01

內(nèi)容概覽

現(xiàn)有技術(shù)缺點(diǎn)

生長(zhǎng)窗口窄：傳統(tǒng)CVD對(duì)前驅(qū)體配比、溫度敏感，參數(shù)調(diào)控容錯(cuò)率低。

形貌難控：易團(tuán)聚、厚度不均，難以獲得高長(zhǎng)徑比納米帶。

轉(zhuǎn)移困難：傳統(tǒng)CVD生長(zhǎng)的納米帶與基底結(jié)合緊密，難以無(wú)損轉(zhuǎn)移至柔性基底。

文章亮點(diǎn)

乙醇輔助CVD：通過前驅(qū)體漿料控制金屬源釋放，實(shí)現(xiàn)140μm長(zhǎng)、10nm厚TiS3納米帶可擴(kuò)展生長(zhǎng)。

垂直排列結(jié)構(gòu)：納米帶垂直基底生長(zhǎng)，支持瞬時(shí)粘附轉(zhuǎn)移，適配柔性器件。

寬溫域穩(wěn)定電導(dǎo)：室溫電導(dǎo)率3.1×10? S/m，80-593K性能穩(wěn)定；柔性傳感器靈敏度135.3，耐773K高溫。

應(yīng)用場(chǎng)景

柔性傳感：實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)人體運(yùn)動(dòng)/溫度，抗形變干擾。

高溫電子：航空航天部件健康監(jiān)測(cè)，耐極端溫度。

納米互連：?jiǎn)胃{米帶作導(dǎo)線，提升集成密度。

總結(jié)

在本研究中，作者展示了一種乙醇輔助的CVD方法，用于可擴(kuò)展地生長(zhǎng)TiS3納米帶。該方法結(jié)合乙醇與TiCl4和硫粉，形成鈦源前驅(qū)體，從而實(shí)現(xiàn)了高產(chǎn)率的TiS3納米帶，其厚度低至10納米，長(zhǎng)度達(dá)到微米級(jí)（140±30微米，縱橫比約為260）。此外，這些納米帶在基底上表現(xiàn)出外延垂直排列，便于靈活轉(zhuǎn)移至任意目標(biāo)基底。單根TiS3納米帶在80至593 K的溫度范圍內(nèi)展現(xiàn)出高電導(dǎo)率（σ293 K = 3.1 × 10^4 S/m）?；赥iS3納米帶網(wǎng)絡(luò)的柔性應(yīng)變傳感器顯示出高達(dá)135.3的靈敏度因子，寬廣的應(yīng)變檢測(cè)范圍（40–7400 με），以及對(duì)高達(dá)773 K溫度的強(qiáng)耐受性。該策略為TMTCs的合成提供了一條獨(dú)特路徑，為高性能柔性電子設(shè)備的發(fā)展提供了重要的材料支持。

02

圖文簡(jiǎn)介

圖 1 TiS3 納米帶的生長(zhǎng)與形態(tài)。(a) 合成過程的示意圖。 (b) 覆蓋有 TiS3 納米帶的 SiO2/Si 基底的照片。 (c,d) TiS3 納米帶的平鋪視圖和側(cè)視圖掃描電子顯微鏡 (SEM) 圖像。 (e) TiS3 的晶體結(jié)構(gòu)。 (f,g) 典型 TiS3 納米帶的明場(chǎng)、暗場(chǎng)光學(xué)圖像及 SEM 圖像。 (h) 對(duì)應(yīng)于 (g) 中虛線框區(qū)域的 TiS3 納米帶的 SEM 圖像。 (i,j) 對(duì)應(yīng)于 (g) 中虛線框區(qū)域的 TiS3 納米帶的原子力顯微鏡 (AFM) 拓?fù)鋱D和剖面圖。比例尺： (b) 為 1 cm， (c,d,i) 為 5 μm， (f,g) 為 10 μm， (h,i) 為 1 μm。

圖2 TiS3納米棒的組成和結(jié)構(gòu)分析。(a) 合成的單個(gè)TiS3納米棒的透射電子顯微鏡(TEM)圖像。(b) TiS3納米棒的高角度環(huán)形暗場(chǎng)(HAADF)TEM圖像及相應(yīng)的能譜分析(EDS)。 (c–e) 分別沿[001]區(qū)軸觀察的TiS3納米棒的選區(qū)電子衍射(SAED)、高分辨率透射電子顯微鏡(HRTEM)和HAADF-掃描透射電子顯微鏡(STEM)圖像。(f,g) 分別沿[100]區(qū)軸觀察的TiS3納米棒的HRTEM圖像及相應(yīng)的快速傅里葉變換(FFT)圖案。(h) 新鮮TiS3納米棒及保存8個(gè)月和12個(gè)月的TiS3納米棒的拉曼光譜。比例尺：在(a)中為100納米，在(b)中為50納米，在(c–g)中為5 1/nm，在(e)中為2納米，在(d–f)中為5納米。

圖3 合成的TiS3納米棒的瞬時(shí)粘附轉(zhuǎn)移。(a,b) 利用低粘附性和高粘附性基底操控豎立的TiS3納米棒陣列的干轉(zhuǎn)移過程工作流程。(c) 轉(zhuǎn)移到各種粘附基底上的TiS3樣品的明場(chǎng)和暗場(chǎng)光學(xué)圖像。比例尺：100 μm。

圖4 轉(zhuǎn)移的TiS3納米棒的溫度依賴電特性。(a) TiS3納米棒基場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的示意圖，配有鉻/金接觸和相應(yīng)的光學(xué)圖像。比例尺：20微米。 (b) 在室溫（293 K）下，TiS3 FET的輸出曲線，Vgs范圍為?70至70 V。 (c) 在Vds = 0.5 V下，TiS3 FET的轉(zhuǎn)移特性。 (d) 從80 K到593 K的TiS3納米棒的溫度依賴輸出曲線，Vgs = 0 V。 (e) 在Vds = 0.5 V下，TiS3納米棒的溫度依賴轉(zhuǎn)移曲線。 (f) 從(e)中提取的TiS3納米棒的電流-溫度曲線。插圖顯示在Vgs = 0 V下，隨溫度變化的導(dǎo)電性變化。

圖5 TiS3納米條柔性應(yīng)變傳感器的電機(jī)械行為（彎曲測(cè)試頻率：0.19 Hz）。(a) TiS3納米條柔性傳感器及其雙向彎曲機(jī)制的示意圖。(b) 在室溫下，基于PI膠帶基底制造的TiS3柔性應(yīng)變傳感器在向后彎曲時(shí)的電響應(yīng)。插圖顯示了傳感器在250 με應(yīng)變水平下的響應(yīng)。(c) 與(b)對(duì)應(yīng)的應(yīng)變依賴傳感響應(yīng)和增益因子(GF)。(d,e) 向前彎曲響應(yīng)及其應(yīng)變依賴特性。(f) 在293至773 K溫度范圍內(nèi)，基于云母基底制造的應(yīng)變傳感器在向后彎曲時(shí)的歸一化電阻。應(yīng)變范圍為40至365 με。(g,h) 分別與(f)對(duì)應(yīng)的應(yīng)變依賴傳感響應(yīng)和增益因子(GF)。

審核編輯 黃宇