功率半導(dǎo)體是指在電子設(shè)備中用于電源轉(zhuǎn)換或者電源管理的半導(dǎo)體。隨著對(duì)節(jié)能減排的需求迫切，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已從工業(yè)控制和4C領(lǐng)域，進(jìn)入新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場(chǎng)。

數(shù)據(jù)顯示，2017年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中，工業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)占比為34%，汽車應(yīng)用市場(chǎng)占比為23%，消費(fèi)電子應(yīng)用占比為20%，無(wú)線通訊應(yīng)用占比為23%。

國(guó)內(nèi)功率器件的應(yīng)用分布

半導(dǎo)體功率器件在功率半導(dǎo)體中十分重要。目前，國(guó)內(nèi)以揚(yáng)杰科技、華微電子、士蘭微為代表的功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)市場(chǎng)占有率非常低，進(jìn)口替代的空間巨大。據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院，2018年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)中，排名第一的為吉林華微科技，2017年?duì)I收達(dá)16.4億元。揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技排名第二，2017年?duì)I收為14.7億元。以下為排名：

國(guó)內(nèi)功率器件十強(qiáng)

功率器件市場(chǎng)現(xiàn)狀：歐美日把持，國(guó)內(nèi)仍需努力

縱觀整個(gè)功率器件市場(chǎng)，整體態(tài)勢(shì)是歐美日廠商三足鼎立。 其中美國(guó)功率器件處于世界領(lǐng)先地位，擁有一批具有全球影響力的廠商，例如 TI、Fairchild、Maxim、ADI、ONSemiconductor和 Vishay 等廠商。歐洲擁有 Infineon、ST 和 NXP 三家全球半導(dǎo)體大廠。日本主要有 Toshiba、 Renesas、 Rohm、 Matsushita、Fuji Electric 等。中國(guó)***擁有富鼎先進(jìn)、茂達(dá)、安茂、致新和沛亨等一批廠商。而我國(guó)則有上述代表。

功率半導(dǎo)體器件細(xì)分領(lǐng)域多， 行業(yè)整體增速較緩，大廠傾向于業(yè)內(nèi)并購(gòu)，通過(guò)布局新領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)增長(zhǎng)。 2016 年英飛凌科技成為全球功率半導(dǎo)體的主要供應(yīng)商，其在 2015 年初收購(gòu)美國(guó)國(guó)際整流器公司（InternationalRectifier）后，英飛凌超過(guò)三菱電機(jī)成為領(lǐng)先的功率模塊制造商。 德州儀器在 2015 年被英飛凌超越后，于 2016年退居全球第二。 安森美完成對(duì)飛兆半導(dǎo)體（Fairchild）的收購(gòu)后，市場(chǎng)排名升至第三位，其在功率分立器件市場(chǎng)份額躍升 10%。 2016 年建廣資本以 27.5 億美元并購(gòu)了 NXP 的標(biāo)準(zhǔn)器件部門(mén)，中國(guó)企業(yè)首次進(jìn)入行業(yè)全球前十強(qiáng)。

雖然國(guó)內(nèi)功率器件近幾年獲得了不少的突破，且國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模大，但我們應(yīng)該看到國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)仍處于起步階段。

據(jù)賽迪顧問(wèn)， 2016 年， 中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到了 1496 億元， 占據(jù)了全球 40%以上的市場(chǎng)。 然而供應(yīng)鏈仍然被國(guó)外廠商所壟斷， 國(guó)內(nèi)企業(yè)相對(duì)而言規(guī)模較小、技術(shù)落后、品類不全，產(chǎn)業(yè)仍然處于起步和加速追趕的階段。 國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)排名第一的吉林華微， 2016 年?duì)I收為 13.95 億元，凈利潤(rùn)僅為 4060 萬(wàn)元。而全球行業(yè)老大英飛凌 2016 集團(tuán)營(yíng)收高達(dá) 64.73 億歐元， 中國(guó)龍頭企業(yè)和行業(yè)龍頭的差距在 30 倍以上。

據(jù) Yole， 功率 IC 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局成熟，供應(yīng)鏈較為完善。 美國(guó)在功率 IC 領(lǐng)域具有絕對(duì)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，歐洲在功率 IC 和功率分立器件方面也都具有較強(qiáng)實(shí)力， 日本在功率 IC 芯片方面，雖然廠商數(shù)量眾多，但整體市場(chǎng)份額不高。 功率 IC 下游核心產(chǎn)品—電源 IC， Dialog、 Qualcomm 以及 Maxim 三家主要供應(yīng)商以遙遙領(lǐng)先的市占率主宰了智能手機(jī)市場(chǎng)。 2016 年建廣資本 27.5 億美元收購(gòu) NXP 標(biāo)準(zhǔn)部門(mén)完成交割，力圖填補(bǔ)國(guó)內(nèi)汽車、工業(yè) IC 領(lǐng)域空白。

細(xì)分到各個(gè)領(lǐng)域，在功率二極管方面，國(guó)內(nèi)廠商具競(jìng)爭(zhēng)力，進(jìn)口替代空間大。

這個(gè)領(lǐng)域，國(guó)際最大廠商是 Vishay，占據(jù)11.71%市場(chǎng)份額，而后第二至第七大廠商市場(chǎng)份額為 5%-8%，與第一相差無(wú)幾，再在其后廠商市場(chǎng)份額不足 5%，市場(chǎng)相對(duì)分散。其中國(guó)內(nèi)廠商揚(yáng)杰科技市場(chǎng)份額為 2.01%。功率二極管技術(shù)成熟、市場(chǎng)進(jìn)入門(mén)檻低， 注重的是生產(chǎn)過(guò)程的控制和成本的控制。國(guó)內(nèi)廠商由于生產(chǎn)工藝控制精湛、人力成本低具有一定競(jìng)爭(zhēng)力，國(guó)產(chǎn)替代空間較大。 根據(jù)工信部發(fā)布的中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計(jì)年鑒， 自 2014 年后， 中國(guó)二極管及類似半導(dǎo)體器件出口數(shù)量持續(xù)超過(guò)進(jìn)口額。

在硅基MOSFET方面，國(guó)內(nèi)廠商潛力大，進(jìn)口替代正當(dāng)時(shí)。國(guó)內(nèi)廠商主要集中在低壓 MOSFET領(lǐng)域，中高壓 MOSFET 主要被國(guó)外廠商占據(jù)。據(jù) IHS，國(guó)內(nèi)功率 MOSFET 市場(chǎng)主要廠商是英飛凌， 2016 年市場(chǎng)份額達(dá) 28.5%，與位于第二的安森美半導(dǎo)體占據(jù)了國(guó)內(nèi)將近一半市場(chǎng)。國(guó)內(nèi)廠商只有士蘭微和吉林華微上榜，分別占據(jù)了 1.9%和 1.1%的市場(chǎng)份額，進(jìn)口替代的空間巨大。

2016 年， 建廣資本以 27.5 億元收購(gòu)恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門(mén)， 成立一家名為 Nexperia 的獨(dú)立公司。

Nexperia 承接了 NXP 中 MOSFET 所有業(yè)務(wù)，一躍成為 MOSFET 領(lǐng)域全球第十、國(guó)內(nèi)第八（市場(chǎng)份額 3.8%）的廠商。 NXP 是工業(yè)與汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域大廠商， 相比之下，工業(yè)和汽車半導(dǎo)體一直是中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的弱項(xiàng)，由于這個(gè)領(lǐng)域的產(chǎn)品門(mén)類多、單量小、售價(jià)高、迭代慢，國(guó)內(nèi)企業(yè)很難進(jìn)入。 Nexperia 的成立彌補(bǔ)了國(guó)內(nèi)廠商在這一領(lǐng)域的短板。此外， 2016年建廣資本還與 NXP 成立合資公司瑞能半導(dǎo)體，產(chǎn)品主要為二極管、雙極性晶體管、可控硅整流器， 以及收購(gòu) NXP RF Power 部門(mén)，成立安譜隆公司致力于射頻技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新與研發(fā)。

至于硅基 IGBT，海外廠商優(yōu)勢(shì)明顯， CR4 高達(dá) 70.8%。

據(jù) IHS， 2016 年， 英飛凌、 三菱電機(jī)、 富士電機(jī)(Fuji Electric)、 德國(guó)賽米控(SEMIKRON)四大海外供應(yīng)商占了全球 IGBT 市場(chǎng)的 70.8%。盡管中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占世界市場(chǎng)的 40%以上，但在 IGBT 主流器件上， 90%主要依賴進(jìn)口，目前僅在大功率軌道交通領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國(guó)產(chǎn)化， 2016 年國(guó)廠嘉興斯達(dá)、中國(guó)中車市占率分別為 1.6/0.6%。

值得一提的是中國(guó)中車，他們立足高鐵用 IGBT，快速推進(jìn)。 在合并前，北車在 IGBT 模塊封裝上與 ABB技術(shù)合作，建設(shè)高功率模塊生產(chǎn)線，成為國(guó)內(nèi)首家能夠封裝 6500V 大功率模塊及解決方案的提供商。南車則在海外收購(gòu) Dynex 公司建立 IGBT 芯片設(shè)計(jì)中心，總投資 14 億元建設(shè)國(guó)內(nèi)首條八英寸 IGBT 芯片生產(chǎn)線，除芯片外，還有 9 條滿足不同行業(yè)的 IGBT 模塊生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)完全投產(chǎn)后，中車將年產(chǎn) 12 萬(wàn)片 8 英寸 IGBT 芯片和 100 萬(wàn)只 IGBT 模塊。

來(lái)到第三代半導(dǎo)體方面，依然是海外公司技術(shù)領(lǐng)先， 國(guó)內(nèi)起步時(shí)間晚， 尚在追趕。

SiC 關(guān)鍵技術(shù)由海外公司壟斷，從產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，上游部分， CREE 公司獨(dú)占 SiC 晶元制造市場(chǎng)份額 60%以上；中游部分，英飛凌、 CREE、意法半導(dǎo)體和安森美等功率半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)際排名前十的企業(yè)合計(jì)已在 SiC 功率器件市場(chǎng)占據(jù) 50%以上份額。 相比于美國(guó) CREE 公司于 2003 年推出 SiC 產(chǎn)品， 國(guó)內(nèi)公司起步晚，技術(shù)相對(duì)落后。直到 2015 年初，泰科天潤(rùn)才首次實(shí)現(xiàn)了碳化硅肖特基二極管的量產(chǎn)，目前國(guó)內(nèi) SiC 產(chǎn)業(yè)規(guī)模于國(guó)外相比尚有較大差距。

由此可見(jiàn)，對(duì)于中國(guó)功率器件廠商來(lái)說(shuō)，依然任重而道遠(yuǎn)！