LT8306:60V低功耗無光耦隔離反激控制器的設(shè)計指南
在電源設(shè)計領(lǐng)域,一款優(yōu)秀的隔離反激控制器能為工程師們帶來諸多便利。今天,我們就來深入探討一下Analog Devices的LT8306——一款60V低功耗無光耦隔離反激控制器。
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一、產(chǎn)品概述
LT8306采用6引腳ThinSOT?封裝,是一款微功率隔離反激控制器。它具有寬輸入電壓范圍(4.5V至60V),靜態(tài)電流低,睡眠模式下為120μA,活動模式下為390μA。在重載時采用準(zhǔn)諧振邊界模式工作,輕載時采用低紋波突發(fā)模式(Burst Mode?)工作,最小負(fù)載小于滿載輸出的0.5%(典型值)。通過單個外部電阻即可設(shè)置輸出電壓,擁有8V柵極驅(qū)動用于外部NFET,且無需變壓器第三繞組或光耦進(jìn)行穩(wěn)壓。此外,它還具備精確的使能/欠壓鎖定(EN/UVLO)閾值和遲滯、內(nèi)部補(bǔ)償和軟啟動、輸出短路保護(hù)等功能,并且通過了AEC - Q100汽車應(yīng)用認(rèn)證。
二、技術(shù)特性分析
(一)工作模式
- 邊界傳導(dǎo)模式(BCM) 在重載時,LT8306采用邊界傳導(dǎo)模式工作。此模式下,當(dāng)次級電流為零時,芯片開啟初級功率開關(guān)。它是一種可變頻率、可變峰值電流的開關(guān)方案,功率開關(guān)開啟,變壓器初級電流增大至內(nèi)部控制的峰值電流限制。外部MOSFET關(guān)斷后,MOSFET漏極電壓升高至輸出電壓乘以變壓器初級 - 次級匝數(shù)比加上輸入電壓。當(dāng)通過輸出二極管的次級電流降至零時,MOSFET漏極電壓降至 (V_{IN}) 以下,邊界模式檢測器檢測到該事件后重新開啟外部MOSFET。這種模式能使次級電流在每個周期都?xì)w零,寄生電阻性壓降不會導(dǎo)致負(fù)載調(diào)節(jié)誤差,且相較于連續(xù)傳導(dǎo)模式,可使用更小的變壓器,無次諧波振蕩問題。
- 不連續(xù)傳導(dǎo)模式(DCM) 隨著負(fù)載變輕,邊界傳導(dǎo)模式會提高開關(guān)頻率并按相同比例降低開關(guān)峰值電流。當(dāng)開關(guān)頻率高達(dá)數(shù)MHz時,會增加開關(guān)和柵極電荷損耗。為避免這種情況,LT8306內(nèi)置振蕩器將最大開關(guān)頻率限制在400kHz(典型值)以內(nèi)。一旦開關(guān)頻率達(dá)到內(nèi)部頻率限制,芯片會延遲開關(guān)開啟時間,進(jìn)入不連續(xù)傳導(dǎo)模式。由于LT8306內(nèi)部集成了控制環(huán)路補(bǔ)償和電源軌,無需外部電容,在不連續(xù)傳導(dǎo)模式下可能會有抖動現(xiàn)象。
- 低紋波突發(fā)模式 與傳統(tǒng)反激式轉(zhuǎn)換器不同,LT8306必須以最小時間和最小頻率開啟和關(guān)閉,以實(shí)現(xiàn)輸出電壓的精確采樣。當(dāng)負(fù)載非常輕時,LT8306在保持最小開關(guān)電流限制的同時降低開關(guān)頻率,使負(fù)載電流降低的同時仍能為采樣保持誤差放大器提供最小關(guān)斷時間。此時,芯片在睡眠模式和活動模式之間切換,降低有效靜態(tài)電流,提高輕載效率。10kHz(典型值)的最小開關(guān)頻率決定了輸出電壓的采樣頻率和最小負(fù)載要求。
(二)輸出電壓設(shè)置
LT8306通過外部 (R{FB}) 電阻來設(shè)置輸出電壓。其工作原理是通過獨(dú)特的反激脈沖檢測電路和采樣保持誤差放大器對反激脈沖進(jìn)行采樣,從而實(shí)現(xiàn)對隔離輸出電壓的調(diào)節(jié)。具體公式如下: [V{FLBK}=left(V{OUT}+V{F}+I{SEC} cdot ESRright) cdot N{PS}] [V{FLBK}=R{FB} cdotleft(frac{V{REF}}{R{REF}}right)=I{RFB} cdot R{FB}] [V{OUT }=100 mu A cdotleft(frac{R{FB}}{N{PS}}right)-V{F}] 其中, (V{FLBK}) 為反激脈沖幅度, (V{OUT}) 為輸出電壓, (V{F}) 為輸出二極管正向電壓, (I{SEC}) 為變壓器次級電流, (ESR) 為次級電路總阻抗, (N{PS}) 為變壓器有效初級 - 次級匝數(shù)比, (V{REF}) 為內(nèi)部參考電壓(1.00V), (I{RFB}) 為 (R{FB}) 調(diào)節(jié)電流(100μA)。
(三)輸出溫度系數(shù)
輸出電壓公式中的第一項(xiàng)與溫度無關(guān),但輸出二極管正向電壓 (V_{F}) 具有顯著的負(fù)溫度系數(shù)(?1mV/°C至?2mV/°C),這會導(dǎo)致輸出電壓在不同溫度下有200mV至300mV的變化。對于較高電壓輸出(如12V和24V),輸出二極管溫度系數(shù)對輸出電壓調(diào)節(jié)的影響可忽略不計;但對于較低電壓輸出(如3.3V和5V),會額外增加2%至5%的輸出電壓調(diào)節(jié)誤差。若需要在不同溫度下實(shí)現(xiàn)精確的輸出電壓調(diào)節(jié),可參考ADI其他具有集成溫度補(bǔ)償功能的產(chǎn)品。
(四)選擇 (R_{FB}) 電阻值
由于采樣特性,LT8306的采樣方案存在可重復(fù)的延遲和誤差源,會影響輸出電壓,因此需要重新評估 (R{FB}) 電阻值。選擇 (R{FB}) 電阻值的步驟如下:
- 根據(jù)輸出電壓公式計算 (R{FB}) 的初始值: [R{FB}=frac{N{PS} cdotleft(V{OUT}+V_{F}right)}{100 mu A}]
- 使用初始 (R{FB}) 值和其他組件為應(yīng)用上電,測量調(diào)節(jié)后的輸出電壓 (V{OUT(MEAS)}) ,根據(jù)以下公式調(diào)整最終 (R{FB}) 值: [R{FB(FINAL) }=frac{V{OUT }}{V{OUT(MEAS) }} cdot R_{FB}]
(五)輸出功率限制
LT8306的MOSFET功率開關(guān)位于芯片外部,因此最大輸出功率主要受外部組件限制,可分為電壓限制、電流限制和熱限制三類。
- 電壓限制:反激式設(shè)計中的電壓限制主要是MOSFET開關(guān)的 (V{DS(MAX)}) 和輸出二極管的反向偏置額定值。提高任何一個組件的電壓額定值通常會降低應(yīng)用效率,且這些組件的電壓要求與變壓器的匝數(shù)比、輸入和輸出電壓以及是否使用額外的緩沖組件直接相關(guān)。理論上,MOSFET的 (V{DS(MAX)}) 必須高于 (V{IN(MAX)}+(V{OUT} cdot N_{PS})) ,但MOSFET漏極和輸出二極管陽極的漏感尖峰可能會使該要求翻倍。
- 電流限制:在高功率應(yīng)用中,輸出功率的電流限制通常受變壓器飽和電流的約束。通過減小 (R_{SENSE}) 電阻來增加反激式變壓器初級側(cè)的峰值電流是增加輸出功率的主要方法,但當(dāng)超過變壓器的飽和電流時,初級和次級之間的能量耦合會降低,無法向輸出提供額外的功率,還會導(dǎo)致初級電感下降,SENSE引腳過流閾值可能觸發(fā),變壓器發(fā)熱。
- 熱限制:對于較低輸出電壓的反激式應(yīng)用,熱限制主要由輸出二極管的損耗決定,隨著輸出電壓的增加,變壓器的電阻和漏感損耗在總損耗中所占的比例會增加。為了在提高效率的同時確保組件溫度不超過額定值,需要最小化輸出二極管的RMS電流,選擇在預(yù)期電流下正向壓降最小的二極管,并最小化變壓器的寄生電阻和漏感。
三、關(guān)鍵組件選擇
(一)變壓器選擇
變壓器的規(guī)格和設(shè)計是成功應(yīng)用LT8306的關(guān)鍵。在選擇變壓器時,除了考慮高頻隔離電源變壓器設(shè)計的一般準(zhǔn)則外,還需注意以下幾點(diǎn):
- 匝數(shù)比和RMS二極管電流:選擇 (R{FB}) 電阻設(shè)置輸出電壓時,可相對自由地選擇變壓器匝數(shù)比。使用小整數(shù)比(如3:1、2:1、1:1)可在確定總匝數(shù)和互感時提供更多靈活性。雖然可以通過選擇匝數(shù)比來最大化給定電流限制下的輸出功率,但減小匝數(shù)比并增加電流限制通??梢蕴岣咝什⒏玫乩米儔浩鞯娘柡碗娏?。同時,匝數(shù)比存在兩個重要限制:一是MOSFET漏極電壓等于最大輸入電源加上輸出電壓乘以匝數(shù)比再加上漏感引起的過沖;二是增加匝數(shù)比會增加RMS二極管電流,降低效率,在較低輸出電壓時這種效率限制更為明顯。計算RMS二極管電流的公式如下: [D=frac{left(V{OUT }+V{F}right) cdot N{PS}}{V{IN}+left(V{OUT }+V{F}right) cdot N{PS}}] [I{DIODE(RMS) }=sqrt{frac{left(I{LIM} cdot N_{PS}right)^{2} cdot(1-D)}{3}}]
- 其他特性:變壓器繞組中的電流不應(yīng)超過其額定飽和電流,因?yàn)殍F芯飽和后注入的能量不會傳遞到次級,而是在鐵芯中耗散。初級或次級繞組的電阻會降低整體功率效率,但由于LT8306的邊界/不連續(xù)傳導(dǎo)模式操作,輸出電壓調(diào)節(jié)與繞組電阻無關(guān)。變壓器的漏感會導(dǎo)致MOSFET開關(guān)關(guān)斷后在初級出現(xiàn)電壓尖峰,應(yīng)盡量減小漏感。在某些情況下,可能需要使用(RC + DZ)緩沖電路來鉗位和抑制漏感電壓尖峰。
(二)電流檢測電阻選擇
外部電流檢測電阻用于優(yōu)化應(yīng)用的電流限制行為。當(dāng)電流檢測電阻從幾歐姆降低到幾十毫歐姆時,開關(guān)峰值電流從幾分之一安培增加到幾十安培。使用小電流檢測電阻值時,需確保電路正常工作。檢測電阻值可根據(jù)以下公式計算: [R{SENSE}=frac{95 mV}{I{LIM}}] 此外,還需注意避免在MOSFET柵極引腳電壓升高時過早觸發(fā)SENSE閾值。
(三)其他組件選擇
- MOSFET開關(guān):選擇MOSFET開關(guān)時,需考慮其 (V{DS}) 額定值、 (R{DS(ON)}) 和 (Q{G}) 等參數(shù)。在考慮效率增益和損失時,需要權(quán)衡 (R{DS(ON)}) 和 (V_{DS(MAX)}) ,避免因添加緩沖電路而導(dǎo)致能量損耗增加。
- 輸出二極管:輸出二極管的反向電壓和功率要求是重要的規(guī)格參數(shù)。選擇具有足夠余量的二極管可避免使用緩沖電路,同時應(yīng)選擇正向壓降最小的二極管以提高效率。
- 輸出電容:選擇輸出電容時,需在最小化輸出電壓紋波和控制電容尺寸與成本之間進(jìn)行權(quán)衡。輸出電壓紋波可根據(jù)以下公式計算: [Delta V{OUT }=frac{L{PRI} cdot I{LIM}^{2}}{2 cdot C{OUT} cdot V_{OUT}}]
四、設(shè)計示例
以下是一個設(shè)計LT8306應(yīng)用的示例,設(shè)計目標(biāo)為輸出12V、負(fù)載電流4A,輸入范圍9V至36V。
- 選擇變壓器匝數(shù)比:變壓器匝數(shù)比會影響MOSFET開關(guān)的 (V_{DS}) 額定值、輸出二極管的反向偏置額定值、輸出功率能力和整個轉(zhuǎn)換器的效率。為了優(yōu)化效率,需最小化RMS二極管電流。通過計算不同匝數(shù)比下的各項(xiàng)參數(shù),最終選擇2:1的匝數(shù)比。
- 計算檢測電阻值:根據(jù)所需的電流限制,使用公式 (R{SENSE}=frac{95 mV}{I{LIM}}) 計算檢測電阻值。由于計算結(jié)果為非標(biāo)準(zhǔn)值,可調(diào)整電流限制以使用標(biāo)準(zhǔn)電阻值。
- 選擇變壓器:根據(jù)最小去磁和開關(guān)導(dǎo)通時間要求,計算變壓器的初級電感最小值。同時,變壓器的飽和電流額定值應(yīng)滿足應(yīng)用要求。
- 選擇MOSFET開關(guān):根據(jù)變壓器匝數(shù)比和預(yù)期的電壓尖峰,選擇具有適當(dāng) (V{DS}) 額定值的MOSFET開關(guān)。同時,需考慮 (R{DS(ON)}) 和 (Q_{G}) 對效率的影響。
- 選擇輸出二極管:根據(jù)計算得到的輸出二極管反向電壓,選擇具有足夠反向偏置能力和最小正向壓降的二極管。
- 選擇輸出電容:使用公式 (Delta V{OUT }=frac{L{PRI} cdot I{LIM}^{2}}{2 cdot C{OUT} cdot V_{OUT}}) 計算輸出電容值,以最小化輸出電壓紋波。
- 添加緩沖電路:在選擇主要組件后,評估MOSFET開關(guān)漏極的振鈴情況,必要時添加(RC + DZ)緩沖電路。
- 選擇 (R_{FB}) 電阻:使用公式 (R{FB}=frac{N{PS} cdotleft(V{OUT}+V{F}right)}{100 mu A}) 計算 (R_{FB}) 的初始值,并根據(jù)實(shí)際測量的輸出電壓進(jìn)行調(diào)整。
- 選擇EN/UVLO電阻:根據(jù)所需的遲滯量和欠壓鎖定(UVLO)閾值,計算R1和R2電阻值。
五、總結(jié)
LT8306是一款功能強(qiáng)大的隔離反激控制器,其寬輸入電壓范圍、低靜態(tài)電流、多種工作模式以及無需光耦和變壓器第三繞組進(jìn)行穩(wěn)壓等特性,使其在隔離電信、汽車、工業(yè)和醫(yī)療電源等應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用前景。在設(shè)計應(yīng)用時,需要仔細(xì)考慮各個組件的選擇和參數(shù)設(shè)置,以確保系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性。希望本文能為電子工程師們在使用LT8306進(jìn)行電源設(shè)計時提供一些參考和幫助。大家在實(shí)際應(yīng)用中遇到過哪些問題呢?不妨一起討論交流。
-
電源設(shè)計
+關(guān)注
關(guān)注
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