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LTC1981:低功耗MOSFET驅(qū)動(dòng)的理想之選

h1654155282.3538 ? 2026-02-05 10:40 ? 次閱讀
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LTC1981/LTC1982:低功耗MOSFET驅(qū)動(dòng)的理想之選

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,MOSFET驅(qū)動(dòng)的選擇至關(guān)重要,它直接影響著設(shè)備的性能和功耗。今天就來詳細(xì)聊聊Linear Technology的LTC1981/LTC1982這兩款低功耗、自包含的N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器。

文件下載:LTC1981.pdf

產(chǎn)品特性亮點(diǎn)

無需外部元件

內(nèi)部電壓三倍器能夠?yàn)檫壿嬰娖紽ET提供高端柵極驅(qū)動(dòng),這一特性大大簡化了電路設(shè)計(jì),減少了外部元件的使用,降低了成本和電路板空間。

超低功耗

這是LTC1981/LTC1982的一大突出優(yōu)勢。LTC1982每個(gè)驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電流僅為10μA,LTC1981導(dǎo)通電流為20μA,而關(guān)機(jī)電流均小于1μA。如此低的功耗,對于電池供電或?qū)拿舾械南到y(tǒng)來說,無疑是理想之選。

寬電壓范圍

VCC范圍為1.8V至5V,能夠適應(yīng)多種電池或輸入配置,增加了產(chǎn)品的通用性和適用性。

保護(hù)功能完善

關(guān)機(jī)期間柵極驅(qū)動(dòng)輸出接地,且內(nèi)部鉗位至最大7.5V,有效保護(hù)外部MOSFET柵極,避免因過壓而損壞。

其他特性

LTC1981還有“柵極驅(qū)動(dòng)就緒”輸出,可用于指示柵極驅(qū)動(dòng)輸出是否達(dá)到最終值的90%。此外,它們的應(yīng)用電路超小,LTC1981采用5引腳SOT - 23封裝,LTC1982采用6引腳SOT - 23封裝,非常適合對空間要求苛刻的應(yīng)用。

應(yīng)用領(lǐng)域廣泛

LTC1981/LTC1982適用于多種設(shè)備,如手機(jī)、便攜式POS終端、手持式電池供電設(shè)備等。在這些設(shè)備中,其低功耗和小尺寸的特點(diǎn)能夠充分發(fā)揮優(yōu)勢,提高設(shè)備的續(xù)航能力和便攜性。

電氣特性與性能表現(xiàn)

電氣特性

參數(shù) 條件 最小值 典型值 最大值 單位
VCC(工作電源電壓) G 1.8 - 5.5 V
ICC(電源電流) GATE 1和GATE 2輸出高;GATE 1或GATE 2輸出高;GATE輸出高(LTC1981) G - 17;10;17 30;20;30 μA
ISHDN(SHDN電源電流) SHDN 1和SHDN 2輸入低;SHDN輸入低(LTC1981) G - - 1 μA
VGATE(柵極驅(qū)動(dòng)輸出電壓) VCC不同值 G 不同值 不同值 不同值 V
fOSC(電荷泵振蕩器頻率) 帶10k電阻測量 - 600 - kHz
tON(導(dǎo)通時(shí)間) 不同條件 - 85;110 - μs
tOFF(關(guān)斷時(shí)間) 不同條件 - 12 - μs
VIL(SHDN輸入低電壓) VCC = 1.8V至5.5V G 0.4 - - V
VIH(SHDN輸入高電壓) VCC = 1.8V至5.5V G - - 1.6 V
CIN(SHDN輸入電容 - - 5 - pF
IIN(SHDN輸入泄漏電流) - - - ±1 μA

性能表現(xiàn)

從典型性能特性曲線可以看出,柵極驅(qū)動(dòng)電壓與電源電壓、電源電流與電源電壓等參數(shù)之間存在一定的關(guān)系。例如,隨著電源電壓的升高,柵極驅(qū)動(dòng)電壓也會相應(yīng)升高,但會受到內(nèi)部鉗位的限制。這些特性曲線能夠幫助工程師更好地了解產(chǎn)品在不同條件下的性能,從而進(jìn)行合理的設(shè)計(jì)。

引腳功能與工作原理

引腳功能

  • LTC1981:GDR用于指示柵極驅(qū)動(dòng)輸出狀態(tài);GND為接地引腳;SHDN用于控制芯片的關(guān)斷和導(dǎo)通;GATE為柵極驅(qū)動(dòng)輸出引腳;VCC為輸入電源電壓引腳。
  • LTC1982:SHDN 1和SHDN 2分別控制GATE 1和GATE 2的電荷泵;GND為接地引腳;GATE 1和GATE 2為柵極驅(qū)動(dòng)輸出引腳;VCC為輸入電源電壓引腳。

工作原理

內(nèi)部電荷泵由關(guān)斷輸入引腳控制,邏輯高電平使能相應(yīng)電荷泵,驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)輸出引腳高電平;邏輯低電平則禁用電荷泵,驅(qū)動(dòng)輸出引腳低電平。當(dāng)LTC1981的SHDN為低電平或LTC1982的SHDN 1和SHDN 2均為低電平時(shí),芯片進(jìn)入低電流關(guān)機(jī)模式。

應(yīng)用信息與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

邏輯電平MOSFET開關(guān)

LTC1981/LTC1982適用于邏輯電平N溝道MOSFET開關(guān)。在選擇MOSFET時(shí),當(dāng)電源電壓為5V或更高時(shí),要注意輸出電壓限制在6.9V至7.5V之間,應(yīng)選擇額定電壓為2.5V或更低的MOSFET,以確保其能充分導(dǎo)通。

為大電容負(fù)載供電

便攜式電池供電設(shè)備中的大濾波電容可能會導(dǎo)致電源毛刺。LTC1981/LTC1982的柵極驅(qū)動(dòng)輸出引腳內(nèi)部有電阻,通過添加外部電容可以形成RC延遲,降低MOSFET柵極的轉(zhuǎn)換速率,從而減少啟動(dòng)電流。同時(shí),添加電阻可以消除寄生振蕩,隔離并聯(lián)MOSFET的柵極也能減少開關(guān)之間的相互影響。

混合5V/3V系統(tǒng)

由于輸入ESD保護(hù)二極管參考地引腳,LTC1981/LTC1982可以直接與5V或3V的CMOS或TTL邏輯接口,增加了產(chǎn)品在不同電壓系統(tǒng)中的兼容性。

反向電池保護(hù)

通過在電源引腳串聯(lián)150Ω電阻,可以保護(hù)LTC1981/LTC1982免受反向電池的影響。同時(shí),在輸入引腳串聯(lián)10k電阻可以保護(hù)控制邏輯。

相關(guān)產(chǎn)品對比

產(chǎn)品編號 描述 備注
LTC1153/LTC1154 單高端微功耗MOSFET驅(qū)動(dòng)器 帶自動(dòng)復(fù)位的斷路器
LTC1155/LTC1255 雙高端微功耗MOSFET驅(qū)動(dòng)器 鎖存關(guān)斷電流限制
LTC1163/LTC1165 三通道1.8V至6V高端MOSFET驅(qū)動(dòng)器 8引腳SO封裝中的三個(gè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器
LTC1623 SMBus雙高端開關(guān)控制 使用外部開關(guān),兩個(gè)三態(tài)地址引腳
LTC1710 SMBus雙單片高端開關(guān) 使用內(nèi)部開關(guān),一個(gè)三態(tài)地址引腳

在實(shí)際設(shè)計(jì)中,工程師可以根據(jù)具體需求選擇合適的產(chǎn)品。

總的來說,LTC1981/LTC1982憑借其低功耗、小尺寸、完善的保護(hù)功能和廣泛的適用性,為電子工程師在MOSFET驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方面提供了一個(gè)優(yōu)秀的解決方案。你在使用類似產(chǎn)品時(shí)遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

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