TAS5720L/M數(shù)字輸入單聲道D類音頻放大器：設(shè)計指南與應(yīng)用解析

在音頻放大器領(lǐng)域，D類放大器以其高效節(jié)能的特性備受關(guān)注。德州儀器（TI）的TAS5720L/M數(shù)字輸入單聲道D類音頻放大器，憑借其出色的性能和豐富的功能，在眾多音頻應(yīng)用中嶄露頭角。本文將深入剖析TAS5720L/M的特點、應(yīng)用場景以及設(shè)計要點，希望對電子工程師們有所幫助。

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產(chǎn)品概述

TAS5720L/M是一款專為小揚聲器動態(tài)功率余量設(shè)計的高效單聲道D類音頻功率放大器，能夠持續(xù)向4Ω揚聲器輸出超過15W的功率。它支持TDM音頻輸入，最多可傳輸8個聲道（32位，48kHz）的數(shù)據(jù)，還具備I2C控制接口，擁有8個可選的I2C地址，方便實現(xiàn)多設(shè)備的協(xié)同工作。

主要特性

1. 功率輸出：在失真度（THD）為0.15%的情況下，能向19V / 4Ω負載連續(xù)輸出20W功率。
2. 音頻輸入：支持TDM音頻輸入，最多8個聲道，滿足多聲道音頻傳輸需求。
3. I2C控制：具備8個可選的I2C地址，便于多個設(shè)備共享同一TDM總線。
4. 電源供應(yīng)：TAS5720L的功率放大器電源范圍為4.5V至16.5V，TAS5720M為4.5V至26.4V，數(shù)字I/O電源為3.3V。
5. 保護功能：具備熱保護和短路保護功能，確保設(shè)備在異常情況下的安全性。
6. 封裝形式：采用4mm × 4mm的32引腳VQFN封裝，節(jié)省PCB空間。

應(yīng)用場景

TAS5720L/M適用于多種音頻應(yīng)用場景，如：

1. 低音炮：為低音炮提供強勁的功率輸出，增強低音效果。
2. 便攜音響：滿足便攜設(shè)備對高效音頻放大的需求。
3. 條形音箱：適用于條形音箱的單聲道放大。
4. 環(huán)繞聲系統(tǒng)：可作為環(huán)繞聲系統(tǒng)中的一個聲道放大器。

技術(shù)細節(jié)解析

可調(diào)整的I2C地址

TAS5720L/M具有兩個地址引腳（ADR1和ADR0），允許最多8個I2C可尋址設(shè)備共享同一TDM總線。通過不同的引腳連接方式，可以實現(xiàn)不同的I2C設(shè)備ID設(shè)置，方便多設(shè)備的識別和控制。

I2C接口

該設(shè)備的I2C接口兼容Inter - Integrated Circuit（I2C）總線協(xié)議，支持100kHz和400kHz的數(shù)據(jù)傳輸速率。在數(shù)據(jù)傳輸過程中，通過SDA（數(shù)據(jù)）和SCL（時鐘）信號進行通信，每個字節(jié)的傳輸都需要接收設(shè)備的確認。

串行音頻接口（SAIF）

SAIF支持多種標(biāo)準(zhǔn)立體聲串行音頻格式，如I2S、左對齊和右對齊格式，還支持TDM格式，可在單條總線上傳輸最多8個聲道的音頻數(shù)據(jù)。對于不同的音頻格式，需要根據(jù)具體情況設(shè)置相應(yīng)的參數(shù)，如BCLK與LRCLK的比例、MCLK與LRCLK的比例等。

音頻信號路徑

音頻信號從TDM SAIF輸入后，經(jīng)過數(shù)字音量控制、高通濾波器、DAC和D類放大器等環(huán)節(jié)，最終輸出到揚聲器。其中，高通濾波器用于去除音頻中的直流成分，防止對揚聲器造成損壞；放大器的模擬增益和數(shù)字音量控制可以根據(jù)實際需求進行調(diào)整，以實現(xiàn)不同的輸出功率和音質(zhì)效果。

設(shè)備功能模式

關(guān)機模式（SDZ）

當(dāng)SDZ引腳或I2C SDZ寄存器位被置低時，設(shè)備進入關(guān)機模式。在該模式下，大部分模擬和數(shù)字模塊斷電，D類放大器功率級關(guān)閉，輸出引腳處于高阻態(tài)，但I2C通信仍可進行，寄存器狀態(tài)得以保留。

睡眠模式

睡眠模式類似于關(guān)機模式，但保留了部分用于快速啟動音頻播放的模擬和數(shù)字模塊。該模式下，D類放大器停止切換，但設(shè)備不完全斷電，且不會清除鎖存故障。

活動模式

當(dāng)設(shè)備既不處于關(guān)機模式也不處于睡眠模式時，即為活動模式，此時音頻播放功能開啟。

靜音模式

當(dāng)I2C_MUTE位被置高且設(shè)備處于活動模式時，音量逐漸降低，D類放大器繼續(xù)以空閑音頻輸入運行。

故障與狀態(tài)監(jiān)測

設(shè)備會對電源電壓、SAIF時鐘、芯片溫度、功率級負載電流和放大器輸出直流成分等進行監(jiān)測。當(dāng)檢測到異常時，設(shè)備會進入相應(yīng)的保護模式，并通過FAULTZ引腳和寄存器狀態(tài)進行指示。例如，當(dāng)檢測到SAIF時鐘錯誤時，設(shè)備會盡快進入睡眠模式，以減少音頻失真的可能性。

設(shè)計與應(yīng)用要點

典型應(yīng)用電路

以一個無濾波器的3線TDM應(yīng)用電路為例，該電路的設(shè)計要求包括：

1. 輸入電壓范圍：PVDD和AVDD為4.5V至26.4V，DVDD為3.3V至3.6V。
2. 輸入采樣率：44.1kHz至48kHz或88.2kHz至96kHz。
3. I2C時鐘頻率：最高400kHz。

設(shè)計步驟

1. 選擇PWM頻率：通過寫入PWM_RATE位（寄存器0x06的6 - 4位）來設(shè)置PWM頻率。默認設(shè)置為101，對應(yīng)單速應(yīng)用的16 × LRCLK和雙速應(yīng)用的8 × LRCLK。
2. 選擇放大器增益和數(shù)字音量控制：根據(jù)最大功率目標(biāo)和揚聲器阻抗，計算所需的輸出電壓擺幅，選擇合適的模擬增益設(shè)置（通過寫入ANALOG_GAIN位，寄存器0x06的3 - 2位）。數(shù)字音量控制可以通過VOLUME_CONTROL寄存器進行調(diào)整。
3. 選擇輸入電容：在PVDD輸入端選擇合適的大容量電容，以提供足夠的電壓裕量和電容值，滿足功率需求。同時，應(yīng)選擇低ESR類型的電容，以減少紋波和壓降。
4. 選擇去耦電容：在每個PVDD輸入端添加高質(zhì)量的去耦電容，以提高可靠性和音頻性能。建議使用X5R或更好等級的電容，并將其放置在靠近設(shè)備的PVDD和GND連接點處，以減少串聯(lián)電感。
5. 選擇自舉電容：每個輸出端需要自舉電容為高端輸出FET提供柵極驅(qū)動。建議使用0.22μF、25V的X5R質(zhì)量或更好的電容。

布局指南

在PCB布局時，需要特別注意功率級電源的布局。每個H橋有兩個PVDD輸入引腳，應(yīng)在附近放置去耦電容。同時，要盡量減小包含電源去耦電容、設(shè)備中的H橋和揚聲器連接的電流循環(huán)回路，以減少電磁輻射。使用接地平面可以為電源和信號電流提供最低阻抗路徑，將設(shè)備下方的區(qū)域作為中央接地區(qū)域，并將所有設(shè)備接地直接連接到該區(qū)域。

總結(jié)

TAS5720L/M數(shù)字輸入單聲道D類音頻放大器以其豐富的功能、高效的性能和靈活的配置選項，為電子工程師們在音頻設(shè)計領(lǐng)域提供了一個優(yōu)秀的解決方案。在實際應(yīng)用中，我們需要根據(jù)具體的需求和設(shè)計要求，合理選擇參數(shù)、優(yōu)化電路布局，以充分發(fā)揮該放大器的優(yōu)勢，實現(xiàn)高質(zhì)量的音頻輸出。希望本文能為大家在使用TAS5720L/M進行設(shè)計時提供一些有價值的參考。大家在實際設(shè)計過程中遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。