Peregrine Semiconductor PE4251：高性能UltraCMOS? SPDT RF開(kāi)關(guān)解析
Peregrine Semiconductor PE4251：高性能UltraCMOS? SPDT RF開(kāi)關(guān)解析
在電子工程領(lǐng)域，RF開(kāi)關(guān)是實(shí)現(xiàn)信號(hào)切換和路由的關(guān)鍵元件。Peregrine Semiconductor的PE4251 SPDT RF開(kāi)關(guān)憑借其獨(dú)特的技術(shù)和出色的性能，在通用切換應(yīng)用和移動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施中表現(xiàn)出色。今天，我們就來(lái)深入了解一下這款開(kāi)關(guān)。
文件下載：PE4251MLI-Z.pdf
一、產(chǎn)品概述
PE4251是一款采用HaRPTM技術(shù)增強(qiáng)的吸收式單刀雙擲（SPDT）RF開(kāi)關(guān)，適用于通用切換應(yīng)用和移動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施。它提供3.3/5V的靈活電源電壓、單引腳或互補(bǔ)引腳控制輸入，以及4 kV的ESD耐受性，為PIN二極管和機(jī)械繼電器開(kāi)關(guān)提供了簡(jiǎn)單的替代解決方案。
pSemi的HaRPTM技術(shù)增強(qiáng)實(shí)現(xiàn)了高線性度和卓越性能，是UltraCMOS?工藝的創(chuàng)新特性，在性能上優(yōu)于GaAs，同時(shí)兼具傳統(tǒng)CMOS的經(jīng)濟(jì)性和集成性。
二、產(chǎn)品特性
（一）電氣性能卓越
- 低插入損耗：在1000 MHz時(shí)僅為0.60 dB，有效減少信號(hào)傳輸過(guò)程中的能量損失，保證信號(hào)的高質(zhì)量傳輸。
- 高隔離度：在1000 MHz時(shí)達(dá)到62 dB，能夠有效隔離不同路徑的信號(hào)，減少信號(hào)干擾。
- 高線性度：P1dB典型值為 +30.5 dBm，IIP3典型值為 +59 dBm，確保在處理高功率信號(hào)時(shí)仍能保持良好的線性度。
- 快速切換時(shí)間：僅需150 ns，能夠滿足高速信號(hào)切換的需求。
（二）電源與保護(hù)特性
- 靈活電源電壓：支持3.3V ±10% 或5.0V ±10% 的電源供應(yīng)，適應(yīng)不同的應(yīng)用場(chǎng)景。
- 出色ESD保護(hù)：具有4000V HBM的ESD耐受性，有效保護(hù)器件免受靜電損壞。
- 無(wú)需阻塞電容：?jiǎn)我_或互補(bǔ)控制輸入，簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)。
三、產(chǎn)品規(guī)格
（一）電氣參數(shù)
| 不同溫度和頻率下，PE4251的各項(xiàng)電氣參數(shù)表現(xiàn)如下： | 溫度 | 工作頻率范圍 | 插入損耗（典型值） | 隔離度（典型值） | 回波損耗（典型值） | 輸入1dB壓縮點(diǎn) | 輸入IP3 | 切換時(shí)間 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| +25°C | 10 - 4000 MHz | 0.55 - 1.0 dB（不同頻率） | 62 - 37 dB（不同頻率） | 26 - 19 dB（不同頻率） | +30.5 dBm | +59 dBm | 150 ns | |
| +125°C | 50 - 4000 MHz | 0.65 - 1.2 dB（不同頻率） | 62 - 36 dB（不同頻率） | 24 - 18 dB（不同頻率） | +30.5 dBm | +57 dBm | 200 ns |
（二）引腳說(shuō)明
| PE4251采用8引腳MSOP封裝，各引腳功能如下： | 引腳編號(hào) | 引腳名稱 | 描述 |
|---|---|---|---|
| 1 | V2 | 支持單引腳控制模式和互補(bǔ)引腳控制模式 | |
| 2 | V1 | 開(kāi)關(guān)控制輸入，CMOS邏輯電平 | |
| 3 | RFC | RF公共端口 | |
| 4 | N/C或GND | 無(wú)連接或接地 | |
| 5 | RF1 | RF1端口 | |
| 6 | GND | 接地連接 | |
| 7 | GND | 接地連接 | |
| 8 | RF2 | RF2端口 | |
| 焊盤 | GND | 外露接地焊盤 |
（三）工作范圍
| 參數(shù) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| VDD電源電壓 | 3.0 - 4.5 V | 3.3 - 5.0 V | 3.6 - 5.5 V | V |
| IDD電源電流（VDD = VCNTL = 3.3V） | - | 55 μA | 60 μA | μA |
| IDD電源電流（VDD = VCNTL = 5.0V） | - | 75 μA | 80 μA | μA |
| 控制電壓高 | 0.8 × VDD | - | - | V |
| 控制電壓低 | - | - | 0.2 × VDD | V |
| PIN RF輸入功率（50 Ω，10 MHz - 4 GHz，+85 °C） | - | - | 27 dBm | dBm |
| PIN RF輸入功率（50 Ω，50 MHz - 4 GHz，+125 °C） | - | - | 22 dBm | dBm |
| TOP工作溫度范圍 | -40 °C | +25 °C | +125 °C | °C |
| TST存儲(chǔ)溫度范圍 | -65 °C | +25 °C | +150 °C | °C |
四、控制邏輯
PE4251支持兩種操作控制模式：?jiǎn)我_控制模式和互補(bǔ)引腳控制模式。
（一）單引腳控制模式
通過(guò)單個(gè)控制引腳（引腳2）支持 +3.3 或5.0 - 伏CMOS邏輯輸入，并需要專用的 +3.3 或5.0 - 伏電源連接（引腳1）。這種模式減少了所需的控制線數(shù)量，簡(jiǎn)化了開(kāi)關(guān)控制接口。
（二）互補(bǔ)引腳控制模式
使用互補(bǔ)控制引腳V1和V2（引腳2和1），可直接由 +3.3 或5.0 - 伏CMOS邏輯或合適的μProcessor I/O端口驅(qū)動(dòng)，使PE4251在其工作范圍內(nèi)以正控制電壓模式運(yùn)行。
五、評(píng)估套件
為了方便客戶評(píng)估PE4251 SPDT開(kāi)關(guān)，Peregrine提供了評(píng)估套件。該套件的RF公共端口通過(guò)50Ω?jìng)鬏斁€連接到底部SMA連接器J3，端口1和端口2通過(guò)50Ω?jìng)鬏斁€連接到板兩側(cè)的兩個(gè)SMA連接器J4和J2。通過(guò)傳輸線連接SMA連接器J5和J6，可用于估計(jì)PCB在評(píng)估環(huán)境條件下的損耗。
六、總結(jié)
PE4251 SPDT RF開(kāi)關(guān)憑借其出色的電氣性能、靈活的控制模式和良好的保護(hù)特性，為電子工程師在RF信號(hào)切換和路由設(shè)計(jì)中提供了一個(gè)優(yōu)秀的選擇。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師可以根據(jù)具體的需求和場(chǎng)景，合理選擇控制模式和電源電壓，以充分發(fā)揮該開(kāi)關(guān)的性能優(yōu)勢(shì)。大家在使用過(guò)程中，有沒(méi)有遇到過(guò)類似高性能RF開(kāi)關(guān)的應(yīng)用挑戰(zhàn)呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。
-
RF開(kāi)關(guān)
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
20瀏覽量
5799
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
PE42420E-Z射頻開(kāi)關(guān)產(chǎn)品介紹
PE42440MLBB-Z 增強(qiáng)型SP4T RF開(kāi)關(guān)
PE423641射頻開(kāi)關(guān)
PE42821射頻開(kāi)關(guān)
低耗電高效能的RF Switch解決方案
派更半導(dǎo)體公司宣布可量產(chǎn)供應(yīng)開(kāi)創(chuàng)性的UltraCMOS? 60 GHz RF SOI開(kāi)關(guān)
派更半導(dǎo)體公司宣布量產(chǎn)供應(yīng)UltraCMOS? 60 GHz RF SOI開(kāi)關(guān)
Peregrine半導(dǎo)體UltraCMOS成就毫不妥協(xié)的RF性能
促射頻器件整合啦 Peregrine推PE42722和兩種Global 1
Peregrine半導(dǎo)體UltraCMOS發(fā)揮出無(wú)法比擬的RF性能
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論