探索Microchip TC4426A/TC4427A/TC4428A：高性能MOSFET驅(qū)動(dòng)器

在電子工程師的日常工作中，選擇合適的MOSFET驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要。Microchip的TC4426A/TC4427A/TC4428A是一款卓越的1.5A雙路高速功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器，接下來(lái)就讓我們深入了解它的特性、參數(shù)、應(yīng)用以及封裝等方面的信息。

文件下載：TC4427AEOA.pdf

特性亮點(diǎn)

強(qiáng)大的輸出能力

這款驅(qū)動(dòng)器具有高達(dá)1.5A的高峰值輸出電流，能夠輕松應(yīng)對(duì)各種高負(fù)載需求。同時(shí)，它具備寬輸入電源電壓工作范圍，從 -4.5V到18V，為設(shè)計(jì)提供了更大的靈活性。

高效的負(fù)載驅(qū)動(dòng)

對(duì)于電容負(fù)載的驅(qū)動(dòng)能力十分出色，能夠在25ns（典型值）內(nèi)驅(qū)動(dòng)1000pF的電容，并且具有短延遲時(shí)間（典型值為30ns）。此外，其上升、下降和延遲時(shí)間都經(jīng)過(guò)匹配，確保了信號(hào)的穩(wěn)定傳輸。

低功耗與高可靠性

在功耗方面表現(xiàn)優(yōu)秀，邏輯‘1’輸入時(shí)典型供電電流為1mA，邏輯‘0’輸入時(shí)典型供電電流為100μA。同時(shí)，它具有低輸出阻抗（典型值為7Ω），并且具備閂鎖保護(hù)功能，能夠承受0.5A的反向電流。其輸入能夠承受高達(dá)5V的負(fù)輸入，所有引腳都具備2kV的靜電放電（ESD）保護(hù)，大大提高了器件的可靠性。

兼容性與封裝優(yōu)勢(shì)

該驅(qū)動(dòng)器與TC426/TC427/TC428以及TC4426/TC4427/TC4428引腳兼容，方便工程師進(jìn)行替換和升級(jí)。并且提供了節(jié)省空間的8引腳MSOP和8引腳6x5 DFN - S封裝，滿(mǎn)足不同的設(shè)計(jì)需求。

電氣參數(shù)

絕對(duì)最大額定值

在使用過(guò)程中，我們需要關(guān)注其絕對(duì)最大額定值。例如，電源電壓最大為 +22V，輸入電壓范圍為 (VDD + 0.3V) 到 (GND - 5V)。不同封裝的功率耗散也有所不同，DFN - S封裝的功率耗散與PCB上的銅焊盤(pán)面積有關(guān)，MSOP封裝為340mW，SOIC封裝為470mW，PDIP封裝為730mW。

DC特性

在DC特性方面，邏輯‘1’的高輸入電壓為2.4V，邏輯‘0’的低輸入電壓為 -0.8V。輸入電流在0V ≤ VIN ≤ VDD時(shí)為 -1.0 到 +1.0μA。輸出方面，高輸出電壓為VDD - 0.025V（DC測(cè)試），低輸出電壓為 -0.025V（DC測(cè)試）。輸出電阻在不同溫度和負(fù)載條件下有所變化，例如在IOUT = 10mA，VDD = 18V，TA = +25°C時(shí)，典型值為7Ω。

開(kāi)關(guān)時(shí)間

開(kāi)關(guān)時(shí)間也是重要的參數(shù)之一。上升時(shí)間、下降時(shí)間和延遲時(shí)間都受到溫度的影響。例如，在TA = +25°C時(shí)，上升時(shí)間典型值為25ns，下降時(shí)間典型值為25ns，延遲時(shí)間tD1典型值為30ns。隨著溫度的變化，這些時(shí)間會(huì)有所增加。

溫度特性

該驅(qū)動(dòng)器的工作溫度范圍有多種選擇，包括0°C到 +70°C、 -40°C到 +85°C以及 -40°C到 +125°C。最高結(jié)溫為 +150°C，存儲(chǔ)溫度范圍為 -65°C到 +150°C。不同封裝的熱阻也不同，如8L - 6x5 DFN - S封裝的熱阻為35.7°C/W，8L - MSOP封裝的熱阻為211°C/W。

典型性能曲線

文檔中提供了一系列典型性能曲線，展示了驅(qū)動(dòng)器在不同條件下的性能表現(xiàn)。例如，上升時(shí)間和下降時(shí)間與電源電壓、電容負(fù)載的關(guān)系；延遲時(shí)間與輸入幅度、電源電壓和溫度的關(guān)系；以及電源電流與頻率、電容負(fù)載的關(guān)系等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解驅(qū)動(dòng)器的性能特性，從而進(jìn)行合理的設(shè)計(jì)。

引腳描述

輸入引腳

MOSFET驅(qū)動(dòng)器的輸入A和B（IN A，IN B）是高阻抗、TTL/CMOS兼容的輸入。它們?cè)诟叩烷撝抵g具有300mV的遲滯，即使輸入信號(hào)的上升和下降時(shí)間非常緩慢，也能防止輸出出現(xiàn)毛刺。

接地引腳

接地引腳（GND）是偏置電流和用于放電外部負(fù)載電容的高峰值電流的返回路徑。該引腳應(yīng)連接到接地平面或與偏置電源源返回端有非常短的走線。

輸出引腳

輸出A和B（OUT A，OUT B）是低阻抗、CMOS推挽式輸出。下拉和上拉器件的強(qiáng)度相等，使得上升和下降時(shí)間相等。

電源輸入引腳

電源輸入引腳（VDD）是MOSFET驅(qū)動(dòng)器的偏置電源，額定電壓為4.5V到18V（相對(duì)于接地引腳）。該引腳應(yīng)使用本地陶瓷電容進(jìn)行旁路，電容值應(yīng)根據(jù)所驅(qū)動(dòng)的電容負(fù)載來(lái)選擇。

外露金屬焊盤(pán)

6x5 DFN - S封裝的外露金屬焊盤(pán)（EP）內(nèi)部未連接到任何電位。因此，該焊盤(pán)可以連接到印刷電路板上的接地平面或其他銅平面，以幫助從封裝中散熱。

應(yīng)用信息

該驅(qū)動(dòng)器適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，如開(kāi)關(guān)模式電源、線路驅(qū)動(dòng)器和脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)等。文檔中還提供了開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試電路的示例，方便工程師進(jìn)行測(cè)試和驗(yàn)證。

封裝信息

封裝標(biāo)記

它提供了多種封裝形式，包括8引腳DFN - S、8引腳MSOP、8引腳PDIP和8引腳SOIC。每種封裝都有其特定的標(biāo)記信息，包含了客戶(hù)特定信息、年份代碼、周代碼和可追溯性代碼等。

封裝尺寸

不同封裝的尺寸也有所不同，文檔中詳細(xì)給出了各個(gè)封裝的尺寸參數(shù)和公差要求。同時(shí)，還提醒工程師在設(shè)計(jì)時(shí)注意引腳1的視覺(jué)索引特征位置以及可能存在的模具飛邊或突起等問(wèn)題。

Microchip的TC4426A/TC4427A/TC4428A MOSFET驅(qū)動(dòng)器憑借其出色的性能、豐富的特性和多樣的封裝形式，為電子工程師在設(shè)計(jì)高速、高效的開(kāi)關(guān)電路時(shí)提供了一個(gè)優(yōu)質(zhì)的選擇。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需求，綜合考慮其電氣參數(shù)、性能曲線和封裝特點(diǎn)等因素，以確保設(shè)計(jì)的可靠性和穩(wěn)定性。你在使用類(lèi)似MOSFET驅(qū)動(dòng)器時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。