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650V CoolMOS 8超結 (SJ)

MOSFET

英飛凌推出全新650V CoolMOS 8引領全球高壓超結SJ MOSFET技術，為行業(yè)技術和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應用提供了額外的50V電壓裕量，有助于滿足數(shù)據(jù)中心和電信應用中交流輸入電壓提升至277V的要求。此外，它還能為電動汽車充電和固態(tài)斷路器（SSCB）應用提供額外的浪涌保護。我們的650V CoolMOS 8 SJ MOSFET集成了快速體二極管，使其適用于各種高功率應用場景，是CoolMOS 7 MOSFET（包括C7和CFD7系列）的升級換代的最佳選擇。

產(chǎn)品型號：

■IPDQ65R008CM8

■IPDQ65R018CM8

■IPT65R018CM8

■IPT65R025CM8

■IPT65R040CM8

■IPW65R018CM8

■IPW65R025CM8

■IPW65R040CM8

■IPW65R060CM8

■IPZA65R018CM8

■IPZA65R025CM8

■IPZA65R040CM

產(chǎn)品特點

業(yè)界領先的RDS(on)*A

集成快速體二極管

出色的換向耐用性

先進的互連技術

完整產(chǎn)品組合含8mΩ BiC

頂部散熱封裝設計

競爭優(yōu)勢

業(yè)界領先的RDS(on)*A

Qrr反向恢復電荷性能顯著提升

trr反向恢復時間較同類產(chǎn)品縮短35%

采用QDPAK等頂部散熱封裝技術

卓越的品質

增強型寬禁帶（WBG）半導體解決方案

QDPAK封裝8mΩ系列產(chǎn)品

應用價值

低振鈴特性

簡化設計、縮短開發(fā)周期

產(chǎn)品線清晰完善

系統(tǒng)級創(chuàng)新

應用領域

數(shù)據(jù)中心

電信設備

超固態(tài)解決方案（繼電器/斷路器）

電動汽車充電

不間斷電源UPS

工業(yè)SMPS