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LTC1876:高效多相開關(guān)調(diào)節(jié)器的卓越之選

h1654155282.3538 ? 2026-02-05 14:25 ? 次閱讀
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LTC1876:高效多相開關(guān)調(diào)節(jié)器的卓越之選

在電子設(shè)計領(lǐng)域,電源管理一直是至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。今天,我們要深入探討的是 Linear Technology 公司的 LTC1876,一款高性能的三相輸出開關(guān)調(diào)節(jié)器,它在降低功耗、減少噪聲以及提高效率方面表現(xiàn)出色。

文件下載:LTC1876.pdf

一、核心特性剖析

1. 降壓控制器

  • 相位優(yōu)化:采用異相控制,有效減少所需的輸入電容電源感應(yīng)噪聲。這一特性使得在設(shè)計電路時,能夠降低對輸入電容的要求,從而節(jié)省成本和電路板空間。
  • OPTI - LOOP 補(bǔ)償:可在廣泛的輸出電容和 ESR 值范圍內(nèi)優(yōu)化瞬態(tài)響應(yīng)。這意味著無論輸出電容的參數(shù)如何變化,都能保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和快速響應(yīng)能力。
  • 寬輸入電壓范圍:支持 3.5V 至 36V 的輸入電壓,適用于多種電源場景。無論是低電壓的電池供電設(shè)備,還是高電壓的工業(yè)電源,LTC1876 都能穩(wěn)定工作。
  • 超低壓降運行:具備 99% 的占空比,可實現(xiàn)極低的壓降。在一些對電源效率要求極高的應(yīng)用中,這一特性能夠顯著提高系統(tǒng)的整體效率。

2. 升壓調(diào)節(jié)器

  • 高頻運行:工作開關(guān)頻率高達(dá) 1.2MHz,可使用小型低成本的電容器電感器。高頻運行不僅減小了外部元件的尺寸,還降低了成本。
  • 低內(nèi)部開關(guān)電壓:內(nèi)部開關(guān)的 (V{CESAT}) 低至 400mV(@ 1A,(V{IN}=3V)),提高了效率。低開關(guān)電壓意味著在傳輸相同功率時,開關(guān)損耗更小,從而提高了整體效率。
  • 寬輸入電壓范圍:輸入電壓范圍為 2.6V 至 16V,輸出電壓高達(dá) 34V,應(yīng)用靈活。這使得 LTC1876 能夠滿足不同的電壓轉(zhuǎn)換需求。

二、工作原理詳解

1. 主控制環(huán)路

LTC1876 采用恒定頻率、電流模式控制方案,為所有輸出提供出色的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)。降壓控制器的兩個開關(guān)驅(qū)動器以 180 度異相運行,有效減少輸入電流的紋波。在正常操作中,頂部 MOSFET 根據(jù)時鐘信號開啟,當(dāng)電感電流達(dá)到由 (ITH) 引腳電壓設(shè)定的閾值時關(guān)閉。底部 MOSFET 在頂部 MOSFET 關(guān)閉后開啟,直到電感電流開始反向或下一個周期開始。

2. 輔助調(diào)節(jié)器

輔助升壓調(diào)節(jié)器完全獨立于其他電路,即使降壓控制器處于關(guān)閉狀態(tài),也能正常工作。其工作原理與降壓控制器類似,通過振蕩器和 PWM 比較器控制功率開關(guān)的開關(guān),以保持輸出電壓的穩(wěn)定。

3. 低電流運行模式

  • 強(qiáng)制連續(xù)模式:當(dāng) (FCB) 引腳電壓低于 0.8V 時,控制器強(qiáng)制進(jìn)入連續(xù) PWM 電流模式。在這種模式下,頂部和底部 MOSFET 交替導(dǎo)通,以維持輸出電壓,不受電感電流方向的影響。
  • Burst Mode 模式:當(dāng) (FCB) 引腳電壓低于 (INTV_{CC}-2V) 但大于 0.8V 時,控制器進(jìn)入 Burst Mode 模式。這種模式在低電流時能夠提高效率,通過設(shè)置最小輸出電流水平,當(dāng)電感電流為負(fù)時關(guān)閉同步 MOSFET,減少開關(guān)損耗。

    4. 恒頻模式

    將 (FCB) 引腳連接到 (INTV_{CC}) 時,Burst Mode 模式被禁用,提供恒定頻率、不連續(xù)電流操作。這種模式雖然效率不如 Burst Mode 模式,但能提供更低的噪聲和更穩(wěn)定的頻率,適用于對噪聲敏感的應(yīng)用。

    5. 恒流(PWM)模式

    將 (FCB) 引腳接地時,強(qiáng)制進(jìn)入連續(xù)電流模式。這種模式效率最低,但在某些特定應(yīng)用中可能是必要的。

三、應(yīng)用設(shè)計要點

1. 外部組件選擇

  • (R_{SENSE}) 選擇:根據(jù)所需的輸出電流選擇 (R{SENSE}),計算公式為 (R{SENSE}=frac{50 mV}{I{MAX}})。合理選擇 (R{SENSE}) 能夠準(zhǔn)確設(shè)置電感電流的峰值,從而控制輸出電流。
  • 電感值計算:電感值與工作頻率和紋波電流密切相關(guān),計算公式為 (Delta I{L}=frac{1}{(f)(L)} V{OUT }left(1-frac{V{OUT }}{V{IN }}right))。在選擇電感值時,需要綜合考慮紋波電流、效率和成本等因素。
  • 功率 MOSFET 選擇:選擇邏輯級閾值 MOSFET,考慮“ON”電阻 (R{DS(ON)})、反向傳輸電容 (C{RSS}) 等參數(shù)。不同的輸入電壓和輸出電流要求,需要選擇合適的 MOSFET 以確保系統(tǒng)的效率和可靠性。
  • 電容選擇:(C{IN}) 選擇要考慮最壞情況下的 RMS 電流,其 RMS 電流計算公式為 (C{IN } Required I{RMS } approx I{MAX } frac{left[V{OUT }left(V{IN }-V{OUT }right)right]^{1 / 2}}{V{IN }})。(C_{OUT}) 選擇要滿足有效串聯(lián)電阻(ESR)要求,以確保輸出電壓的紋波在可接受范圍內(nèi)。

    2. (INTV{CC}/EXTV{CC}) 電源管理

  • (INTV_{CC}) 由內(nèi)部 5V 低壓差線性穩(wěn)壓器提供,需用至少 4.7μF 的鉭電容或其他低 ESR 電容進(jìn)行旁路。
  • 當(dāng) (EXTV{CC}) 電壓高于 4.7V 時,內(nèi)部穩(wěn)壓器關(guān)閉,(EXTV{CC}) 通過內(nèi)部開關(guān)連接到 (INTV_{CC}),可提高效率。

    3. 輸出電壓設(shè)置

    通過外部反饋電阻分壓器設(shè)置輸出電壓,降壓控制器的輸出電壓公式為 (V{OUT }=0.8 Vleft(1+frac{R 2}{R 1}right)),輔助升壓調(diào)節(jié)器的輸出電壓公式為 (V{OUTAUX }=1.26 Vleft(1+frac{R 8}{R 7}right))。

    4. 軟啟動/運行功能

    RUN/SS 引腳提供軟啟動功能,可降低輸入電源的浪涌電流。通過內(nèi)部 1.2μA 電流源對 (C_{SS}) 電容充電,當(dāng)電壓達(dá)到 1.5V 時,控制器開始工作。

    5. 故障保護(hù)

  • 過流鎖定:當(dāng)輸出電壓低于標(biāo)稱值的 70% 時,RUN/SS 電容開始放電,若持續(xù)時間過長,控制器將關(guān)閉,直到 RUN/SS 引腳電壓重置。
  • 限流和電流折返:電流比較器的最大感應(yīng)電壓為 75mV,當(dāng)輸出短路時,電流折返電路將最大感應(yīng)電壓從 75mV 逐漸降低到 25mV,以限制短路電流。
  • 過壓保護(hù):過壓比較器監(jiān)測輸出電壓,當(dāng)超過標(biāo)稱值的 7.5% 時,頂部 MOSFET 關(guān)閉,底部 MOSFET 開啟,直到過壓情況消除。

四、PCB 布局注意事項

1. 元件布局

  • 頂部 N 溝道 MOSFET 應(yīng)彼此間距在 1cm 以內(nèi),并共用 (C_{IN})。
  • 降壓控制器和升壓調(diào)節(jié)器的接地應(yīng)分開,信號地和功率地也應(yīng)分開。

    2. 走線長度

  • 頂部 N 溝道 MOSFET、肖特基二極管和 (C_{IN}) 電容形成的路徑應(yīng)短。
  • (AUXSW) 引腳、肖特基二極管和 (C_{OUT3}) 電容形成的路徑也應(yīng)短。

    3. 信號隔離

  • 開關(guān)節(jié)點(SW1、SW2、AUXSW)、頂部柵極節(jié)點(TG1、TG2)和升壓節(jié)點(BOOST1、BOOST2)應(yīng)遠(yuǎn)離敏感的小信號節(jié)點。

五、設(shè)計示例分享

1. 降壓控制器設(shè)計示例

假設(shè) (V{IN}=12V)(標(biāo)稱),(V{IN}=22V)(最大),(V{OUT}=1.8V),(I{MAX}=5A),(f=300kHz)。

  • 計算 (R_{SENSE}=50 mV / 5 A = 0.01 Omega)。
  • 選擇 4.7μH 電感,計算最大輸入電壓下的紋波電流 (Delta I_{L}=frac{1.8 V}{300 kHz(4.7 mu H)}left(1-frac{1.8 V}{22 V}right)=1.17 A),低于 30% 指導(dǎo)值。
  • 選擇合適的 MOSFET 并估算其功耗。

    2. 輔助調(diào)節(jié)器設(shè)計示例

    假設(shè) (V{IN}=5V),(V{OUT}=12V),(I_{outmax}=300mA)。

  • 計算占空比 (Duty Cycle = 1 - frac{V{I N}}{V{OUT }} = 0.58)。
  • 計算電感值 (L = 4.24 mu H),選擇 10μH 電感以降低紋波電流。
  • 選擇合適的肖特基二極管和電容。

LTC1876 以其豐富的功能和出色的性能,為電子工程師在電源管理設(shè)計中提供了一個強(qiáng)大的工具。通過合理選擇外部組件和精心設(shè)計 PCB 布局,能夠充分發(fā)揮其優(yōu)勢,滿足各種應(yīng)用的需求。在實際設(shè)計過程中,你是否遇到過類似的電源管理挑戰(zhàn)?你又是如何解決的呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。

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