chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

為什么要測量吸收比_如何測量吸收比_吸收比怎么測量

電力預(yù)防性試驗設(shè)備技術(shù) ? 2018-09-13 11:59 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

吸收比是用于電力系統(tǒng)中對電氣設(shè)備絕緣檢查的一個功能性分支,除了吸收比之外,與吸收比相關(guān)的還有一個“極化指數(shù)”,吸收比的必要性是根據(jù)被試對象的情況而決定,所以經(jīng)常在現(xiàn)場看到有的試品做吸收比和極化指數(shù),有的并沒有做,我們簡單介紹一下吸收比的必要性,也就是為什么要測量吸收比。

吸收比的必要性

在電力試驗設(shè)備中,像塑料、瓷瓶等在直流電壓作用下,其電導(dǎo)電流瞬間即可達到穩(wěn)定值,絕緣電阻值通過顯示屏幕直接讀取即可,但對于發(fā)電機、變壓器、電動機、電纜等電氣設(shè)備,它們的絕緣是由復(fù)合介質(zhì)構(gòu)成,測量吸收比能夠發(fā)現(xiàn)絕緣受潮情況,反映整體和局部缺陷等絕緣情況,由于吸收電流隨時間變化,所以在測試絕緣電阻和泄漏電流時要規(guī)定時間。

吸收現(xiàn)象和技術(shù)標準

在直流電壓作用下,會產(chǎn)生多種極化現(xiàn)象,極化開始時電流很大,隨著加壓時間的增大,電流值下降,絕緣電阻相應(yīng)增大,這種現(xiàn)象稱為吸收現(xiàn)象,我們所說的吸收比是單位時間內(nèi)的比值,根據(jù)預(yù)防性試驗要求,吸收比的時間是60秒與15秒的絕緣電阻之比,吸收比的結(jié)果參考應(yīng)該結(jié)合設(shè)備所處的具體環(huán)境綜合性考慮。

影響絕緣電阻測量結(jié)果的因數(shù)

影響絕緣電阻測量結(jié)果的因素主要有溫度、濕度和放電時間,由于溫度升高使介質(zhì)極化加劇,致使電導(dǎo)增加、電阻降低,因而絕緣電阻隨溫度升高而降低,絕緣因表面吸潮或瓷絕緣表面形成水膜也會使絕緣電阻顯著降低,此外,當絕緣在相對濕度較大時會吸收較多的水分,使電導(dǎo)增加,絕緣電阻也會降低。

測量絕緣電阻吸收比注意事項

測試絕緣電阻吸收比相當于在絕緣上施加了直流高壓電荷,因而試品被充電,測試完畢之后應(yīng)將試品充分放電,且放電時間應(yīng)大于充電時間,而不致因殘余電荷沒能放盡,而使在重復(fù)測量時所得到的充電電流和吸收電流比前一次測量值小,因而造成吸收比減小,絕緣電阻值增大的現(xiàn)象。

作者:鼎升電力

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    Voohu:音頻變壓器的共模抑制(CMRR)測量方法與帶寬限制因素

    音頻變壓器在平衡傳輸系統(tǒng)中利用其固有的共模抑制能力,可有效消除地環(huán)路噪聲和外界電磁干擾。共模抑制(CMRR)是衡量變壓器對共模信號抑制能力的關(guān)鍵指標。本文介紹音頻變壓器CMRR的測量電路、頻率依賴性分析以及影響CMRR的主要因素。
    的頭像 發(fā)表于 04-24 09:25 ?308次閱讀

    反激開關(guān)電源RC吸收電路設(shè)計

    RC吸收是指在電路設(shè)計中,尤其是在開關(guān)電源、功率電子設(shè)備以及電力電子系統(tǒng)中,使用電阻與電容串聯(lián)組成的電路結(jié)構(gòu),用于吸收和衰減電路中由于開關(guān)元件(如MOSFET、IGBT等)的快速切換所產(chǎn)生的過電壓和過電流現(xiàn)象。
    的頭像 發(fā)表于 12-28 12:53 ?1888次閱讀
    反激開關(guān)電源RC<b class='flag-5'>吸收</b>電路設(shè)計

    變頻器U/f測量

    變頻器U/f測量是電力電子技術(shù)領(lǐng)域中的重要環(huán)節(jié),尤其在電機控制系統(tǒng)中,其準確性直接影響電機的運行效率和穩(wěn)定性。U/f控制(電壓頻率控制)是變頻器常用的控制方式之一,通過調(diào)整輸出電壓與頻率
    的頭像 發(fā)表于 11-22 07:31 ?751次閱讀
    變頻器U/f<b class='flag-5'>比</b>的<b class='flag-5'>測量</b>

    變壓器變組別測試儀參數(shù)分別是什么

    : UHV-330 全自動變壓器變組別測試儀 核心測量參數(shù) 變測量范圍 :1~10000,覆蓋絕大多數(shù)電力變壓器測試需求 組別測試范圍 :1~12 點(對應(yīng)組別 0~11),可準確
    發(fā)表于 11-17 15:46

    電流探頭的傳輸和電流衰減:差異解析

    在電子測量領(lǐng)域,電流探頭是測量電流信號的關(guān)鍵工具,而傳輸和電流衰減是其兩個重要參數(shù)。 雖然二者都與電流探頭對信號的處理有關(guān),但在本質(zhì)、功能和應(yīng)用場景上存在顯著差異,了解這些差異對于正確選擇和使用電
    的頭像 發(fā)表于 08-27 09:25 ?726次閱讀
    電流探頭的傳輸<b class='flag-5'>比</b>和電流衰減:差異解析

    GaAs SP4T 吸收式開關(guān) 20 MHz–2.5 GHz skyworksinc

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()GaAs SP4T 吸收式開關(guān) 20 MHz–2.5 GHz相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有GaAs SP4T 吸收式開關(guān) 20 MHz–2.5 GHz的引腳圖、接線圖、封裝手冊
    發(fā)表于 08-18 18:34
    GaAs SP4T <b class='flag-5'>吸收</b>式開關(guān) 20 MHz–2.5 GHz skyworksinc

    原子吸收光譜儀如何選配UPS不間斷電源?優(yōu)施UPS電源專業(yè)解析

    在實驗室精密儀器使用中,穩(wěn)定可靠的電力供應(yīng)至關(guān)重要。原子吸收光譜儀作為實驗室常用的大型精密儀器,對電源質(zhì)量有著極高要求。一旦遭遇突然斷電或電壓波動,不僅會影響測試結(jié)果準確性,更可能造成儀器損壞。那么
    的頭像 發(fā)表于 08-12 10:57 ?728次閱讀
    原子<b class='flag-5'>吸收</b>光譜儀如何選配UPS不間斷電源?優(yōu)<b class='flag-5'>比</b>施UPS電源專業(yè)解析

    中光參與制定首個光學(xué)三維測量國家標準

    近日,由奧中光作為起草單位參與制定的GB/T 16857.13-2025《產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范(GPS)坐標測量系統(tǒng)(CMS)的驗收檢測和復(fù)檢檢測 第13部分:光學(xué)三維坐標測量系統(tǒng)》國家標準正式發(fā)布
    的頭像 發(fā)表于 07-08 09:28 ?1825次閱讀

    峰均:你了解多少?

    定義:峰均是一種對波形的測量參數(shù),等于波形的振幅除以有效值(RMS)所得到的一個比值。對這個定義還有一種理解:峰值的功率和平均功率之比。這里先了解峰值功率:很多信號從
    的頭像 發(fā)表于 07-02 17:32 ?3399次閱讀
    峰均<b class='flag-5'>比</b>:你了解多少?

    什么是共模抑制?

    ,本文用光隔離探頭介紹如何測量探頭的共模抑制:設(shè)備準備30kV放大器:HA-30K光隔離探頭:PTO350配X10衰減器高頻示波器:MDO7500A信號發(fā)生器:D
    的頭像 發(fā)表于 06-23 09:45 ?1562次閱讀
    什么是共模抑制<b class='flag-5'>比</b>?

    GLAD應(yīng)用:高斯光束的吸收和自聚焦效應(yīng)

    ,此時介質(zhì)折射率的橫向分布也是鐘形的,從而對入射光束產(chǎn)生會聚作用,這就是高斯光束的自聚焦效應(yīng)。 系統(tǒng)描述 本例重點展示了beer以及sfocus兩個命令的使用,給出了經(jīng)過吸收之后高斯光束的強度分布輪廓圖
    發(fā)表于 06-17 08:52

    使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點?

    CCG8 使用 GPIO 來控制 FET 柵極驅(qū)動器的功率吸收路徑, 我可以使用 P-MOSFET 作為電源接收路徑嗎? 使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點?
    發(fā)表于 05-28 06:51

    IGBT模塊吸收回路分析模型

    盡管開關(guān)器件內(nèi)部工作機理不同,但對于吸收電路的分析而言,則只需考慮器件的外特性,IGBT關(guān)斷時模型可以等效為電壓控制的電流源,開通時可以等效為電壓控制的電壓源。下面以下圖所示的斬波器為例提出一般
    的頭像 發(fā)表于 05-21 09:45 ?1397次閱讀
    IGBT模塊<b class='flag-5'>吸收</b>回路分析模型

    GLAD應(yīng)用:高斯光束的吸收和自聚焦效應(yīng)

    ,此時介質(zhì)折射率的橫向分布也是鐘形的,從而對入射光束產(chǎn)生會聚作用,這就是高斯光束的自聚焦效應(yīng)。 系統(tǒng)描述 本例重點展示了beer以及sfocus兩個命令的使用,給出了經(jīng)過吸收之后高斯光束的強度分布輪廓圖
    發(fā)表于 05-16 08:47