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英飛凌CoolMOS? 8為長(zhǎng)城電源的電源技術(shù)系統(tǒng)性能優(yōu)化樹立了新標(biāo)桿

電子行業(yè)新聞 ? 來源:電子行業(yè)新聞 ? 作者:電子行業(yè)新聞 ? 2026-01-16 17:14 ? 次閱讀
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【2026年1月8日, 中國(guó)上海訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)憑借其硅基功率 MOSFET 技術(shù) CoolMOS?,正在推動(dòng)服務(wù)器電源管理領(lǐng)域的創(chuàng)新,助力打造能夠滿足數(shù)據(jù)中心嚴(yán)苛要求的高性能電源解決方案。英飛凌的600V CoolMOS? 8高壓超結(jié)(SJ)MOSFET 產(chǎn)品系列,助力長(zhǎng)城電源技術(shù)有限公司在更高功率等級(jí)的電源中實(shí)現(xiàn)更高的功率密度與更卓越的性價(jià)比。

英飛凌的 MOSFET 產(chǎn)品聚焦高性能、高可靠性和易用性,可實(shí)現(xiàn)出色的能效表現(xiàn)和高功率密度。600V CoolMOS?8 超結(jié)(SJ)MOSFET 專為實(shí)現(xiàn)出色的效率、可靠性并節(jié)約成本而設(shè)計(jì)。能夠在600V CoolMOS?7與CoolMOS? 8之間無縫切換以實(shí)現(xiàn)供應(yīng)靈活性,以及在 LLC 階段的易用性,是長(zhǎng)城電源選擇該技術(shù)的主要原因之一。

英飛凌科技副總裁、高壓功率開關(guān)產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人 Christina Guggenberger 表示:“英飛凌通過硅基功率 MOSFET 技術(shù),為客戶帶來卓越的性能、可靠性與成本效益,為全球市場(chǎng)樹立了創(chuàng)新與卓越的行業(yè)標(biāo)桿。我們的 CoolMOS? 8技術(shù)正是這一承諾的絕佳例證,它為打造滿足數(shù)據(jù)中心應(yīng)用嚴(yán)苛要求的高性能電源解決方案提供了強(qiáng)大支持?!?/p>

長(zhǎng)城電源首席技術(shù)官金博士表示:“與英飛凌的持續(xù)深化合作,讓我們得以借助其行業(yè)領(lǐng)先的 CoolMOS?8 超結(jié)(SJ)MOSFET 技術(shù),提升我們的系統(tǒng)性能并實(shí)現(xiàn)更高的成本效益。這一合作體現(xiàn)了我們?cè)谛袠I(yè)內(nèi)追求創(chuàng)新與卓越的堅(jiān)定決心。我們很高興地看到,我們現(xiàn)在為客戶提供的電源解決方案(PSU)在功率密度和成本節(jié)約方面實(shí)現(xiàn)了顯著提升?!?/p>

英飛凌最新推出的600V CoolMOS?8在全球高壓超結(jié) MOSFET 技術(shù)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位,為全球范圍內(nèi)的技術(shù)水平及性價(jià)比樹立了標(biāo)桿。該技術(shù)提升了整體系統(tǒng)性能,并進(jìn)一步助力推動(dòng)在充電器、適配器、光伏及儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電設(shè)備,以及不間斷電源(UPS)等領(lǐng)域的低碳化進(jìn)程。與 CFD7系列相比,CoolMOS?8 超結(jié)(SJ)MOSFET 的柵極電荷降低了18%;與 P7系列相比,柵極電荷降低了33%。柵極電荷減少意味著使 MOSFET 從關(guān)斷狀態(tài)(非導(dǎo)通)切換至導(dǎo)通狀態(tài)所需提供的電荷量更少,從而實(shí)現(xiàn)更高能效的系統(tǒng)性能。此外,該 MOSFET 擁有市面上更快的關(guān)斷時(shí)間,且熱性能較上一代產(chǎn)品提升了14%至42%。600V CoolMOS?8 超結(jié)(SJ)MOSFET 內(nèi)置快速體二極管,提供 SMD-QDPAK、TOLL 及 ThinTOLL-8x8等封裝形式,適用于廣泛的消費(fèi)類及工業(yè)類應(yīng)用場(chǎng)景。

除碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)外,英飛凌的功率 MOSFET 在性能、可靠性、品質(zhì)及性價(jià)比方面樹立了行業(yè)標(biāo)桿,不僅能實(shí)現(xiàn)一流的應(yīng)用效果,還助力客戶開發(fā)兼具創(chuàng)新性與成本效益的解決方案,以滿足各類嚴(yán)苛需求。

供貨情況

600V和650V CoolMOS? 8 超結(jié)(SJ)MOSFET的樣品現(xiàn)已開放訂購(gòu)。更多信息,敬請(qǐng)?jiān)L問:英飛凌官網(wǎng)。

關(guān)于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動(dòng)低碳化和數(shù)字化進(jìn)程。該公司在全球擁有約57,000名員工(截至2025年9月底),在2025財(cái)年(截至9月30日)的營(yíng)收約為147億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國(guó)的 OTCQX 國(guó)際場(chǎng)外交易市場(chǎng)上市(股票代碼:IFNNY)。

英飛凌中國(guó)

英飛凌科技股份公司于1995年正式進(jìn)入中國(guó)大陸市場(chǎng)。自1995年10月在無錫建立第一家企業(yè)以來,英飛凌的業(yè)務(wù)取得非常迅速的增長(zhǎng),在中國(guó)擁有約3,000多名員工,已經(jīng)成為英飛凌全球業(yè)務(wù)發(fā)展的重要推動(dòng)力。英飛凌在中國(guó)建立了涵蓋生產(chǎn)、銷售、市場(chǎng)、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈,并在銷售、技術(shù)應(yīng)用支持、人才培養(yǎng)等方面與國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。

審核編輯 黃宇

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