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onsemi NTB110N65S3HF MOSFET:高效電源系統(tǒng)的理想之選

lhl545545 ? 2026-03-30 15:05 ? 次閱讀
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onsemi NTB110N65S3HF MOSFET:高效電源系統(tǒng)的理想之選

電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,MOSFET 是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天,我們就來(lái)深入了解 onsemi 推出的 NTB110N65S3HF 這款 N 溝道 SUPERFET III FRFET MOSFET,看看它有哪些獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì)。

文件下載:NTB110N65S3HF-D.PDF

產(chǎn)品概述

NTB110N65S3HF 屬于 onsemi 的 SUPERFET III 系列,這是全新的高壓超結(jié)(SJ)MOSFET 家族。它采用了電荷平衡技術(shù),具備出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種先進(jìn)技術(shù)旨在最大程度地減少傳導(dǎo)損耗,提供卓越的開(kāi)關(guān)性能,并能承受極高的 dv/dt 速率。因此,SUPERFET III MOSFET 非常適合各種追求小型化和高效率的電源系統(tǒng)。同時(shí),SUPERFET III FRFET MOSFET 優(yōu)化了體二極管的反向恢復(fù)性能,能夠去除額外的組件,提高系統(tǒng)的可靠性。

產(chǎn)品特性

電氣特性

  • 耐壓能力:在 (T{J}=150^{circ}C) 時(shí),可承受 700V 的電壓;在 (T{C}=25^{circ}C) 時(shí),漏源擊穿電壓 (BVDSS) 為 650V。
  • 導(dǎo)通電阻:典型的 (R{DS(on)}) 為 98mΩ,最大值為 110mΩ(在 (V{GS}=10V),(I_{D}=15A) 條件下)。
  • 柵極電荷:超低的柵極電荷,典型值 (Q_{g}=62nC)。
  • 輸出電容:低有效輸出電容,典型值 (C_{oss(eff.)}=522pF)。
  • 雪崩測(cè)試:經(jīng)過(guò) 100% 雪崩測(cè)試,確保了在極端情況下的可靠性。

熱特性

  • 熱阻:結(jié)到外殼的最大熱阻 (R{θJC}=0.52^{circ}C/W),結(jié)到環(huán)境的最大熱阻 (R{θJA}=45^{circ}C/W)。

封裝與標(biāo)識(shí)

  • 封裝形式:采用 D2PAK(TO - 263 3 - Lead)封裝。
  • 標(biāo)識(shí)信息:頂部標(biāo)識(shí)為 NTB110N65S3HF,其中包含了 onsemi 標(biāo)志、組裝工廠代碼、數(shù)據(jù)代碼(年和周)、批次等信息。

應(yīng)用領(lǐng)域

  • 電信/服務(wù)器電源:在電信和服務(wù)器電源系統(tǒng)中,對(duì)效率和可靠性要求極高。NTB110N65S3HF 的低導(dǎo)通電阻和卓越的開(kāi)關(guān)性能能夠有效降低功耗,提高電源效率,確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。
  • 工業(yè)電源:工業(yè)環(huán)境通常對(duì)設(shè)備的穩(wěn)定性和耐用性有嚴(yán)格要求。這款 MOSFET 能夠承受高電壓和大電流,適應(yīng)工業(yè)電源的復(fù)雜工況。
  • 電動(dòng)汽車充電器:隨著電動(dòng)汽車的普及,充電器的性能至關(guān)重要。NTB110N65S3HF 的高效性能有助于提高充電效率,縮短充電時(shí)間。
  • UPS/太陽(yáng)能:在不間斷電源(UPS)和太陽(yáng)能系統(tǒng)中,需要能夠高效轉(zhuǎn)換和存儲(chǔ)能量的元件。該 MOSFET 可以滿足這些系統(tǒng)對(duì)功率轉(zhuǎn)換和能量管理的需求。

絕對(duì)最大額定值

在使用 NTB110N65S3HF 時(shí),必須嚴(yán)格遵守其絕對(duì)最大額定值,否則可能會(huì)損壞器件,影響其功能和可靠性。以下是一些關(guān)鍵的絕對(duì)最大額定值: 參數(shù) 數(shù)值 單位
漏源電壓 (V_{DSS}) 650 V
柵源電壓 (V_{GSS})(DC +30 V
柵源電壓 (V_{GSS})(AC,(f>1Hz)) ±30 V
連續(xù)漏極電流((T_{C}=25^{circ}C)) (I_{D}) 30 A
連續(xù)漏極電流((T_{C}=100^{circ}C)) (I_{D}) 19.5 A
脈沖漏極電流 (I_{DM}) 69 A
單脈沖雪崩能量 (E_{AS}) 380 mJ
雪崩電流 (I_{AS}) 4.4 A
重復(fù)雪崩能量 (E_{AR}) 2.4 mJ
MOSFET dv/dt 100 V/ns
峰值二極管恢復(fù) dv/dt 50 V/ns
功率耗散((T_{C}=25^{circ}C)) (P_{D}) 240 W
25°C 以上降額系數(shù) 1.92 W/°C
工作和存儲(chǔ)溫度范圍 (T{J},T{STG}) - 55 至 +150 °C
焊接時(shí)最大引腳溫度(距離外殼 1/8",5 秒) (T_{L}) 300 °C

典型性能曲線

文檔中提供了一系列典型性能曲線,包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解 MOSFET 在不同工作條件下的性能表現(xiàn),從而進(jìn)行更精確的電路設(shè)計(jì)。

總結(jié)

onsemi 的 NTB110N65S3HF MOSFET 憑借其出色的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,為電子工程師在電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中提供了一個(gè)可靠的選擇。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師需要根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需求,結(jié)合其電氣特性、熱特性和絕對(duì)最大額定值等參數(shù),合理使用該器件,以實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)。大家在使用這款 MOSFET 時(shí),有沒(méi)有遇到過(guò)什么問(wèn)題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)??歡迎在評(píng)論區(qū)分享。

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