實驗名稱：

高壓放大器ATA-7025在量子點薄膜的非接觸無損原位檢測中的應(yīng)用

實驗方向：

聲空化微流控混合

實驗設(shè)備：

ATA-7025高壓放大器、信號發(fā)生器、位移臺，光學(xué)夾具，金屬探針等

實驗內(nèi)容：

量子點薄膜作為核心功能層，在發(fā)光二極管、顯示器等多種光電器件中起著關(guān)鍵作用。量子點薄膜厚度的不均勻性必然會影響器件的整體光電特性。然而，傳統(tǒng)的方法很難在不引入額外損傷的情況下快速獲得其厚度分布的相關(guān)信息。本文提出了一種非接觸式無損檢測量子點薄膜厚度的方法。在高電場作用下，量子點薄膜會發(fā)生光致發(fā)光猝滅現(xiàn)象，這與量子點薄膜的厚度以及施加的電壓大小有關(guān)。

實驗過程：

本實驗在紫外UV燈激發(fā)量子點薄膜光致發(fā)光后，在金屬探針上施加由功率放大器ATA-7025放大后的高壓正弦信號，并將電壓加在量子點薄膜兩端。隨后觀察量子點薄膜的光致發(fā)光光譜變化情況，研究施加的電壓大小以及量子點薄膜厚度對于猝滅程度的影響。

而對于量子點薄膜陣列，通過 CCD 攝像系統(tǒng)采集施加電壓前后的發(fā)光圖像并進行圖像處理，觀察不同厚度像素的發(fā)光強度變化情況。

實驗結(jié)果：

本實驗通過改變施加在量子點薄膜上的電壓，從而能夠觀察其光致發(fā)光的猝滅程度情況。在2800Vpp-4000Vpp的電壓范圍內(nèi)，隨著電壓升高，量子點薄膜的猝滅程度逐漸增大。此外，將猝滅效率作為施加電壓的函數(shù)進行擬合，可以看出擬合效果較好，說明量子點薄膜的光致發(fā)光猝滅程度與施加的電壓大小存在某種函數(shù)關(guān)系。

根據(jù)這種實驗規(guī)律，對于具有不同厚度的量子點薄膜陣列，可以通過觀察其光致發(fā)光顯微圖像的變化來可視化量子點薄膜的厚度信息。

實驗中用到的ATA-7025高壓放大器的參數(shù)指標：

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