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DRV7308:三相智能功率模塊的卓越之選

lhl545545 ? 2026-01-06 14:15 ? 次閱讀
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DRV7308:三相智能功率模塊的卓越之選

電子工程師的日常工作中,尋找一款性能卓越、功能豐富的功率模塊來驅(qū)動電機是一項關鍵任務。今天,我們就來深入了解一下德州儀器TI)推出的 DRV7308 三相智能功率模塊(IPM),看看它能為我們的設計帶來哪些驚喜。

文件下載:drv7308.pdf

一、產(chǎn)品概述

DRV7308 是一款專為驅(qū)動三相無刷直流(BLDC)/永磁同步(PMSM)電機而設計的智能功率模塊,適用于最高 450V 的直流母線。它集成了 205mΩ、650V 的增強型氮化鎵(GaN)FET,在實現(xiàn)高效驅(qū)動的同時,還具備多種先進的功能和保護特性。該模塊采用 QFN 12mm x 12mm 封裝,在 20kHz 開關頻率下,可使 3 相調(diào)制、磁場定向控制(FOC)驅(qū)動的 250W 電機驅(qū)動應用效率超過 99%,甚至無需散熱片,這無疑為我們的設計節(jié)省了空間和成本。

二、核心特性剖析

(一)高效性能

  1. 低損耗設計:DRV7308 具有極低的導通損耗和開關損耗。每個 GaN FET 的導通電阻 (R{DS(ON)}) 在 (T{A}=25^{circ} C) 時僅為 205mΩ,且零反向恢復、低輸出電容的特性大大降低了開關損耗。這不僅提高了能源利用效率,還減少了發(fā)熱,延長了設備的使用壽命。
  2. 高輸出電流能力:它能夠提供高達 5A 的峰值電流,滿足大多數(shù)電機驅(qū)動的需求。
  3. 低失真運行:超短的傳播延遲(< 135ns)和超低的自適應死區(qū)時間(<200ns),使得電機運行更加平穩(wěn),減少了失真,提高了控制精度。

(二)靈活控制

  1. 集成柵極驅(qū)動:具備相節(jié)點電壓的壓擺率控制功能,壓擺率選項從 5V/ns 到 40V/ns 可調(diào),可根據(jù)不同的應用需求進行靈活配置。
  2. 支持多種邏輯輸入:支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入,最高可達 20V,方便與各種微控制器MCU接口
  3. 電流檢測功能:集成了用于單分流電流檢測的放大器,可實現(xiàn)精確的電流監(jiān)測,支持 1 - 或 2 - 或 3 - 分流電流檢測方式。

(三)全面保護

  1. 欠壓鎖定:具備 GVDD 和自舉電源的欠壓鎖定功能,當電壓低于設定閾值時,自動關閉所有 GaN FET,保護設備安全。
  2. 過流保護:對低側(cè) GaN FET 進行過流保護,當電流超過設定值時,迅速切斷電路,防止設備損壞。
  3. 過溫保護:內(nèi)置溫度傳感器,實時監(jiān)測設備溫度,當溫度過高時,自動觸發(fā)保護機制。
  4. 自適應死區(qū)時間插入:避免了上下橋臂的直通電流,提高了系統(tǒng)的可靠性。
  5. 故障指示:通過 nFAULT 引腳指示故障狀態(tài),方便工程師及時發(fā)現(xiàn)和處理問題。

三、引腳配置與功能詳解

DRV7308 擁有眾多引腳,每個引腳都有其特定的功能。下面我們來重點介紹一些關鍵引腳:

  1. INHx 和 INLx 引腳:分別用于控制高側(cè)和低側(cè) GaN FET 的開關狀態(tài),通過 PWM 輸入信號實現(xiàn)對電機的精確控制。
  2. BRAKE 引腳:當該引腳為高電平時,所有低側(cè) GaN FET 導通,高側(cè) GaN FET 關閉,實現(xiàn)電機剎車功能。但在使用時需要注意,剎車操作可能會導致電機反電動勢產(chǎn)生大電流,因此要確保電流在 GaN FET 的安全工作范圍內(nèi)。
  3. EN 引腳驅(qū)動器使能引腳,低電平時設備進入關機模式,所有 GaN FET 關閉。一個 20μs 到 40μs 的低脈沖可用于復位故障條件。
  4. nFAULT 引腳:故障指示引腳,當出現(xiàn)故障時,該引腳被拉低,為開漏輸出,需要外接上拉電阻。

四、應用領域與典型應用電路

(一)應用領域

DRV7308 的應用范圍非常廣泛,包括冰箱、冰柜、家電和 HVAC 泵與風扇、洗碗機、小型家電、家用空調(diào)、抽油煙機以及無刷直流電機模塊等。

(二)典型應用電路

在典型的 3 相電機驅(qū)動應用中,需要合理選擇外部組件。例如,在 VM 和 GND 之間連接 X5R 或 X7R 電容,以提供穩(wěn)定的電源;在 BOOTx 和 OUTx 之間連接合適容量的電容,為自舉電路提供支持。具體的組件推薦值如下表所示:

COMPONENTS PIN1 PIN2 RECOMMENDED
C VM1 VM GND X5R or X7R, 0.1μF, VM - rated capacitor
C VM2 VM GND X5R or X7R, 0.1μF, VM - rated capacitor (optional)
C VM3 VM GND ≥ 10μF, VM - rated capacitor
C GVDD1 GVDD GND X5R or X7R, 0.1μF, GVDD - rated capacitor
C GVDD2 GVDD GND ≥ 10μF, GVDD - rated capacitor
C BOOTA BOOTA OUTA X5R or X7R, 1μF to 220μF, GVDD - rated capacitor
C BOOTB BOOTB OUTB X5R or X7R, 1μF to 220μF, GVDD - rated capacitor
C BOOTC BOOTC OUTC X5R or X7R, 1μF to 220μF, GVDD - rated capacitor
R SR SR GND Reistor to determine slew rate setting
R nFAULT nFAULT 3.3V / 5.5V / GVDD 5.1kΩ, Pullup resistor
R ILM1 ILIMIT 3.3V / 5.5V / GVDD Based on required ILIMIT threshold
R ILM2 ILIMIT GND Based on required ILIMIT threshold
R VTEMP VTEMP system Optional. VTEMP output filter resistor. 100Ω, and application dependent.
C VTEMP VTEMP GND Optional. VTEMP output filter capacitor < 130pF.
R AMP_G2 AMPOUT AMPIN+ Amplifier Gain Resistor 2. Application dependent.
R AMP_G1 AMPIN+ V AMP_REF Amplifier Gain Reistor 1. Application dependent.
R S SLx (SP) GND(SN) Low - side Rshunt resistor to measure motor phase current (I LS_PHASE ). The expected current senset output voltage = R S x I LS_PHASE x R AMP_G2 /R AMP_G1 + V AMP_REF
V CC1 system GND System I/O reference voltage. 3.3V, 5V, or GVDD
V CC2 system GND System I/O reference voltage. 3.3V, 5V. VCC2 needs to be separated from VCC1 only if VCC1 is higher than 5V.
V AMP_bias R AMP_G2 system Optional. System Current Sense measurement bias voltage

五、布局設計要點

PCB 布局設計時,需要遵循一些原則以確保 DRV7308 的性能和穩(wěn)定性。

  1. 電容布局:大容量電容應盡量靠近電機驅(qū)動設備,以縮短高電流路徑,減少電感。小容量電容如 GVDD 去耦電容、VM 引腳的高頻電容和自舉電容應靠近設備引腳。
  2. 分流電阻布局:將分流電阻靠近設備的 SLx 引腳放置,并使用銅多邊形連接,以減小功率環(huán)路面積。
  3. 散熱設計:為了提高散熱性能,應最大化 OUTx 和 GND 網(wǎng)絡的銅平面面積,并使用多個過孔連接頂層和底層的銅平面。

六、總結(jié)

DRV7308 三相智能功率模塊憑借其高效的性能、靈活的控制方式和全面的保護特性,為電機驅(qū)動設計提供了一個優(yōu)秀的解決方案。無論是在提高能源效率、減少設備尺寸還是增強系統(tǒng)可靠性方面,它都具有顯著的優(yōu)勢。希望通過本文的介紹,能幫助各位工程師更好地了解和應用 DRV7308,在實際設計中取得更好的效果。大家在使用 DRV7308 的過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

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