深度解析TAS5825P:高效音頻放大器的卓越之選
在音頻放大器的領(lǐng)域中,Texas Instruments的TAS5825P以其卓越的性能和豐富的功能脫穎而出。作為一名資深電子工程師,我將結(jié)合文檔內(nèi)容,深入剖析這款產(chǎn)品,為大家呈現(xiàn)它的技術(shù)亮點(diǎn)和應(yīng)用要點(diǎn)。
文件下載:tas5825p.pdf
產(chǎn)品概述
TAS5825P是一款4.5V至26.4V、38W立體聲、數(shù)字輸入、高效閉環(huán)D類(lèi)音頻放大器,集成了先進(jìn)的Hybrid - Pro算法。它專(zhuān)為提升系統(tǒng)效率、降低熱量產(chǎn)生以及避免削波失真而設(shè)計(jì),適用于多種音頻應(yīng)用場(chǎng)景。
技術(shù)亮點(diǎn)
高效節(jié)能
采用Hybrid - Pro算法的高效D類(lèi)操作,相較于固定電源電壓解決方案,可延長(zhǎng)約50%的電池續(xù)航時(shí)間。其功率效率超過(guò)90%,導(dǎo)通電阻 (R_{DS(on)}) 為90mΩ,在12V PVDD下的靜態(tài)電流低于20mA,有效降低了功耗。
多輸出配置支持
支持多種輸出配置,如1 x 53W(1.0模式,4Ω,22V,(THD + N = 1%))、1 x 65W(1.0模式,4Ω,22V,(THD + N = 10%))、2 x 30W(2.0模式,8Ω,24V,(THD + N = 1%))和2 x 38W(2.0模式,8Ω,24V,(THD + N = 10%)),滿足不同功率需求。
卓越音頻性能
在1W、1kHz、PVDD = 12V的條件下,總諧波失真加噪聲((THD + N))≤ 0.03%;信噪比(SNR)≥ 110dB(A加權(quán)),空閑通道噪聲((ICN))≤ 35μVRMS,確保了高品質(zhì)的音頻輸出。
靈活音頻I/O與處理
支持32、44.1、48、88.2、96kHz的采樣率,以及I2S、LJ、RJ、TDM等音頻數(shù)據(jù)格式。具備3 - 帶高級(jí)動(dòng)態(tài)范圍壓縮(DRC)+ 自動(dòng)增益限制(AGL)、2 × 15 BQ等靈活處理功能,還能通過(guò)PVDD感應(yīng)避免電壓軌下降時(shí)的削波失真。
完善的自我保護(hù)機(jī)制
擁有過(guò)流錯(cuò)誤(OCE)、逐周期電流限制、過(guò)溫警告(OTW)、過(guò)溫錯(cuò)誤(OTE)、欠壓/過(guò)壓鎖定(UVLO,OVLO)等多種保護(hù)功能,提高了設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。
應(yīng)用場(chǎng)景
TAS5825P的應(yīng)用范圍廣泛,涵蓋了電池供電的揚(yáng)聲器、機(jī)頂盒、條形音箱或低音炮、無(wú)線或藍(lán)牙音箱以及對(duì)熱量或效率敏感的音頻系統(tǒng)等。
詳細(xì)解析
電源供應(yīng)
TAS5825P需要兩個(gè)電源:DVDD(3.3V或1.8V)為低電壓數(shù)字電路供電,PVDD(4.5V至26.4V)為音頻放大器的輸出級(jí)供電。內(nèi)部的兩個(gè)低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)分別為模擬和數(shù)字電路生成5V和1.5V的電源電壓。
時(shí)鐘系統(tǒng)
該設(shè)備的時(shí)鐘系統(tǒng)靈活,內(nèi)部時(shí)鐘可從串行音頻接口導(dǎo)出。通過(guò)內(nèi)部鎖相環(huán)(PLL),利用SCLK生成DSP和DAC所需的更高頻率時(shí)鐘。同時(shí),具備音頻采樣率檢測(cè)電路,能自動(dòng)適應(yīng)常見(jiàn)的音頻采樣頻率。
數(shù)字音頻處理
TAS5825P的數(shù)字音頻處理包括基本音頻調(diào)諧模塊、Hybrid - Pro算法和高級(jí)功能。Hybrid - Pro算法通過(guò)跟蹤音頻信號(hào)包絡(luò)、控制外部PVDD電源電壓軌,在不影響(THD + N)性能的前提下,進(jìn)一步提高了效率。
放大器配置
支持BTL(橋接負(fù)載)和PBTL(并聯(lián)橋接負(fù)載)兩種放大器配置模式。BTL模式下,可放大兩個(gè)獨(dú)立的立體聲信號(hào);PBTL模式則將兩個(gè)輸出端并聯(lián),增加了功率輸出能力。
低EMI模式
為了降低電磁干擾(EMI),TAS5825P采用了擴(kuò)頻、通道間PWM相移和多設(shè)備PWM相位同步等多種模式。這些模式可根據(jù)具體應(yīng)用需求進(jìn)行配置,有效減少了EMI對(duì)系統(tǒng)的影響。
設(shè)計(jì)要點(diǎn)
元件選擇
- 自舉電容:輸出級(jí)使用高側(cè)NMOS驅(qū)動(dòng)器,需為每個(gè)輸出端子配備自舉電容,建議使用0.22μF的電容連接輸出引腳(OUT_X)和自舉引腳(BST_X)。
- 電感選擇:為確保峰值電流小于過(guò)流保護(hù)(OCP)值(7.5A),需根據(jù)不同的調(diào)制模式和工作條件選擇合適的電感。同時(shí),電感的飽和電流應(yīng)大于放大器在開(kāi)機(jī)和播放音頻時(shí)的峰值電流。
- 電源去耦:為保證高效率、低THD和高電源抑制比(PSRR),電源輸入需使用大于22μF的優(yōu)質(zhì)、低等效串聯(lián)電感(ESL)和低等效串聯(lián)電阻(ESR)電容進(jìn)行去耦,同時(shí)在PVDD引腳附近放置1μF或0.1μF的電容進(jìn)行高頻去耦。
- 輸出EMI濾波:通常使用LC濾波器過(guò)濾PWM調(diào)制輸出的載波頻率,減少電磁輻射,平滑電源電流波形。濾波器的元件選擇應(yīng)根據(jù)系統(tǒng)的具體要求進(jìn)行。
布局注意事項(xiàng)
- PVDD旁路電容放置:PVDD線上的小旁路電容應(yīng)盡可能靠近PVDD引腳,以減少電磁干擾,提高設(shè)備的可靠性。
- 熱性能優(yōu)化:為了優(yōu)化熱性能,應(yīng)避免在放大器附近放置其他發(fā)熱元件,使用更高層數(shù)的PCB提供更多的散熱能力,合理安排元件和銅層布局,確保熱量能夠有效散發(fā)。
總結(jié)
TAS5825P憑借其高效節(jié)能、卓越音頻性能、靈活配置和完善的保護(hù)機(jī)制,成為音頻放大器設(shè)計(jì)中的理想選擇。在實(shí)際應(yīng)用中,電子工程師們需根據(jù)具體需求,合理選擇元件、優(yōu)化布局,以充分發(fā)揮TAS5825P的優(yōu)勢(shì)。希望本文能為大家在使用TAS5825P進(jìn)行音頻設(shè)計(jì)時(shí)提供有價(jià)值的參考。你在使用類(lèi)似音頻放大器時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。
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