正向偏置時(shí)，空間電荷區(qū)縮小，削弱內(nèi)電場，外電場增大到一定值以后，擴(kuò)散電流顯著增加，形成明顯的正向電流，PN結(jié)導(dǎo)通。

反向偏置時(shí)，空間電荷區(qū)拓展，加強(qiáng)內(nèi)電場，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)大大減弱，少子的漂移運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)并占優(yōu)勢。然而常溫下?lián)诫s半導(dǎo)體的少子濃度很低，反向電流遠(yuǎn)小于正向電流。

溫度一定時(shí)，少子濃度一定，PN結(jié)反向電流幾乎與外加反向電壓無關(guān)，所以又稱為反向飽和電流。

PN結(jié)的電容特性

PN結(jié)除具有非線性電阻特性外，還具有非線性電容特性，主要有勢壘電容和擴(kuò)散電容。

1、勢壘電容：勢壘區(qū)類似平板電容器，其交界兩側(cè)存儲(chǔ)著數(shù)值相等極性相反的離子電荷，電荷量隨外加電壓而變化，稱為勢壘電容，用CT表示。

CT=dQ/dV

PN結(jié)有突變結(jié)和緩變結(jié)，現(xiàn)考慮突變結(jié)情況（緩變結(jié)參見《晶體管原理》），PN結(jié)相當(dāng)于平板電容器，雖然外加電場會(huì)使勢壘區(qū)變寬或變窄但這個(gè)變化比較小可以忽略，

則CT=εS/L，已知?jiǎng)討B(tài)平衡下阻擋層的寬度L0，代入上式可得：

CT不是恒值，而是隨V而變化，利用該特性可制作變?nèi)?a target="_blank">二極管。

2、擴(kuò)散電容：多子在擴(kuò)散過程中越過PN結(jié)成為另一方的少子，當(dāng)PN結(jié)處于平衡狀態(tài)（無外加電壓）時(shí)的少子稱為平衡少子可以認(rèn)為阻擋層以外的區(qū)域內(nèi)平衡少子濃度各處是一樣的，當(dāng)PN結(jié)處于正向偏置時(shí)，N區(qū)的多子自由電子擴(kuò)散到P區(qū)成為P區(qū)的非平衡少子，由于濃度差異還會(huì)向P區(qū)深處擴(kuò)散，距交界面越遠(yuǎn)，非平衡少子濃度越低，其分布曲線見［PN結(jié)的伏安特性］。當(dāng)外加正向電壓增大時(shí)，濃度分布曲線上移，兩邊非平衡少子濃度增加即電荷量增加，為了維持電中性，中性區(qū)內(nèi)的非平衡多子濃度也相應(yīng)增加，這就是說，當(dāng)外加電壓增加時(shí)，P區(qū)和N區(qū)各自存儲(chǔ)的空穴和自由電子電荷量也增加，這種效應(yīng)相當(dāng)于在PN結(jié)上并聯(lián)一個(gè)電容，由于它是載流子擴(kuò)散引起的，故稱之為擴(kuò)散電容CD，由半導(dǎo)體物理推導(dǎo)得CD=（I+Is）τp/VT推導(dǎo)過程參見《晶體管原理》。

當(dāng)外加反向電壓時(shí)I=Is，CD趨于零。