在追求高效能與高可靠性的工業(yè)存儲解決方案中，MRAM存儲芯片以其獨(dú)特的非易失性與近乎無限的耐用性，正成為新一代存儲技術(shù)的焦點(diǎn)。作為NETSOL的代理，英尚推出的NETSOL Parallel STT-MRAM系列存儲芯片，專為需要快速數(shù)據(jù)存取與長期穩(wěn)定保存的嚴(yán)苛應(yīng)用而設(shè)計，是替代傳統(tǒng)NOR Flash、FeRAM與nvSRAM等方案的理想選擇。

英尚代理的這款NETSOL MRAM存儲芯片，憑借其自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲器（STT-MRAM）技術(shù)，實現(xiàn)了高速讀寫與非易失特性的完美結(jié)合。MRAM存儲芯片不僅能在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，還具備“無限次”讀取耐力與高達(dá)10^14次的擦寫周期，遠(yuǎn)超常規(guī)閃存，極大提升了系統(tǒng)整體壽命與數(shù)據(jù)完整性。

Parallel STT-MRAM系列存儲芯片提供從4Mb到64Mb的多種容量選擇，支持1.8V與3.3V兩種寬電壓供電，兼容性強(qiáng)，可靈活適配不同工業(yè)設(shè)備的電源設(shè)計。MRAM存儲芯片標(biāo)準(zhǔn)的Parallel異步接口（x16/x8 I/O）確保與現(xiàn)有系統(tǒng)架構(gòu)順暢對接，簡化升級流程。

即使在高達(dá)85℃的工業(yè)高溫環(huán)境下，MRAM存儲芯片的數(shù)據(jù)保存期限仍可確保長達(dá)20年，無需外部ECC（糾錯碼）支持，既降低了系統(tǒng)復(fù)雜度，也提高了數(shù)據(jù)存儲的可靠性。MRAM存儲芯片提供48FBGA、44TSOP2及54TSOP2等多種封裝形式，為緊湊型設(shè)備布局提供了便利。

NETSOL Parallel STT-MRAM系列存儲芯片部分型號
①NETSOL Parallel STT-MRAM系列存儲芯片S3R4016V1M
②NETSOL Parallel STT-MRAM系列存儲芯片S3R4008V1M
③NETSOL Parallel STT-MRAM系列存儲芯片S3R4016R1M
④NETSOL Parallel STT-MRAM系列存儲芯片S3R4008R1M
⑤NETSOL Parallel STT-MRAM系列存儲芯片S3R8016V1M
⑥NETSOL Parallel STT-MRAM系列存儲芯片S3R8008V1M
⑦NETSOL Parallel STT-MRAM系列存儲芯片S3R8016R1M
⑧NETSOL Parallel STT-MRAM系列存儲芯片S3R8008R1M
⑨NETSOL Parallel STT-MRAM系列存儲芯片S3R1616V1M
⑩NETSOL Parallel STT-MRAM系列存儲芯片S3R1608V1M
?NETSOL Parallel STT-MRAM系列存儲芯片S3R1616R1M
?NETSOL Parallel STT-MRAM系列存儲芯片S3R1608R1M
?NETSOL Parallel STT-MRAM系列存儲芯片S3R3216V1M
?NETSOL Parallel STT-MRAM系列存儲芯片S3R3216R1M
?NETSOL Parallel STT-MRAM系列存儲芯片S3R6416V1M

作為NETSOL的一級代理商，英尚微電子提供豐富的MRAM產(chǎn)品，具備專業(yè)的技術(shù)支持團(tuán)隊，能夠為客戶提供從選型到設(shè)計服務(wù)。如果您有MRAM產(chǎn)品方面的任何疑問，可以搜索英尚微電子網(wǎng)頁咨詢。

審核編輯 黃宇