chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

探索FM25CL64B 64 - Kbit F - RAM:高性能存儲(chǔ)新選擇

璟琰乀 ? 2026-01-16 16:20 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

探索FM25CL64B 64 - Kbit F - RAM:高性能存儲(chǔ)新選擇

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,尋找高性能、可靠且耐用的存儲(chǔ)解決方案一直是工程師們的重要任務(wù)。今天,我們將深入探討Cypress(現(xiàn)屬英飛凌)的FM25CL64B 64 - Kbit(8K × 8)串行(SPI)F - RAM,看看它如何在眾多存儲(chǔ)產(chǎn)品中脫穎而出。

文件下載:FM25CL64B-GTR.pdf

產(chǎn)品概述

FM25CL64B是一款采用先進(jìn)鐵電工藝的64 - Kbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F - RAM)不僅具有非易失性,而且讀寫操作類似于RAM。它具備100萬億((10^{14}))次的高讀寫耐久性、151年的數(shù)據(jù)保留能力,并且支持NoDelay?寫入,無需等待寫入延遲,數(shù)據(jù)可立即寫入。

核心特性剖析

存儲(chǔ)性能卓越

  • 高讀寫耐久性:高達(dá)100萬億次的讀寫次數(shù),相比傳統(tǒng)的EEPROM,其耐久性提升了數(shù)億倍。這使得它在需要頻繁讀寫的應(yīng)用場景中表現(xiàn)出色,例如數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),能夠長期穩(wěn)定地工作,減少因讀寫次數(shù)限制導(dǎo)致的故障風(fēng)險(xiǎn)。
  • 快速寫入無延遲:采用NoDelay?寫入技術(shù),數(shù)據(jù)寫入速度快,無需等待寫入延遲。與串行閃存和EEPROM不同,它可以在總線速度下進(jìn)行寫入操作,新的總線事務(wù)可以立即開始,無需輪詢設(shè)備的就緒狀態(tài)。
  • 長久數(shù)據(jù)保留:在特定條件下,數(shù)據(jù)可保留151年,確保了數(shù)據(jù)的長期安全性和可靠性。

接口速度與兼容性

  • 高速SPI接口:支持高達(dá)20 MHz的頻率,能夠?qū)崿F(xiàn)快速的數(shù)據(jù)傳輸。它可以直接替代串行閃存和EEPROM,并且支持SPI模式0(0, 0)和模式3(1, 1),方便與各種微控制器進(jìn)行接口。
  • 硬件替換便捷:可以直接作為串行閃存和EEPROM的硬件替代品,無需對(duì)現(xiàn)有設(shè)計(jì)進(jìn)行大規(guī)模修改,降低了開發(fā)成本和時(shí)間。

完善的保護(hù)機(jī)制

  • 硬件保護(hù):通過Write Protect(WP)引腳實(shí)現(xiàn)硬件級(jí)別的寫保護(hù),防止意外寫入操作。
  • 軟件保護(hù):支持Write Disable指令進(jìn)行軟件寫保護(hù),同時(shí)還提供軟件塊保護(hù)功能,可以對(duì)1/4、1/2或整個(gè)存儲(chǔ)陣列進(jìn)行保護(hù)。

低功耗與寬溫度范圍

  • 低功耗設(shè)計(jì):在1 MHz時(shí),工作電流僅為200 μA,待機(jī)電流典型值為3 μA,有助于降低系統(tǒng)功耗,延長電池壽命。
  • 寬溫度范圍:支持工業(yè)溫度范圍(–40 °C至 +85 °C),適用于各種惡劣的工業(yè)環(huán)境。

多樣化封裝形式

提供8 - 引腳小外形集成電路(SOIC)封裝和8 - 引腳薄型雙側(cè)扁平無引腳(DFN)封裝,滿足不同的應(yīng)用需求和PCB布局要求。

環(huán)保合規(guī)

符合RoHS(限制有害物質(zhì))標(biāo)準(zhǔn),確保產(chǎn)品的環(huán)保性。

功能描述與工作原理

邏輯框圖與內(nèi)部結(jié)構(gòu)

FM25CL64B的邏輯框圖展示了其內(nèi)部的主要組成部分,包括指令解碼器、時(shí)鐘發(fā)生器、控制邏輯、8K × 8 F - RAM陣列等。這些組件協(xié)同工作,實(shí)現(xiàn)了對(duì)存儲(chǔ)陣列的高效讀寫操作。

引腳定義與功能

引腳名稱 I/O類型 描述
CS 輸入 芯片選擇,低電平有效,激活設(shè)備
SCK 輸入 串行時(shí)鐘,用于同步數(shù)據(jù)傳輸
SI 輸入 串行輸入,用于接收數(shù)據(jù)
SO 輸出 串行輸出,用于發(fā)送數(shù)據(jù)
WP 輸入 寫保護(hù)引腳,用于硬件寫保護(hù)
HOLD 輸入 暫停引腳,可暫停當(dāng)前操作
VSS 電源 接地引腳
VDD 電源 電源輸入引腳
EXPOSED PAD 無連接 8 - 引腳DFN封裝底部的暴露焊盤,不連接到芯片

功能概述與操作模式

FM25CL64B的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM,但在寫性能、耐久性和功耗方面具有明顯優(yōu)勢。它通過SPI總線進(jìn)行訪問,支持多種操作模式,包括寫使能、寫禁止、讀取狀態(tài)寄存器、寫入狀態(tài)寄存器、讀取數(shù)據(jù)和寫入數(shù)據(jù)等。

內(nèi)存操作與讀寫流程

  • 寫操作:寫操作前需要先發(fā)送WREN命令設(shè)置寫使能鎖存器,然后發(fā)送WRITE命令和地址,接著依次寫入數(shù)據(jù)。地址會(huì)自動(dòng)遞增,直到達(dá)到存儲(chǔ)陣列的末尾或遇到寫保護(hù)塊。
  • 讀操作:發(fā)送READ命令和地址后,設(shè)備會(huì)依次輸出存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

HOLD引腳操作

HOLD引腳可以在不中斷操作的情況下暫停串行操作。當(dāng)HOLD引腳被拉低(在SCK為低電平時(shí)),當(dāng)前操作會(huì)暫停;當(dāng)HOLD引腳被拉高(在SCK為低電平時(shí)),操作會(huì)繼續(xù)。

電氣特性與性能參數(shù)

最大額定值與工作范圍

  • 最大額定值:包括存儲(chǔ)溫度范圍(–65 °C至 +125 °C)、電源電壓范圍(–1.0 V至 +5.0 V)等,超過這些額定值可能會(huì)縮短設(shè)備的使用壽命。
  • 工作范圍:適用于工業(yè)溫度范圍(–40 °C至 +85 °C),電源電壓范圍為2.7 V至3.65 V。

DC電氣特性

涵蓋電源電壓、工作電流、待機(jī)電流、輸入輸出漏電流等參數(shù),這些參數(shù)反映了設(shè)備在直流工作狀態(tài)下的性能。

數(shù)據(jù)保留與耐久性

在不同溫度條件下,數(shù)據(jù)保留時(shí)間有所不同,最高可達(dá)151年。同時(shí),設(shè)備具備100萬億次的讀寫耐久性,確保了長期穩(wěn)定的工作。

電容與熱阻

輸出引腳電容和輸入引腳電容等參數(shù)影響著信號(hào)的傳輸和耦合,而熱阻參數(shù)則與設(shè)備的散熱性能相關(guān)。

AC測試條件與開關(guān)特性

規(guī)定了輸入脈沖電平、上升和下降時(shí)間、輸入輸出定時(shí)參考電平等測試條件,以及時(shí)鐘頻率、時(shí)鐘高/低時(shí)間、芯片選擇建立/保持時(shí)間等交流開關(guān)特性參數(shù)。

電源周期時(shí)序

包括電源上電到首次訪問的時(shí)間、最后訪問到電源下電的時(shí)間、電源上電/下電斜坡速率等參數(shù),確保設(shè)備在電源變化時(shí)的穩(wěn)定工作。

封裝與訂購信息

封裝圖

提供了8 - 引腳SOIC和8 - 引腳DFN封裝的詳細(xì)尺寸圖,方便工程師進(jìn)行PCB設(shè)計(jì)。

訂購信息

列出了不同的訂購代碼及其對(duì)應(yīng)的封裝形式和工作范圍,工程師可以根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇。

應(yīng)用場景與總結(jié)

應(yīng)用場景

FM25CL64B適用于各種需要頻繁讀寫、數(shù)據(jù)保留時(shí)間長且對(duì)功耗有要求的應(yīng)用場景,例如工業(yè)控制、數(shù)據(jù)采集、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。

總結(jié)

FM25CL64B作為一款高性能的F - RAM產(chǎn)品,憑借其卓越的讀寫耐久性、快速寫入速度、低功耗、寬溫度范圍和完善的保護(hù)機(jī)制等優(yōu)勢,為電子工程師提供了一個(gè)可靠的存儲(chǔ)解決方案。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,工程師可以根據(jù)具體需求,充分發(fā)揮其特性,提高系統(tǒng)的性能和可靠性。

你在設(shè)計(jì)過程中是否遇到過存儲(chǔ)設(shè)備讀寫耐久性不足或?qū)懭胨俣嚷膯栴}?你認(rèn)為FM25CL64B是否能解決這些問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的看法和經(jīng)驗(yàn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    使用SPI接口讀寫鐵電存儲(chǔ)FM25CL64B失敗的原因是什么?如何處理?

    使用鐵電存儲(chǔ)FM25CL64B,通過SPI接口讀寫數(shù)據(jù),memset(send_buff,0x00,sizeof(send_buff));memset(recv_buff,0x00,sizeof
    發(fā)表于 06-07 09:18

    FM25CL64 pdf datasheet (64Kb F

    The FM25CL64 is a 64-kilobit nonvolatile memoryemploying an advanced ferroelectric process.
    發(fā)表于 09-23 11:24 ?19次下載

    鐵電存儲(chǔ)FM25CL64在DSP系統(tǒng)中的應(yīng)用

    介紹了一種新型鐵電存儲(chǔ)FM25CL64,同時(shí)還分析了TMS320VC5402D SP的SPI引導(dǎo)裝載模式,給出了一種基于鐵電存儲(chǔ)FM25CL64的DSP脫機(jī)獨(dú)立運(yùn)行系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案,
    發(fā)表于 09-21 17:04 ?75次下載
    鐵電<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>器<b class='flag-5'>FM25CL64</b>在DSP系統(tǒng)中的應(yīng)用

    fm25c160b,16Kbit的非易失性存儲(chǔ)器的使用

    The FM25C160B is a 16-Kbit nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. A
    發(fā)表于 09-11 14:09 ?3次下載
    <b class='flag-5'>fm25c160b</b>,16<b class='flag-5'>Kbit</b>的非易失性<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>器的使用

    64 kbit串行(SPI)汽車F-RAM,FM25CL64B

    The FM25CL64B is a 64-Kbit nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. A
    發(fā)表于 09-12 15:26 ?8次下載
    <b class='flag-5'>64</b> <b class='flag-5'>kbit</b>串行(SPI)汽車<b class='flag-5'>F-RAM</b>,<b class='flag-5'>FM25CL64B</b>

    m25cl64b 64 kbit/s(8K×8)串行(SPI)汽車F-RAM

    The FM25CL64B is a 64-Kbit nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. A
    發(fā)表于 09-12 15:35 ?18次下載
    m<b class='flag-5'>25cl64b</b> <b class='flag-5'>64</b> <b class='flag-5'>kbit</b>/s(8K×8)串行(SPI)汽車<b class='flag-5'>F-RAM</b>

    FM25CL64B-GTR是一款串行FRAM存儲(chǔ)

    FM25CL64B-GTR與具有相同引腳排列的串行閃存或EEPROM之間的主要區(qū)別在于FRAM的優(yōu)越寫入性能,高耐用性和低功耗。 FM25CL64B-GTR是采用高級(jí)鐵電工藝的64K
    發(fā)表于 06-08 16:35 ?2397次閱讀

    FM24CL04B:4-Kbit串行F-RAM的卓越性能與應(yīng)用解析

    FM24CL04B:4-Kbit串行F-RAM的卓越性能與應(yīng)用解析 在電子工程領(lǐng)域,非易失性存儲(chǔ)器的選擇
    的頭像 發(fā)表于 12-10 17:15 ?2090次閱讀
    <b class='flag-5'>FM24CL04B</b>:4-<b class='flag-5'>Kbit</b>串行<b class='flag-5'>F-RAM</b>的卓越<b class='flag-5'>性能</b>與應(yīng)用解析

    探索FM25L16B高性能16-Kbit串行F-RAM的魅力

    探索FM25L16B高性能16-Kbit串行F-RAM的魅力 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,尋找一款高性能、
    的頭像 發(fā)表于 12-23 15:55 ?196次閱讀

    FM25L04B高性能4-Kbit串行F-RAM的卓越之選

    FM25L04B高性能4-Kbit串行F-RAM的卓越之選 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,非易失性存儲(chǔ)器的選擇
    的頭像 發(fā)表于 12-31 16:05 ?169次閱讀

    探索FM24V05:高性能I2C F - RAM的卓越之選

    探索FM24V05:高性能I2C F - RAM的卓越之選 在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中,存儲(chǔ)器的
    的頭像 發(fā)表于 12-31 16:40 ?803次閱讀

    電子工程師必備:探秘FM25L16B 16 - Kbit串行F - RAM

    電子工程師必備:探秘FM25L16B 16-Kbit串行F-RAM 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇一款合適的非易失性存儲(chǔ)器至關(guān)重要。今天
    的頭像 發(fā)表于 01-05 16:25 ?130次閱讀

    FM25640B 64 - Kbit 串行 F - RAM高性能非易失性存儲(chǔ)器的理想之選

    FM25640B 64 - Kbit 串行 F - RAM高性能非易失性
    的頭像 發(fā)表于 01-15 17:20 ?387次閱讀

    探索FM25V02A 256-Kbit F-RAM高性能非易失性存儲(chǔ)解決方案

    探索FM25V02A 256-Kbit F-RAM高性能非易失性存儲(chǔ)解決方案 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,
    的頭像 發(fā)表于 01-18 16:15 ?919次閱讀

    探索FM24V01A 128-Kbit F-RAM高性能非易失性存儲(chǔ)選擇

    探索FM24V01A 128-Kbit F-RAM高性能非易失性存儲(chǔ)
    的頭像 發(fā)表于 01-19 16:50 ?283次閱讀