Onsemi NTD14N03R和NVD14N03R MOSFET深度解析

在電子工程師的日常設(shè)計工作中，MOSFET是一種常用的功率器件，它在眾多電路設(shè)計中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。今天，我們就來深入了解一下Onsemi公司的NTD14N03R和NVD14N03R這兩款N溝道功率MOSFET。

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產(chǎn)品特性

高性能工藝

這兩款MOSFET采用了平面HD3e工藝，具備快速開關(guān)性能。這種工藝帶來了諸多優(yōu)勢，比如低導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)}) ，能夠有效降低導(dǎo)通損耗；低輸入電容 (C{iss}) ，可減少驅(qū)動損耗；同時，它的柵極電荷也很低。這些特性使得它們在高效DC - DC轉(zhuǎn)換器的高端開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

應(yīng)用廣泛

NVD和SVD前綴的型號適用于汽車及其他有獨特場地和控制變更要求的應(yīng)用，并且通過了AEC - Q101認證，具備生產(chǎn)件批準程序（PPAP）能力。此外，這些器件是無鉛的，符合RoHS標準，滿足環(huán)保要求。

最大額定值

電壓與電流

• 漏源電壓 (V{DSS}) 最大為25Vdc，柵源電壓 (V{GS}) 連續(xù)值為±20Vdc。
• 在 (T_A = 25°C) 時，連續(xù)漏極電流 (I_D) 為14A，芯片連續(xù)電流為11.4A，單脈沖電流（(t_p ≤ 10 s)）可達28A。

熱阻與功耗

• 結(jié)到外殼的熱阻 (R_{JC}) 為6.0°C/W，在 (T_A = 25°C) 時，總功耗 (P_D) 為20.8W。
• 結(jié)到環(huán)境的熱阻 (R{JA}) 根據(jù)不同的安裝條件有所不同：當表面安裝到0.5平方英寸焊盤尺寸的FR4板上時，(R{JA}) 為80°C/W，(P_D) 為1.56W，(ID) 為3.1A；當安裝到最小推薦焊盤尺寸的FR4板上時，(R{JA}) 為120°C/W，(P_D) 為1.04W，(I_D) 為2.5A。

溫度范圍

器件的工作和存儲溫度范圍為 - 55°C到150°C，最大焊接引線溫度為260°C（距離外殼1/8英寸處，持續(xù)10秒）。需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓 (V{(br)DSS}) 在 (V{GS} = 0 Vdc) ，(I_D = 250 mu Adc) 時，最小值為25V，典型值為28V，溫度系數(shù)為正。
• 零柵壓漏極電流 (I{DSS}) 在 (V{DS} = 20 Vdc) ，(V_{GS} = 0 Vdc) 時為1.0 (mu Adc) ，在 (T_J = 150°C) 時為10 (mu Adc) 。
• 柵體漏電流 (I{GSS}) 在 (V{GS} = ±20 Vdc) ，(V_{DS} = 0 Vdc) 時為±100nAdc。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓 (V{GS(th)}) 在 (V{DS} = V_{GS}) ，(I_D = 250 mu Adc) 時，最小值為1.0V，典型值為1.5V，閾值溫度系數(shù)為負。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)}) 在 (V{GS} = 4.5 Vdc) ，(ID = 5 Adc) 時，最大值為130mΩ；在 (V{GS} = 10 Vdc) ，(I_D = 5 Adc) 時，典型值為70.4mΩ。
• 正向跨導(dǎo) (g{FS}) 在 (V{DS} = 10 Vdc) ，(I_D = 5 Adc) 時為7.0Mhos。

動態(tài)特性

輸入電容 (C{iss}) 為115pF，輸出電容 (C{oss}) 在 (V{DS} = 20 Vdc) ，(V{GS} = 0 V) ，(f = 1 MHz) 時為62pF，轉(zhuǎn)移電容 (C_{rss}) 為33pF。

開關(guān)特性

在 (V{GS} = 10 Vdc) ，(V{DD} = 10 Vdc) ，(I_D = 5 Adc) ，(RG = 3 Omega) 的條件下，導(dǎo)通延遲時間 (t{d(on)}) 為3.8ns，上升時間 (tr) 為27ns，關(guān)斷延遲時間 (t{d(off)}) 為9.6ns，下降時間 (t_f) 為2.0ns。柵極電荷 (QT) 在 (V{GS} = 5 Vdc) ，(ID = 5 Adc) ，(V{DS} = 10 Vdc) 時為1.8nC。

源漏二極管特性

正向?qū)妷?(V_{SD}) 在 (IS = 5 Adc) ，(V{GS} = 0 Vdc) ，(T_J = 125°C) 時為0.93V，在 (IS = 5 Adc) ，(V{GS} = 0 Vdc) 時為0.82V，最大值為1.2V。反向恢復(fù)時間 (t{rr}) 為6.6ns，反向恢復(fù)存儲電荷 (Q{RR}) 為0.002 (mu C) 。

典型特性

文檔中給出了多個典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與漏極電流和溫度的關(guān)系、電容變化、柵源和漏源電壓與總電荷的關(guān)系、電阻性開關(guān)時間隨柵極電阻的變化、二極管正向電壓與電流的關(guān)系、最大額定正向偏置安全工作區(qū)以及熱響應(yīng)等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解器件在不同條件下的性能表現(xiàn)，從而在設(shè)計中做出更合理的選擇。

訂購信息

NTD14N03RT4G、NVD14N03RT4G和SVD14N03RT4G均采用DPAK封裝，無鉛，每卷2500個。不過需要注意的是，NTD14N03RT4G已停產(chǎn)，不建議用于新設(shè)計。

機械尺寸與封裝

文檔詳細給出了DPAK3封裝的機械尺寸，包括各個維度的最小值、標稱值和最大值。同時，還提供了推薦的安裝 footprint和多種引腳樣式的標記圖。這些信息對于PCB設(shè)計非常重要，能夠確保器件正確安裝和使用。

總的來說，Onsemi的NTD14N03R和NVD14N03R MOSFET以其高性能、廣泛的應(yīng)用范圍和詳細的參數(shù)特性，為電子工程師在電路設(shè)計中提供了可靠的選擇。在實際應(yīng)用中，工程師需要根據(jù)具體的設(shè)計要求，結(jié)合這些特性和參數(shù)，合理使用這些器件，以實現(xiàn)最佳的電路性能。大家在使用過程中有沒有遇到過類似MOSFET的特殊應(yīng)用場景呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。