本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應(yīng)用，核心內(nèi)容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關(guān)鍵特性、系統(tǒng)說明 SiC JFET 如何推動電路保護(hù)系統(tǒng)取得重大進(jìn)步、通過評估和測試結(jié)果展示產(chǎn)品性能。我們已介紹過浪涌電流、應(yīng)對不斷攀升的電力需求、為什么要使用固態(tài)斷路器，SSCB 采用 SiC JFET 的四個理由，SiC JFET 如何實(shí)現(xiàn)熱插拔控制。本文將繼續(xù)介紹AI電力革命、安森美(onsemi)產(chǎn)品組合。

AI 電力革命

生成式 AI (GenAI) 工作負(fù)載的增加， 導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心的電力需求飆升。 而 GenAI未來還需要多少電力 ， 仍是未知數(shù)。 業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為 ， 這正是促使數(shù)據(jù)中心服務(wù)器機(jī)架功率密度迅速攀升的主要原因。根據(jù) IT 分析公司 Omdia 的年度調(diào)查，當(dāng)前數(shù)據(jù)中心每個機(jī)架的平均配電功率達(dá)到 16 kW， 較六年前增長 2.5 倍以上。( 普通 42U 機(jī)架最多支持 42 個 1U 服務(wù)器單元或 24 個 2U 服務(wù)器單元。 )

在 GenAI 應(yīng)用需求激增的背景下，數(shù)據(jù)中心的能耗將增加多少?對于這個重要問題 ， 目前我們難以獲得確切的答案 ， 甚至不知道該去問誰 。 數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商 、 算力用戶和能源系統(tǒng)運(yùn)營商 ，不僅對未來的用電量有著不同的判斷 ， 而且對當(dāng)前的電力消耗情況也各有看法 。 但有一點(diǎn)毋庸置疑：所有指標(biāo)都顯示用電量正急劇攀升。

數(shù)據(jù)中心能耗預(yù)測

資料來源：麥肯錫公司戰(zhàn)略與國際研究中心

Uptime Institute 的年度 AI 基礎(chǔ)設(shè)施調(diào)查顯示， 當(dāng)受訪者被要求估算并選擇專門用于生成式 AI 訓(xùn)練( 例如為大語言模型提供示例文本) 的服務(wù)器機(jī)架的功率密度范圍時 ， 約 47 % 的受訪者表示其機(jī)架平均功率密度為 31 kW 或更高。 其中超過一半 (27% ) 表示， 其機(jī)架功率密度可能超過 50 kW。

安森美 SiC JFET 和 Combo JFET 技術(shù)旨在滿足對高能效和更大功率密度的需求;對于數(shù)據(jù)中心配電單元(PDU) 的 AC/DC 級， 高能效和高功率密度正是需要攻克的兩大難點(diǎn)。 根據(jù) Uptime 調(diào)查參與者的預(yù)測，服務(wù)器機(jī)架的功率需求將超過 50 kW， 而 SiC JFET是應(yīng)對這一需求的最佳選擇。

在數(shù)據(jù)中心電源和電路保護(hù)應(yīng)用中 ， JFET 展現(xiàn)出顯著的差異化優(yōu)勢 ， 尤其是與超級結(jié)(SJ) MOSFET 、 氮化鎵 (GaN) 甚至常規(guī) SiC MOSFET 相比， 其導(dǎo)通電阻更低， 開關(guān)頻率更高。 此外， SiC JFET 可與現(xiàn)有的 Si 和 SiC 柵極驅(qū)動器配合使用， 無需專用驅(qū)動設(shè)計(jì)。

它們也非常適合未來的更高電壓 DC -DC 轉(zhuǎn)換應(yīng)用。 得益于上述優(yōu)勢及更小的芯片尺寸，SiC JFET 能夠在實(shí)現(xiàn)出色能效的同時， 顯著降低系統(tǒng)成本。

安森美產(chǎn)品組合

安森美 SiC JFET 產(chǎn)品組合

安森美 SiC Combo JFET 產(chǎn)品組合