FRAM_READ_INST0x03 //讀存儲器數(shù)據(jù)
#define FRAM_WRITE_INST0x02//寫存儲器數(shù)據(jù)
#define FRAM_STATUS_REG0x0 //
#define
2024-03-20 08:08:05
進入ST25DV64KC-DISCO的energyharvesting的選項來查看充電功率，然后用閱讀器ST25R3911B-DISCO靠近ST25DV64KC-DISCO（dynamictag），顯示
2024-03-19 08:01:09
SI522 是應(yīng)用于13.56MHz 非接觸式通信中高集成度讀寫卡系列芯片中的一員。是NXP 公司針對\"三表\"應(yīng)用推出的一款低 電壓、低成本、體積小的非接觸式讀寫卡芯片
2024-02-29 15:56:58
1) 允許一個物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
當我發(fā)送讀取請求或 RDID 請求時，我沒有收到從 FRAM 芯片返回的數(shù)據(jù)。
我不確定自己做錯了什么。
我已經(jīng)將我的波形 HOLD_N、CS_N、FRAM 中的串行數(shù)據(jù)、串行數(shù)據(jù)附加到 FRAM、CLK、WP_N 中。
2024-01-25 07:07:12
鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51
517 
ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲元素。
2024-01-09 14:24:03212 
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 mW。取消選擇該器件時，CMOS待機電流小于200 A。 型號AT28C256-25FM/883功能描述電可擦除可編程只讀存儲器 256K 11MIL
2023-12-08 15:05:01
PY25Q64HA是一種串行接口閃存設(shè)備，設(shè)計用于各種大容量的基于消費者的應(yīng)用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進行執(zhí)行。該設(shè)備靈活的擦除架構(gòu)，其頁面擦除粒度也是數(shù)據(jù)存儲的理想選擇，消除了對額外數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的需要。
2023-11-29 16:45:57395 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了??？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
對于做快速存儲采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM) 就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-10-19 09:28:15
內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
自舉程序存儲在 STM32 器件的內(nèi)部自舉 ROM 存儲器（系統(tǒng)存儲器）中。在生產(chǎn)期間由 ST編程。其主要任務(wù)是通過一種可用的串行外設(shè)（USART、CAN、USB、I2C 等）將應(yīng)用程序下載到內(nèi)部
2023-09-28 07:15:06
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
對于做快速存儲采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM)就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-09-22 08:01:59496 
CW25Q64A(64M位)串行閃存為空間、引腳和電源有限的系統(tǒng)提供存儲解決方案。
25Q系列提供的靈活性和性能遠遠超過普通的串行閃存設(shè)備。
它們非常適合將代碼映射到RAM，直接從雙/四SPI
2023-09-15 08:11:20
1. 描述 引腳排列
CW24C256B/512B是262144/524288位的串行電可擦除只讀存儲器(EEPROM)，分別采用32768/65536 ×8位的組織結(jié)構(gòu)，廣泛應(yīng)用于低電壓和低功耗
2023-09-15 07:20:24
PB85RS128可替換MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（賽普拉斯）
2023-08-22 16:38:15
2 庫的慢-慢工藝點對塊進行合成，以200 MHz的目標速度確認時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
1Mbit EXCELON? F-RAM是業(yè)內(nèi)首款車規(guī)級串行F-RAM存儲器。 ? ? 這兩款新品已通過AEC-Q100 1級認證，支持更寬泛的溫
2023-08-09 14:32:40397 
進入ST25DV64KC-DISCO的energyharvesting的選項來查看充電功率，然后用閱讀器ST25R3911B-DISCO靠近ST25DV64KC-DISCO（dynamictag），顯示
2023-08-07 11:01:50
PrimeCell靜態(tài)存儲器控制器（SMC）是一款符合高級微控制器總線架構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備，由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
SMC是一個AMBA從模塊，連接到高級高性能
2023-08-02 12:21:46
SC054 ASB靜態(tài)存儲器控制器（SMC）是一款符合高級微控制器總線架構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)外圍設(shè)備，由ARM開發(fā)、測試和許可。SC054 ASB SMC是一個AMBA從模塊，連接到高級系統(tǒng)總線
2023-08-02 07:39:45
GPIO口模擬SPI讀寫W25Q64的基本內(nèi)容已經(jīng)跟大家介紹完了，今天跟大家介紹下如何通過串口接收文件并保存到W25Q64中。
2023-07-22 11:11:39727 
ADSP-21992進一步擴展了ADSP-2199x混合信號DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲器RAM和16K字數(shù)據(jù)存儲器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
DS3600為帶有64字節(jié)SRAM的安全監(jiān)控電路，適用于要求安全存儲密鑰的應(yīng)用，包括POS終端。64B的密鑰存儲器在后臺持續(xù)檢測氧化效應(yīng)和內(nèi)存抄印。一旦檢測到篡改行為，將迅速清除密鑰存儲器，并產(chǎn)生負
2023-07-14 15:38:23
iButton?溫度記錄器(DS1922L/T)是堅固耐用的自供電系統(tǒng)，能夠測量溫度并將測量結(jié)果記錄在受保護的存儲器內(nèi)。記錄溫度的頻率由用戶定義。總共可以保存8192個8位數(shù)據(jù)記錄或4096個16
2023-07-14 09:24:23
iButton?溫度/濕度記錄器(DS1923)是堅固耐用的自供電系統(tǒng)，能夠測量溫度與/或濕度，并將測量結(jié)果記錄在受保護的存儲器內(nèi)。記錄頻率由用戶定義?？偣部梢员４?192個8位讀數(shù)或4096個16
2023-07-14 09:18:41
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲器，分成8字節(jié)大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 17:01:58
帶存儲器的雙路可尋址開關(guān)DS2406提供了一種簡便的方法，通過1-Wire?總線遠程控制一對漏極開路晶體管和回讀每個晶體管的邏輯電平，從而實現(xiàn)閉環(huán)控制。每個DS2406都具有工廠刻度在片內(nèi)的64位
2023-07-13 16:16:25
DS24B33是一款4096位1-Wire? EEPROM，存儲器分為16頁，每頁256位。數(shù)據(jù)先寫入32字節(jié)暫存器，經(jīng)驗證后拷貝到EEPROM存儲器。DS24B33通過1-Wire總線通信，該通信
2023-07-13 11:39:12
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲器，分成8字節(jié)大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 11:31:16
BCR25FM-12LB 數(shù)據(jù)表
2023-07-07 18:37:020 鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時間等優(yōu)勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數(shù)為100萬次，比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382 鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
************************************************* *************************************
* 詳細說明：
* 這個例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲器中通過
2023-06-05 09:47:48
在單板設(shè)計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復雜的單板設(shè)計，都離不開存儲器設(shè)計：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
MAX17000A脈寬調(diào)制(PWM)控制器為筆記本電腦的DDR、DDR2、DDR3存儲器提供完整的電源方案。該器件集成了一路降壓控制器、一路可源出/吸入電流的LDO穩(wěn)壓器以及一路基準緩沖器，能夠產(chǎn)生
2023-05-17 09:48:45
SPI系列（FM25）容量覆蓋512Mb~4Gb，溫度覆蓋-40℃~+105℃。PPI系列為（FM29）容量覆蓋2Gb~8Gb，溫度覆蓋-40℃~+105℃。
2023-05-11 15:08:56477 單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
下一階段，復旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲器全系列產(chǎn)品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量，FM25N將補全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26378 
AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。 FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進NAND flash工藝，滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應(yīng)用于
2023-05-04 13:56:111160 
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲器，可直接從雙/四SPI接口執(zhí)行代碼，存儲語音、文本和數(shù)據(jù)，提供的靈活性和性能遠超普通串行閃速存儲器，非常適合于
2023-04-14 10:42:553817 
存儲設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
/寫存儲器，在斷電時無需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實時時鐘，低VDD復位，看門狗定時器，非易失性事件計數(shù)器，可鎖定的64位序列號區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
FM25CL64B-DG
2023-04-06 23:34:59
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂谩Ｕ堉笇覀儗崿F(xiàn)這一目標
2023-04-04 08:16:50
內(nèi)部引導模式。當我們嘗試通過串行下載程序?qū)θ劢z進行編程時，出現(xiàn)錯誤，提示未找到外部存儲器。我們?nèi)绾卧诓蛔x取 boot_cfc2[2:0] 并連接到外部存儲器的情況下對保險絲進行編程？
2023-04-03 07:03:34
存儲器按存儲介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
FM25Q64-SOB-T-G
2023-03-29 21:49:25
FRAM存儲器 I2C 3~5.5V 80μA SOP8_150MIL
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 128K（16 K×8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存儲器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 1M（128 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
EEPROM存儲器 64K I2C? 串行 SOIC8
2023-03-28 18:25:27
FRAM存儲器 16Kbit (2K× 8) SOIC8_150MIL VDD=2.7V~3.6V
2023-03-27 13:53:15
FRAM存儲器 SOIC8_150MIL 1MHz 64kb
2023-03-27 13:53:02
FRAM存儲器 2.7~3.65V 64KB 20MHz SOIC8_150MIL
2023-03-27 13:53:02
FRAM存儲器 SOIC8_150MIL 20MHz 64kb
2023-03-27 13:52:57
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:52:55
64 Kbit（8K×8）串行（I2C）F-RAM
2023-03-27 13:52:43
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:52:43
IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:48:59
FRAM存儲器 SOIC8_150MIL 40MHz 512KB
2023-03-27 13:45:05
FRAM（鐵電體 RAM） 存儲器 IC 1Mb I2C 3.4 MHz 130 ns 8-SOIC
2023-03-27 13:44:55
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8TDFN
2023-03-27 13:40:59
64 K（8 K×8）位I2C存儲器FRAM
2023-03-27 13:39:18
IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:39:03
FRAM存儲器 SOIC8_150MIL 1MHz 4 (512 x 8)KB VD=2.7V~3.65V
2023-03-27 13:26:46
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8TDFN
2023-03-27 13:17:07
FRAM存儲器 通信接口:SPI 2Mbit 3V 40MHz SOP8_208MIL
2023-03-27 12:02:02
3 v 256位 串行快閃存儲器 雙/四spi, qpi和DTR
2023-03-27 11:55:03
1.8 v 64位 串行快閃存儲器 雙/四spi和qpi
2023-03-27 11:55:03
3 v 64位 串行快閃存儲器 雙/四spi & qpi & DTR
2023-03-27 11:45:15
單片機程序存儲器64KB是外擴的還是外擴加內(nèi)部的呢？
2023-03-24 17:44:04
IC FRAM 64KBIT 20MHZ SPI 8SOIC
2023-03-23 07:35:37
EEPROM存儲器 64K I2C? 串行 SOIC8
2023-03-23 04:56:18
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