低功耗利器:DS2746電池監(jiān)測芯片詳解
在電子設(shè)備的設(shè)計中,電池容量監(jiān)測是一個至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。尤其是在成本敏感的應(yīng)用場景下,選擇一款合適的電池監(jiān)測芯片能有效提升產(chǎn)品的性能和競爭力。今天,我們就來深入了解一下Maxim公司的DS2746芯片,看看它是如何實現(xiàn)高效、精準的電池容量監(jiān)測的。
文件下載:DS2746.pdf
一、DS2746概述
DS2746是一款專為成本敏感型應(yīng)用設(shè)計的系統(tǒng)側(cè)電池容量監(jiān)測芯片。它通過2線接口向主機處理器提供電壓、雙向電流和累積電流測量數(shù)據(jù)。偏移偏置和偏移消隱功能大大提高了庫侖計數(shù)器的精度。此外,該芯片還有兩個輔助A/D輸入,可用于采樣電池組識別電阻、熱敏電阻或其他電壓源,測量結(jié)果以電源電壓的比例分數(shù)形式報告,消除了與電源相關(guān)的誤差。
主要特性
- 高精度電流測量:具備14位雙向電流測量能力,LSB為6.25μV,動態(tài)范圍為±51.2mV。當(dāng)(R_{SNS}=15mΩ)時,LSB為416.7μA,范圍為±3.4A。
- 高分辨率電壓測量:11位電池電壓測量,LSB為2.44mV,輸入范圍為0V至4.5V,在3.6V輸入時精度為±10mV。
- 輔助輸入測量:兩個11位輔助輸入電壓測量,比例輸入消除電源誤差,(V_{OUT})驅(qū)動分壓器,降低功耗,精度為±8 LSB。
- 低功耗設(shè)計:典型工作電流為70μA,最大100μA;睡眠電流典型值為1μA,最大3μA。
二、應(yīng)用領(lǐng)域
DS2746的應(yīng)用范圍非常廣泛,常見于以下設(shè)備:
- 無線手持設(shè)備:如2.5G/3G無線手機、PDA/智能手機等。
- 數(shù)碼影像設(shè)備:包括數(shù)碼相機和數(shù)碼攝像機。
- 手持計算機和終端:為這些設(shè)備提供精確的電池容量監(jiān)測。
三、電氣特性
絕對最大額定值
- 電壓范圍:任何引腳相對于地的電壓范圍為 -0.3V至 +6V。
- 溫度范圍:工作溫度范圍為 -40°C至 +85°C,存儲溫度范圍為 -55°C至 +125°C。
- 焊接溫度:需參考IPC/JEDEC J - STD - 020A標準。
推薦直流工作條件
| 在(V{DD}=2.5V)至4.5V,(T{A}=-20^{circ}C)至 +70°C的條件下,各引腳的電壓范圍如下: | 參數(shù) | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源電壓 | (V_{DD}) | +2.5 | +4.5 | V | |||
| 數(shù)據(jù)I/O引腳 | SCL, SDA | -0.3 | +5.5 | V | |||
| 可編程I/O引腳 | PIO | -0.3 | +5.5 | V | |||
| (V_{IN}), AIN0, AIN1引腳 | (V_{IN}), AIN0, AIN1 | -0.3 | (V_{DD}) + 0.3 | V |
DC電氣特性
| 在上述工作條件下,芯片的各項電氣特性參數(shù)如下: | 參數(shù) | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 工作電流 | (I_{ACTIVE}) | 70 | 100 | μA | |||
| (V_{DD}=4.5V) | 105 | μA | |||||
| 睡眠模式電流 | (I_{SLEEP}) | (V{DD}=2.0V), SCL, SDA = (V{ss}) | 0.5 | 1.0 | μA | ||
| SCL, SDA = (V_{ss}) | 1 | 3 | μA | ||||
| 電流分辨率 | (I_{LSB}) | 6.25 | μV | ||||
| 電流滿量程 | (I_{FS}) | ±51.2 | mV | ||||
| 電流偏移 | (I_{OERR}) | -12.5 | +12.5 | μV | |||
| 電流增益誤差 | (I_{GERR}) | -1.5 | +1.5 | % of reading | |||
| 時基精度 | (V_{DD}=3.6V) at +25°C | -1 | +1 | % | |||
| (T_{A}=0^{circ}C) to +70°C | -2 | +2 | % | ||||
| (T_{A}=-20^{circ}C) to +70°C | -3 | +3 | % | ||||
| 電壓誤差 | (V_{GERR}) | (V{DD}=V{IN}=3.6V) | -10 | +10 | mV | ||
| -20 | +20 | mV | |||||
| 輸入電阻 (V_{IN}), AIN0, AIN1 | (R_{IN}) | 15 | MΩ | ||||
| AIN0, AIN1誤差 | (AIN_{GERR}) | -8 | +8 | LSB | |||
| (V_{OUT})輸出驅(qū)動 | (I_{O}=1mA) | (V_{DD}) - 0.1 | V | ||||
| (V_{OUT})預(yù)充電時間 | (t_{PRE}) | (V_{ODIS}) bit = 0 | 13.3 | 14.2 | ms | ||
| 輸入邏輯高:SCL, SDA | (V_{IH}) | 1.5 | V | ||||
| 輸入邏輯低:SCL, SDA | (V_{IL}) | 0.6 | V | ||||
| 輸出邏輯低:SDA | (V_{OL}) | (I_{OL}=4mA) | 0.4 | V | |||
| 下拉電流:SCL, SDA | (I_{PD}) | (V{DD}=4.2V), (V{PIN}=0.4V) | 0.2 | μA | |||
| 輸入電容:SCL, SDA | (C_{BUS}) | 50 | pF | ||||
| 總線低超時時間 | (t_{SLEEP}) | 2.2 | s |
2線接口電氣特性
| 參數(shù) | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SCL時鐘頻率 | (f_{SCL}) | 0 | 400 | KHz | ||
| 停止和起始條件之間的總線空閑時間 | (t_{BUF}) | 1.3 | μs | |||
| 重復(fù)起始條件的保持時間 | (t_{HD:STA}) | 0.6 | μs | |||
| SCL時鐘的低電平周期 | (t_{LOW}) | 1.3 | μs | |||
| SCL時鐘的高電平周期 | (t_{HIGH}) | 0.6 | μs | |||
| 重復(fù)起始條件的建立時間 | (t_{SU:STA}) | 0.6 | μs | |||
| 數(shù)據(jù)保持時間 | (t_{HD:DAT}) | 0 | 0.9 | μs | ||
| 數(shù)據(jù)建立時間 | (t_{SU:DAT}) | 100 | ns | |||
| SDA和SCL信號的上升時間 | (t_{R}) | 20 + 0.1(C_{B}) | 300 | ns | ||
| SDA和SCL信號的下降時間 | (t_{F}) | 20 + 0.1(C_{B}) | 300 | ns | ||
| 停止條件的建立時間 | (t_{SU:STO}) | 0.6 | μs | |||
| 輸入濾波器抑制的尖峰脈沖寬度 | (t_{SP}) | 0 | 50 | ns | ||
| 每條總線的電容負載 | (C_{B}) | 400 | pF | |||
| SCL, SDA輸入電容 | (C_{BIN}) | 60 | pF |
四、引腳描述
| 引腳 | 名稱 | 功能 |
|---|---|---|
| 1 | AIN1 | 輔助電壓輸入1 |
| 2 | AIN0 | 輔助電壓輸入0 |
| 3 | SCL | 串行時鐘輸入,2線時鐘線 |
| 4 | SDA | 串行數(shù)據(jù)輸入/輸出,開漏2線數(shù)據(jù)線 |
| 5 | SNS | 電流檢測輸入,連接到檢測電阻的手機側(cè) |
| 6 | (V_{SS}) | 設(shè)備接地,連接到檢測電阻的電池側(cè) |
| 7 | CTG | 連接到地,連接到檢測電阻的電池側(cè) |
| 8 | (V_{OUT}) | 電壓輸出,為輔助輸入電壓測量分壓器供電 |
| 9 | (V_{IN}) | 電池電壓輸入,通過此引腳測量電池組電壓 |
| 10 | (V_{DD}) | 電源輸入,輸入范圍2.5V至4.5V |
| PAD | PAD | 外露焊盤,連接到(V_{SS}) |
五、工作模式
1. 工作模式
DS2746有兩種工作模式:活動模式和睡眠模式。
- 活動模式:芯片作為高精度電池監(jiān)測器,持續(xù)進行電壓、輔助輸入、電流和累積電流測量,并將結(jié)果更新到測量寄存器中,允許對所有寄存器進行讀寫操作。
- 睡眠模式:芯片處于低功耗狀態(tài),無測量活動。
2. 模式轉(zhuǎn)換條件
- 從睡眠模式轉(zhuǎn)換到活動模式:當(dāng)((SCL > V{IH})) 或 ((SDA > V{IH})) 時,DS2746從睡眠模式轉(zhuǎn)換到活動模式。
- 從活動模式轉(zhuǎn)換到睡眠模式:當(dāng) (SMOD = 1) 且 ((SCL < V{IL})) 且 ((SDA < V{IL})) 持續(xù) (t_{SLEEP}) 時間時,DS2746從活動模式轉(zhuǎn)換到睡眠模式。
需要注意的是,如果 (SMOD = 1),SCL和SDA上需要上拉電阻,以確保電池充電時DS2746能從睡眠模式轉(zhuǎn)換到活動模式,否則芯片將一直處于睡眠模式,無法累積充電電流。
六、測量序列
1. 電流測量
DS2746在活動模式下,通過測量連接在SNS和(V{SS})引腳之間的低阻值電流檢測電阻(R{SNS})上的電壓降,持續(xù)測量電池的充放電電流。電流測量分辨率為13位加符號位,每878ms更新一次電流寄存器,記錄該時間段的平均電流值。
2. 電壓測量
所有電壓測量分辨率為11位加符號位。DS2746按順序依次測量(V{IN})、AIN0和AIN1,每個輸入的電壓測量需要220ms完成,一個完整的電壓測量序列需要660ms。在AIN0測量前,(V{OUT})會有一個預(yù)充電時間(t{PRE}),只要(V{ODIS})(輸出禁用)位清零,(V_{OUT})引腳在整個AIN0和AIN1測量序列中都保持啟用狀態(tài)。
七、寄存器功能
1. 電壓寄存器
電池電壓在(V{IN})輸入處相對于(V{SS})進行測量,范圍為0V至4.997V(受(V_{DD})引腳電壓限制),分辨率為2.44mV。結(jié)果每660ms更新一次,記錄最后220ms的平均電壓,并以二進制補碼形式存儲在電壓寄存器中。
2. 輔助輸入寄存器
DS2746允許測量兩個輔助輸入AIN0和AIN1相對于(V_{SS})的電壓。這些輸入用于測量電阻比,特別適用于測量熱敏電阻或電池組識別電阻。每個輔助輸入測量每660ms更新一次,記錄220ms轉(zhuǎn)換周期內(nèi)的平均電壓,并以二進制補碼形式存儲在AIN0和AIN1寄存器中。
3. 電流寄存器
| 電流測量結(jié)果以二進制補碼形式存儲在電流寄存器中,每878ms更新一次。不同的檢測電阻(R_{SNS})對應(yīng)不同的電流分辨率和范圍,具體如下: | (R_{SNS}) | 電流分辨率 (1 LSB) | 電流輸入范圍 |
|---|---|---|---|
| 20mΩ | 6.25μV / 312.5μA | ±2.56A | |
| 15mΩ | 416.7μA | ±3.41A | |
| 10mΩ | 625μA | ±5.12A | |
| 5mΩ | 1.25mA | ±10.24A |
4. 累積電流寄存器 (ACR)
| ACR作為一個上下計數(shù)器,記錄電池中存儲的電荷量。每次電流測量轉(zhuǎn)換完成后,電流測量結(jié)果加上可編程偏置值會在內(nèi)部累加,并顯示在ACR中。ACR的范圍為0mVh至 +409.6mVh,LSb為6.25μVh。不同檢測電阻下ACR的動態(tài)范圍如下: | (R_{SNS}) | ACR范圍 |
|---|---|---|
| 20mΩ | 20.48Ah | |
| 15mΩ | 27.31Ah | |
| 10mΩ | 40.96Ah | |
| 5mΩ | 81.92Ah |
5. 電流偏移偏置寄存器 (COBR)
COBR允許將可編程偏移值添加到原始電流測量中,結(jié)果顯示在電流寄存器中,并用于電流累積。COBR可以校正靜態(tài)偏移誤差,也可以有意改變電流結(jié)果和累積值。COBR可在1.56μV的步長內(nèi)編程,取值范圍為 +198μV至 -200μV。
6. 電流消隱功能
電流消隱功能在電流測量結(jié)果累積到ACR之前對其進行修改。當(dāng)電流測量值(原始電流 + COBR)落在兩個定義的范圍內(nèi)時,會有條件地進行電流消隱。第一個范圍防止小于(100μV / R{SNS})的充電電流累積,第二個范圍防止幅值小于(25μV / R{SNS})的放電電流累積。充電電流消隱始終執(zhí)行,而放電電流消隱需要通過設(shè)置狀態(tài)/配置寄存器中的NBEN位來啟用。
7. 累積偏置寄存器 (ABR)
ABR允許將可編程偏移值添加到電流累積過程中。新的ACR值由電流寄存器值加上ABR再加上前一個ACR值得到。ABR可用于有意改變電流累積,以估計太小而無法測量的系統(tǒng)待機電流。ABR值不受電流消隱閾值的影響,可在6.25μV的步長內(nèi)設(shè)置,取值范圍為 +193.75μV至 -200μV。
8. 狀態(tài)/配置寄存器
狀態(tài)/配置寄存器可讀寫,部分位為只讀。各比特位的功能如下:
- PORF:上電復(fù)位標志,指示初始上電,需用戶手動清零以指示后續(xù)上電事件。
- SMOD:睡眠模式使能,值為1時允許芯片在SCL和SDA低電平持續(xù)(t_{SLEEP})時間時進入睡眠模式,默認值為1。
- NBEN:負消隱使能,值為1時啟用幅值小于25μV的負電流消隱,默認值為1。
- (V_{ODIS}):(V{OUT})禁用,值為0時在AIN0轉(zhuǎn)換開始前(t{PRE})時間驅(qū)動(V_{OUT}),在AIN1轉(zhuǎn)換結(jié)束后禁用,默認值為0。
- AIN1:AIN1
-
低功耗
+關(guān)注
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