數(shù)字資產(chǎn)挖礦專用算力服務(wù)器電源拓?fù)浼軜?gòu)和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET應(yīng)用價(jià)值深度分析研究報(bào)告

BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)代理商傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢(shì)！

隨著比特幣等數(shù)字資產(chǎn)挖礦行業(yè)進(jìn)入“后減半”時(shí)代，算力競(jìng)賽已從單純的芯片制程工藝競(jìng)爭(zhēng)轉(zhuǎn)向全系統(tǒng)能效比（J/TH）的深度博弈。電源供應(yīng)單元（PSU）作為算力服務(wù)器的能量心臟，其轉(zhuǎn)換效率、功率密度及在極端環(huán)境下的可靠性直接決定了礦場(chǎng)的運(yùn)營(yíng)支出（OPEX）與資產(chǎn)回報(bào)率（ROI）。傾佳電子楊茜剖析數(shù)字資產(chǎn)挖礦電源的最新技術(shù)演進(jìn)，重點(diǎn)探討從傳統(tǒng)Boost PFC向圖騰柱（Totem-Pole）PFC拓?fù)涞姆妒睫D(zhuǎn)移，以及輸入電壓向277V/415V工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的遷移趨勢(shì)。在此背景下，傾佳電子楊茜將深度解構(gòu)深圳基本半導(dǎo)體有限公司（BASIC Semiconductor）的第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品組合，特別是其750V高壓器件、銀燒結(jié)工藝及頂部散熱（Top-Side Cooling）封裝技術(shù)如何解決礦機(jī)電源面臨的“效率、熱管理、可靠性”不可能三角，為行業(yè)提供極其詳盡的技術(shù)參考與戰(zhàn)略洞察。

第一章 宏觀背景：算力經(jīng)濟(jì)學(xué)與熱力學(xué)極限

1.1 數(shù)字資產(chǎn)挖礦的工業(yè)化進(jìn)程與能效挑戰(zhàn)

數(shù)字資產(chǎn)挖礦，尤其是以比特幣工作量證明（PoW）為代表的算力產(chǎn)業(yè)，已經(jīng)從早期的極客實(shí)驗(yàn)演變?yōu)橐环N標(biāo)準(zhǔn)化的全球能源套利工業(yè)。截至2025年，全網(wǎng)算力（Hashrate）的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)與區(qū)塊獎(jiǎng)勵(lì)的周期性減半，使得單位算力的邊際收益持續(xù)收窄。在這一經(jīng)濟(jì)模型中，電力成本占據(jù)了運(yùn)營(yíng)支出的60%至80%。

對(duì)于現(xiàn)代礦場(chǎng)而言，算力服務(wù)器（ASIC Miner）不僅是計(jì)算設(shè)備，更是將電能轉(zhuǎn)化為哈希值和熱能的熱力學(xué)機(jī)器。隨著ASIC芯片工藝逼近3nm物理極限，通過(guò)摩爾定律獲取能效紅利的空間日益狹窄。因此，系統(tǒng)級(jí)能效優(yōu)化成為新的主戰(zhàn)場(chǎng)，而電源供應(yīng)單元（PSU）的效率提升在其中扮演著乘數(shù)效應(yīng)的關(guān)鍵角色。如果一臺(tái)3000W的礦機(jī)電源效率從94%提升至97.5%，在百萬(wàn)臺(tái)規(guī)模的部署中，其節(jié)省的電力成本和減少的散熱投入將構(gòu)成巨大的競(jìng)爭(zhēng)壁壘。

1.2 礦場(chǎng)電力基礎(chǔ)設(shè)施的演變：邁向高壓直流

為了降低傳輸損耗（I2R）并減少銅纜投資（CAPEX），礦場(chǎng)基礎(chǔ)設(shè)施正經(jīng)歷一場(chǎng)電壓等級(jí)的革命。

傳統(tǒng)架構(gòu)：早期礦場(chǎng)多采用民用標(biāo)準(zhǔn)的110V/220V單相交流電。

工業(yè)化架構(gòu)：現(xiàn)代大型數(shù)據(jù)中心和礦場(chǎng)普遍采用277V單相或415V三相供電架構(gòu)6。

277VAC (L-N) ：源自北美工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的480V三相Wye型連接（480V/3?≈277V）。直接為服務(wù)器提供277V電壓消除了上游的大型降壓變壓器，顯著提升了端到端效率。

415VAC (3-Phase) ：如比特大陸（Bitmain）S21 Hyd等水冷機(jī)型，直接引入380V-415V三相電，通過(guò)內(nèi)部整流實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和電網(wǎng)平衡。

這種電壓等級(jí)的提升對(duì)電源內(nèi)部的功率半導(dǎo)體提出了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。277VAC輸入的峰值電壓可達(dá)392V，考慮到電網(wǎng)波動(dòng)和浪涌，PFC母線電壓通常需設(shè)定在420V-450V。傳統(tǒng)的600V/650V硅基MOSFET在此工況下的電壓余量（Derating Margin）被極度壓縮，極易因宇宙射線引發(fā)的單粒子燒毀（SEB）或過(guò)壓擊穿而失效，特別是在高海拔礦場(chǎng)。

1.3 運(yùn)行環(huán)境的極端化

與恒溫恒濕的銀行數(shù)據(jù)中心不同，礦機(jī)電源常年運(yùn)行在極為惡劣的環(huán)境中：

持續(xù)滿載：100%負(fù)載率24/7不間斷運(yùn)行，無(wú)喘息機(jī)會(huì)。

高溫：進(jìn)氣溫度可能高達(dá)40°C，機(jī)箱內(nèi)部溫度更高，對(duì)器件的熱穩(wěn)定性提出極限考驗(yàn)。

電網(wǎng)波動(dòng)：許多礦場(chǎng)利用廢棄水電或離網(wǎng)能源，電壓波動(dòng)頻繁，諧波干擾嚴(yán)重。

這種“地獄模式”的運(yùn)行條件，要求電源功率器件不僅要效率高，更要具備極高的魯棒性（Ruggedness）和雪崩耐量。

第二章 礦機(jī)電源拓?fù)浼軜?gòu)的深度解析與演進(jìn)

礦機(jī)電源的設(shè)計(jì)目標(biāo)是在有限的體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)最大功率輸出（高功率密度）和最高轉(zhuǎn)換效率。典型的礦機(jī)PSU（如APW12系列）采用兩級(jí)架構(gòu)：前級(jí)AC/DC功率因數(shù)校正（PFC）和后級(jí)DC/DC隔離變換。

2.1 PFC級(jí)拓?fù)涓锩簭慕诲e(cuò)Boost到無(wú)橋圖騰柱

PFC級(jí)負(fù)責(zé)將交流輸入整流為高壓直流（通常為380V-450V），同時(shí)強(qiáng)迫輸入電流跟隨電壓波形以實(shí)現(xiàn)單位功率因數(shù)。

2.1.1 傳統(tǒng)瓶頸：交錯(cuò)并聯(lián)Boost PFC（Interleaved Boost PFC）

過(guò)去十年，大功率礦機(jī)電源主流采用交錯(cuò)Boost PFC拓?fù)洹?/p>

工作原理：交流電首先經(jīng)過(guò)一個(gè)由四個(gè)二極管組成的整流橋，變?yōu)槊}動(dòng)直流，然后進(jìn)入兩個(gè)并聯(lián)交錯(cuò)工作的Boost升壓電路。

效率天花板：整流橋是效率的殺手。電流必須時(shí)刻流經(jīng)兩個(gè)串聯(lián)的整流二極管。假設(shè)輸入電流為16A（約3.5kW @ 220V），二極管壓降為1V，則僅整流橋的導(dǎo)通損耗就達(dá)到 16A×1V×2=32W。這使得電源效率很難突破97%（鈦金級(jí)標(biāo)準(zhǔn)）。

2.1.2 終極方案：無(wú)橋圖騰柱PFC（Bridgeless Totem-Pole PFC）

為了消除整流橋損耗，工業(yè)界全面轉(zhuǎn)向無(wú)橋圖騰柱PFC拓?fù)洹?/p>

拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：

慢速橋臂（Slow Leg） ：由兩個(gè)硅超結(jié)MOSFET（SJ-MOSFET）組成，以工頻（50/60Hz）進(jìn)行換向，替代整流橋的功能。

快速橋臂（Fast Leg） ：由兩個(gè)寬禁帶（WBG）器件組成，進(jìn)行高頻PWM開關(guān)（65kHz - 100kHz+），負(fù)責(zé)升壓和電流整形20。

技術(shù)挑戰(zhàn)（硬開關(guān)風(fēng)險(xiǎn)） ：在連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）下，當(dāng)快速橋臂的一個(gè)開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，另一個(gè)開關(guān)管的體二極管必須經(jīng)歷反向恢復(fù)過(guò)程。硅MOSFET的體二極管反向恢復(fù)電荷（Qrr?）非常大，這會(huì)導(dǎo)致巨大的反向恢復(fù)損耗和電流尖峰，甚至直接炸管。因此，硅MOSFET無(wú)法用于CCM模式的圖騰柱PFC22。

SiC的決定性作用：碳化硅（SiC）MOSFET具有極低的Qrr?（幾乎為零），能夠承受CCM模式下的硬開關(guān)應(yīng)力。沒(méi)有SiC，就沒(méi)有大功率圖騰柱PFC的商業(yè)化應(yīng)用。 這一拓?fù)涞囊?，直接將PFC級(jí)的效率提升至99%以上。

2.2 DC/DC級(jí)拓?fù)洌篖LC諧振變換器的頻率突圍

PFC輸出的高壓直流需轉(zhuǎn)換為12V-15V的大電流低壓直流供給算力芯片。

LLC諧振變換器：利用電感（Lr）、勵(lì)磁電感（Lm）和電容（Cr）構(gòu)成的諧振槽，實(shí)現(xiàn)原邊開關(guān)管的零電壓開通（ZVS）和副邊整流管的零電流關(guān)斷（ZCS），最大限度降低開關(guān)損耗。

SiC的價(jià)值：雖然LLC是軟開關(guān)拓?fù)洌褂肧iC MOSFET替代硅基器件依然具有重大意義。SiC更低的輸出電容（Coss?）允許死區(qū)時(shí)間更短，且能夠支持更高的開關(guān)頻率（從100kHz提升至300kHz-500kHz）。頻率的提升意味著變壓器和諧振電感體積的成倍縮小，這是實(shí)現(xiàn)礦機(jī)電源高功率密度（如>100W/in3）的關(guān)鍵。

第三章 基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）碳化硅MOSFET的產(chǎn)品矩陣與技術(shù)特征

面對(duì)上述技術(shù)趨勢(shì)，深圳基本半導(dǎo)體有限公司（BASIC Semiconductor）構(gòu)建了針對(duì)性的第三代碳化硅MOSFET產(chǎn)品線。通過(guò)深入分析其數(shù)據(jù)手冊(cè)（Datasheets），我們可以揭示其在礦機(jī)電源應(yīng)用中的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

3.1 750V高壓系列的戰(zhàn)略意義：B3M010C075Z

針對(duì)277VAC輸入帶來(lái)的高壓母線挑戰(zhàn)，基本半導(dǎo)體推出了750V電壓等級(jí)的SiC MOSFET，如B3M010C075Z。

電壓余量（Headroom） ：在450V DC母線電壓下，傳統(tǒng)的650V器件僅有200V（約30%）的安全余量。考慮到開關(guān)節(jié)點(diǎn)的電壓過(guò)沖（Overshoot）和電網(wǎng)浪涌，這一余量在長(zhǎng)期運(yùn)行中顯得捉襟見肘。B3M010C075Z的750V耐壓提供了300V（約40%）的余量，顯著降低了因過(guò)壓應(yīng)力導(dǎo)致的失效率（FIT rate），特別是在宇宙射線通量較高的高海拔礦場(chǎng)。

超低導(dǎo)通電阻：該器件在25°C下的典型導(dǎo)通電阻（RDS(on)?）僅為10 mΩ，在175°C高溫下也僅上升至12.5 mΩ。這種極低且溫度系數(shù)平坦的電阻特性，對(duì)于處理數(shù)千瓦功率的PFC級(jí)至關(guān)重要，直接減少了傳導(dǎo)損耗（Pcond?=Irms2?×RDS(on)?）。

封裝工藝：該器件采用了先進(jìn)的銀燒結(jié)（Silver Sintering）技術(shù)。

3.2 650V高頻系列的性能標(biāo)桿：B3M025065Z 與 B3M025065L

對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)的220V電網(wǎng)和LLC級(jí)應(yīng)用，基本半導(dǎo)體提供了650V/25mΩ規(guī)格的多樣化封裝方案。

B3M025065Z (TO-247-4) ：

開爾文源極（Kelvin Source） ：傳統(tǒng)的TO-247-3封裝在高頻開關(guān)時(shí)，源極引線電感（Ls?）會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)，抵消柵極驅(qū)動(dòng)電壓，限制開關(guān)速度并增加損耗。B3M025065Z引入了第4引腳作為開爾文源極，將驅(qū)動(dòng)回路與功率回路解耦。

應(yīng)用場(chǎng)景：這使得器件能夠以極高的di/dt進(jìn)行開關(guān)，大幅降低開關(guān)損耗（Eon?,Eoff?），非常適合工作在100kHz以上的圖騰柱PFC快橋臂。

B3M025065L (TOLL) ：

無(wú)引腳封裝：TOLL（TO-Leadless）封裝體積比D2PAK小30%，且寄生電感極低（~2nH）。

應(yīng)用場(chǎng)景：適合空間受限的緊湊型礦機(jī)電源，尤其是在LLC級(jí)，低寄生電感有助于減少電壓尖峰和EMI干擾，簡(jiǎn)化濾波電路設(shè)計(jì)。

第四章 深度技術(shù)分析：基本半導(dǎo)體SiC在礦機(jī)電源中的應(yīng)用價(jià)值

本章將結(jié)合前述的拓?fù)溱厔?shì)與產(chǎn)品特性，深度剖析基本半導(dǎo)體SiC MOSFET在實(shí)際應(yīng)用中的三大核心價(jià)值：極限能效、熱管理革命與長(zhǎng)期可靠性。

4.1 突破鈦金效率：基于銀燒結(jié)技術(shù)的導(dǎo)通損耗優(yōu)化

在礦機(jī)電源中，熱設(shè)計(jì)往往是限制功率密度的瓶頸?；景雽?dǎo)體在B3M010C075Z等高端器件中應(yīng)用的銀燒結(jié)（Silver Sintering）技術(shù)是解決這一問(wèn)題的關(guān)鍵黑科技。

技術(shù)原理：傳統(tǒng)功率器件使用錫鉛或無(wú)鉛焊料將芯片貼裝在銅基板上，焊料的導(dǎo)熱系數(shù)通常僅為50-60 W/(m·K)，且熔點(diǎn)較低（~220°C）。銀燒結(jié)技術(shù)利用納米銀膏在高溫高壓下形成純銀連接層，其導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)200-300 W/(m·K)甚至更高，熔點(diǎn)接近銀的本體熔點(diǎn)（961°C）。

數(shù)據(jù)支撐：B3M010C075Z的數(shù)據(jù)手冊(cè)顯示其結(jié)殼熱阻（RthJC?）僅為0.20 K/W。這意味著在同樣的損耗下，芯片結(jié)溫（Tj?）更低；或者在同樣的結(jié)溫限制下，允許流過(guò)更大的電流。

礦場(chǎng)價(jià)值：礦機(jī)經(jīng)常面臨算力波動(dòng)或電網(wǎng)響應(yīng)導(dǎo)致的負(fù)載劇烈變化（功率循環(huán)）。焊料層在反復(fù)熱脹冷縮下容易產(chǎn)生空洞和裂紋（熱疲勞），導(dǎo)致熱阻上升、器件失效。銀燒結(jié)層具有極高的機(jī)械強(qiáng)度和抗熱疲勞能力，顯著提升了電源在惡劣工況下的壽命（MTBF）。對(duì)于追求長(zhǎng)期穩(wěn)定挖礦的礦工而言，這是降低維護(hù)成本的核心保障。

4.2 駕馭液冷時(shí)代：頂部散熱（TSC）封裝的顛覆性優(yōu)勢(shì)

隨著風(fēng)冷散熱逐漸逼近物理極限（噪音大、積灰、熱點(diǎn)問(wèn)題），浸沒(méi)式液冷（Immersion Cooling）已成為高性能礦機(jī)的未來(lái)形態(tài)（如Bitmain S21 Hyd系列）。傳統(tǒng)的底部散熱封裝（如D2PAK）在液冷中面臨尷尬：熱量必須穿過(guò)導(dǎo)熱性較差的PCB（FR4材料）才能被冷卻液帶走。

基本半導(dǎo)體前瞻性地推出了頂部散熱（Top-Side Cooling, TSC）封裝產(chǎn)品：AB3M025065CQ (QDPAK) 和 B3M025065B (TOLT) 。

熱路徑重構(gòu)：在TSC封裝中，散熱焊盤（Drain極）被置于封裝頂部。散熱器可以直接貼合在器件表面，或者在浸沒(méi)式液冷中，介電冷卻液可以直接沖刷器件頂部的金屬面。

熱阻優(yōu)勢(shì)：相比底部散熱，TSC消除了PCB熱阻（通常為數(shù)K/W）的瓶頸。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示，TSC封裝可將系統(tǒng)熱阻降低30%甚至更多39。

PCB利用率：由于熱量不再通過(guò)底部耗散，PCB背面不再需要大面積鋪銅散熱，可以布置其他器件或走線，進(jìn)一步提升了電源的功率密度41。

浸沒(méi)式挖礦價(jià)值：在油冷礦機(jī)中，液體的比熱容雖然高，但流速和邊界層效應(yīng)至關(guān)重要。TSC封裝允許冷卻油直接與熱源進(jìn)行高效熱交換，使得電源能夠支持礦機(jī)進(jìn)行更激進(jìn)的超頻（Overclocking），在同等硬件下挖掘更多比特幣。

4.3 277V/415V電網(wǎng)適應(yīng)性：750V耐壓的紅利

如前所述，工業(yè)礦場(chǎng)向277V/415V電網(wǎng)遷移是不可逆的趨勢(shì)。

安全余量分析：在420V-450V的PFC母線電壓下，使用650V MOSFET意味著器件長(zhǎng)期承受約70%的額定電壓。根據(jù)宇宙射線失效率模型，電壓越高，SEB失效率呈指數(shù)級(jí)上升。

750V的優(yōu)勢(shì)：使用基本半導(dǎo)體B3M010C075Z（750V），運(yùn)行電壓降至額定值的60%以下。這不僅大幅降低了隨機(jī)失效概率，還允許電源設(shè)計(jì)者在PFC級(jí)采用更激進(jìn)的升壓比，優(yōu)化全范圍電壓輸入下的效率曲線。

成本效益：雖然1200V器件也能解決耐壓?jiǎn)栴}，但其導(dǎo)通電阻和成本通常遠(yuǎn)高于同規(guī)格的750V器件。750V SiC MOSFET精準(zhǔn)卡位，提供了最佳的性價(jià)比（Cost-Performance Ratio）。

第五章 經(jīng)濟(jì)模型：1%效率提升的財(cái)務(wù)杠桿

技術(shù)優(yōu)勢(shì)最終必須轉(zhuǎn)化為財(cái)務(wù)回報(bào)。我們構(gòu)建一個(gè)典型的礦場(chǎng)模型來(lái)量化基本半導(dǎo)體SiC方案的經(jīng)濟(jì)價(jià)值。

模型假設(shè)：

礦場(chǎng)規(guī)模：10,000臺(tái)高性能礦機(jī)（如S21級(jí)別）。

單機(jī)功率：3,500 W。

總負(fù)荷：35 MW。

電費(fèi)：0.05 美元/kWh（工業(yè)電價(jià)）。

運(yùn)行時(shí)間：24小時(shí) x 365天。

情景分析：

假設(shè)通過(guò)采用基本半導(dǎo)體的圖騰柱PFC SiC方案（替代傳統(tǒng)硅基PFC），將電源綜合效率從96%（鈦金級(jí)）提升至97.5%（超級(jí)鈦金/鉆石級(jí)）。

電力成本節(jié)?。?/p>

總能耗：35,000kW×8760h=306,600,000kWh/year。

1.5%的效率提升意味著輸入端節(jié)省了1.5%的電力（假設(shè)算力輸出不變）。

節(jié)省電量：306,600,000×0.015=4,599,000kWh。

年度節(jié)省金額：4,599,000 times 0.05 = mathbf{$229,950}$。

算力增益（更關(guān)鍵的視角） ：

礦場(chǎng)通常受限于變壓器容量（Cap）。如果變壓器容量固定為35MW，效率提升意味著可以在同樣的電力配額下部署更多的算力。

1.5%的效率提升允許額外部署1.5%的礦機(jī)（約150臺(tái)）。

假設(shè)每臺(tái)S21日產(chǎn)出15（基于BTC價(jià)格和難度），這150臺(tái)機(jī)器每日額外產(chǎn)出2,250，年額外營(yíng)收約$820,000。

結(jié)論：通過(guò)采用高效SiC電源，該礦場(chǎng)每年可獲得超過(guò)100萬(wàn)美元的綜合經(jīng)濟(jì)效益（電費(fèi)節(jié)省+算力增益）。這遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了SiC器件相對(duì)于硅器件增加的BOM成本（通常每臺(tái)電源僅增加幾十美元）。投資回報(bào)期（ROI）極短。

第六章 總結(jié)與展望

數(shù)字資產(chǎn)挖礦行業(yè)的技術(shù)競(jìng)賽已深入至電子粒子的微觀層面。電源拓?fù)鋸腂oost向圖騰柱PFC的演進(jìn)，以及電壓等級(jí)向277V/415V的提升，是物理規(guī)律和經(jīng)濟(jì)規(guī)律共同作用的必然結(jié)果。

深圳基本半導(dǎo)體有限公司憑借其精準(zhǔn)的產(chǎn)品定義和技術(shù)儲(chǔ)備，成為了這一變革的關(guān)鍵賦能者：

B3M010C075Z（750V SiC） ：完美適配277V工業(yè)電網(wǎng)，以高耐壓和銀燒結(jié)工藝筑牢可靠性基石。

QDPAK/TOLT頂部散熱封裝：打破了PCB散熱瓶頸，為浸沒(méi)式液冷和超高密度挖礦鋪平了道路。

開爾文源極技術(shù)：釋放了SiC的高頻開關(guān)潛力，助力電源體積小型化。

對(duì)于礦機(jī)制造商和礦場(chǎng)運(yùn)營(yíng)者而言，擁抱以基本半導(dǎo)體SiC為核心的先進(jìn)電源架構(gòu)，不僅是提升能效的技術(shù)手段，更是穿越牛熊周期、在算力紅海中構(gòu)建核心競(jìng)爭(zhēng)力的戰(zhàn)略抉擇。未來(lái)，隨著SiC成本的進(jìn)一步下降和良率的提升，我們有理由相信，“全SiC圖騰柱PFC + 高頻LLC”將成為礦機(jī)電源的絕對(duì)標(biāo)準(zhǔn)配置。