深度剖析 NTD5805N、NVD5805N 功率 MOSFET

在電子設計的世界里，功率 MOSFET 扮演著至關重要的角色。今天，咱們就來深入探討一下安森美半導體（onsemi）的 NTD5805N 和 NVD5805N 功率 MOSFET，看看它們到底有哪些過人之處。

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產品概述

NTD5805N 和 NVD5805N 是兩款 40V、51A 的單 N 溝道功率 MOSFET，采用 DPAK 封裝。它們具有低導通電阻、高電流能力和指定的雪崩能量等特點，NVD 前綴版本適用于汽車和其他有獨特場地及控制變更要求的應用，并且通過了 AEC - Q101 認證，具備生產件批準程序（PPAP）能力，同時這些器件無鉛且符合 RoHS 標準。

應用領域

這兩款 MOSFET 的應用范圍十分廣泛，主要包括以下幾個方面：

• LED 背光驅動：在 LED 背光系統(tǒng)中，需要精確控制電流和電壓，NTD5805N 和 NVD5805N 的低導通電阻和高電流能力能夠滿足高效驅動的需求，確保 LED 穩(wěn)定發(fā)光。
• CCFL 背光：冷陰極熒光燈管（CCFL）的驅動需要特定的電壓和電流條件，這兩款 MOSFET 可以提供穩(wěn)定的功率輸出，保證 CCFL 的正常工作。
• DC 電機控制：在直流電機控制中，需要快速、準確地控制電機的轉速和轉矩，NTD5805N 和 NVD5805N 的快速開關特性和高電流承載能力使其成為理想的選擇。
• 電源次級側同步整流：在電源設計中，同步整流可以提高電源效率，降低功耗。這兩款 MOSFET 的低導通電阻能夠有效減少整流損耗，提高電源的整體效率。

主要參數(shù)

最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

熱阻最大額定值

電氣特性

關斷特性

• 漏源擊穿電壓：V(BR)DSS 在 VGS = 0 V，ID = 250 μA 時為 40 V，其溫度系數(shù)為 40.8 mV/°C。
• 零柵壓漏極電流：IDSS 在 VGS = 0 V，TJ = 25°C，VDS = 40 V 時為 1.0 μA；在 TJ = 150°C 時為 100 μA。
• 柵源泄漏電流：IGSS 在 VDS = 0 V，VGS = ±20 V 時為 ±100 nA。

導通特性

• 柵極閾值電壓：VGS(TH) 在 VGS = VDS，ID = 250 μA 時，最小值為 1.5 V，最大值為 3.5 V。
• 負閾值溫度系數(shù)：VGS(TH)/TJ 為 7.04 mV/°C。
• 漏源導通電阻：RDS(on) 在 VGS = 10 V，ID = 15 A 時，典型值為 7.6 mΩ，最大值為 9.5 mΩ；在 VGS = 5.0 V，ID = 10 A 時，典型值為 10.9 mΩ，最大值為 16 mΩ。
• 正向跨導：gFS 在 VDS = 15 V，ID = 15 A 時，典型值為 8.54 S。

電荷、電容和柵極電阻

• 輸入電容：Ciss 在 VGS = 0 V，f = 1.0 MHz，VDS = 25 V 時為 1725 pF。
• 輸出電容：Coss 為 220 pF。
• 反向傳輸電容：Crss 為 160 pF。
• 總柵極電荷：QG(TOT) 最小值為 33 nC，最大值為 80 nC。
• 閾值柵極電荷：QG(TH) 在 VGS = 10 V，VDS = 32 V，ID = 30 A 時為 2.0 nC。
• 柵源電荷：QGS 為 7.2 nC。
• 柵漏電荷：QGD 為 9.8 nC。

開關特性

在 VGS = 10 V，VDD = 32 V，ID = 30 A，RG = 2.5 Ω 的條件下，開通延遲時間 td(on) 為 10.2 ns，上升時間 tr 為 17.9 ns，關斷延遲時間 td(off) 為 22.9 ns，下降時間 tf 為 4.5 ns。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓：在 IS = 10 A 時，最大值為 1.2 V；在 (T_J = 150^{circ}C) 時為 0.65 V。
• 反向恢復時間：trr 在 VGS = 0 V，dIS/dt = 100 A/μs，IS = 30 A 時為 24.8 ns。

典型性能特性

通過一系列的圖表，我們可以直觀地了解這兩款 MOSFET 的典型性能。例如，從“導通電阻與漏極電流和柵極電壓的關系”圖表中，我們可以看到不同柵極電壓下，導通電阻隨漏極電流的變化情況；從“轉移特性”圖表中，可以了解到漏極電流與柵源電壓之間的關系。這些圖表為工程師在實際設計中提供了重要的參考依據(jù)。

訂購信息

這兩款 MOSFET 提供了不同的訂購選項，如 NTD5805NT4G、NVD5805NT4G 和 NVD5805NT4G - VF01，均采用 DPAK 封裝且為無鉛產品，每盤 2500 個，采用卷帶包裝。

總結

NTD5805N 和 NVD5805N 功率 MOSFET 憑借其出色的性能和廣泛的應用領域，為電子工程師在設計中提供了可靠的選擇。在實際應用中，工程師需要根據(jù)具體的需求，結合器件的參數(shù)和性能特點，合理選擇和使用這兩款 MOSFET。同時，要注意器件的最大額定值和工作條件，確保其正常工作和可靠性。大家在使用過程中有沒有遇到過什么問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。