導(dǎo)電泡沫包裝。

可選配置

電氣特性與性能參數(shù)

絕對最大額定值

在使用這些器件時，需要注意其絕對最大額定值，超過這些值可能會導(dǎo)致器件永久性損壞。例如，電源電壓、輸入電壓、輸出電流等都有相應(yīng)的限制。

推薦工作條件

為了確保器件的正常工作和最佳性能，建議在推薦的工作條件下使用。包括電源電壓范圍（2.375 - 3.6 V）、輸入電壓范圍、輸出電流限制等。

電氣特性參數(shù)

在推薦工作條件下，這些器件的電氣特性參數(shù)表現(xiàn)出色。例如，電源電流、參考電壓、輸入電流、輸出電壓等都有明確的規(guī)格要求。

開關(guān)特性參數(shù)

開關(guān)特性參數(shù)對于高速信號處理至關(guān)重要。這些器件的傳播延遲時間、脈沖偏斜、上升/下降時間、抖動等參數(shù)都經(jīng)過精心設(shè)計，以滿足高速應(yīng)用的需求。

封裝與引腳信息

熱性能與機械數(shù)據(jù)

熱信息

這些器件的封裝采用了暴露的熱焊盤設(shè)計，可直接連接到外部散熱器或印刷電路板（PCB）上，以提高散熱性能。通過熱過孔，熱焊盤還可以連接到適當(dāng)?shù)你~平面，進(jìn)一步優(yōu)化集成電路（IC）的散熱效果。

機械數(shù)據(jù)

包括封裝的尺寸、公差、引腳配置等詳細(xì)信息，為電路板設(shè)計提供了準(zhǔn)確的參考。

總結(jié)與建議

SN65LVDS18、SN65LVP18、SN65LVDS19和SN65LVP19這四款器件以其高性能、小封裝和低電壓操作等特點，為電子工程師在高頻信號處理和傳輸領(lǐng)域提供了優(yōu)秀的解決方案。在設(shè)計過程中，我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求選擇合適的器件配置，并嚴(yán)格遵循推薦的工作條件和設(shè)計指南，以確保器件的可靠性和性能。同時，注意ESD保護(hù)和熱管理，避免因靜電和過熱對器件造成損壞。

你在使用這些器件的過程中遇到過哪些問題？或者你對它們的應(yīng)用有什么獨特的見解？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和想法！