chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新潔能NCE3020Q:30V/20A低內(nèi)阻MOSFET,助力高效電源設(shè)計(jì)

南山電子 ? 2026-04-13 17:11 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新潔能(NCE)推出的NCE3020Q是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù),在具備超低導(dǎo)通電阻的同時(shí),也實(shí)現(xiàn)了較低的柵極電荷。這款器件非常適合應(yīng)用于高頻、硬開關(guān)等電源轉(zhuǎn)換電路。作為新潔能的授權(quán)代理商,南山電子可以提供NCE3020Q的樣品和現(xiàn)貨支持,最新價(jià)格和庫(kù)存情況歡迎通過南山半導(dǎo)體官方網(wǎng)站咨詢?cè)诰€客服。

wKgZPGncsiuAXYhaAABhQGLXx-I681.png

產(chǎn)品核心特點(diǎn):

  • 低導(dǎo)通電阻:在VGS=10V條件下,RDS(ON)典型值僅為6.8mΩ,最大值不超過8mΩ;在VGS=4.5V時(shí),RDS(ON)典型值為8.8mΩ,最大值不超過12mΩ。
  • 高電流承載能力:連續(xù)漏極電流可達(dá)20A(Tc=25℃),脈沖電流高達(dá)80A,滿足較高功率應(yīng)用需求。
  • 良好的ESD和雪崩能力:內(nèi)置高ESD防護(hù)設(shè)計(jì),同時(shí)具備完全表征的雪崩電壓和電流特性,單脈沖雪崩能量EAS達(dá)到72mJ,提升了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
  • 優(yōu)異的散熱封裝:采用DFN3.3×3.3-8L貼片封裝,具有較低的熱阻(結(jié)到外殼6.25℃/W),有助于在高功率密度設(shè)計(jì)中有效散熱。

典型應(yīng)用場(chǎng)景:

wKgZO2ncshWAHCVFAAElIuRLBuM751.png

采購(gòu)與封裝信息

NCE3020Q采用DFN3.3×3.3-8L封裝,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),適合自動(dòng)貼片生產(chǎn)。該器件為表面貼裝型,卷帶包裝,便于高效生產(chǎn)。南山電子常備現(xiàn)貨,支持小批量快速發(fā)貨,滿足新產(chǎn)品研發(fā)和中小批量生產(chǎn)需求。如需獲取最新報(bào)價(jià)和詳細(xì)技術(shù)資料,請(qǐng)?jiān)L問南山半導(dǎo)體官網(wǎng)聯(lián)系在線客服。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    10808

    瀏覽量

    234950
  • 電源設(shè)計(jì)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    2368

    瀏覽量

    69842
  • MOS
    MOS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    1759

    瀏覽量

    101238
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    NCE3080K新替代型號(hào)100N03 30V貼片MOS

    NCE3080K應(yīng)用程序功率切換應(yīng)用程序硬切換和高頻電路不間斷電源深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng)NCE3080K新替代型號(hào)100N03
    發(fā)表于 11-27 16:52

    NCE0106R 新 SOT-89封裝 100V 6A 貼片MOS管

    `深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) NCE0106R 新 SOT-89封裝 100V6A 貼片MOS管,原裝,庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷NCE0106R100V6
    發(fā)表于 10-28 16:28

    NCE60P04Y 新 -4A -60V MOS管

    `深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) NCE60P04Y 新 -4A -60V MOS管,原裝,庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷
    發(fā)表于 11-06 15:30

    NCE3010S 30V/10A 場(chǎng)效應(yīng)管

    `品牌:新(CEPOWER)型號(hào):NCE3010S封裝:SOP-8批號(hào):18+FET類型:N溝道MOSFET漏源電壓(Vdss):30
    發(fā)表于 07-20 18:00

    WSP4410 N SOP-8 30V 20A

    WSP4410 N SOP-8 30V 20A
    發(fā)表于 07-28 10:17 ?14次下載

    WSP4430 N SOP-8 30V 20A

    WSP4430 N SOP-8 30V 20A
    發(fā)表于 07-29 15:27 ?3次下載

    AP18P30Q -20a -30v耐壓的p型mos 絲印18P30Q參數(shù)

    供應(yīng)AP18P30Q -20a -30v耐壓的p型mos 絲印:18P30Q參數(shù),是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商,提供AP18P30Q規(guī)
    發(fā)表于 08-22 17:19 ?0次下載

    NCE3407 NCE P通道增強(qiáng)模式電源MOSFET民信微

    NCE3407是一款采用先進(jìn)溝槽技術(shù)的NCE P通道增強(qiáng)模式電源MOSFET,民信微具備出
    發(fā)表于 10-23 21:23 ?0次下載

    NCE4435 NCE P通道增強(qiáng)模式電源MOSFET SOP8民信微

    柵極電荷,使得操作電壓低至4.5V。從它的通用功能中,我們可以看到VDS=-30V,ID=-9.1A,民信微這是它高效工作的基礎(chǔ)。而RDS
    發(fā)表于 10-26 21:11 ?2次下載

    NCE30P30K NCE P通道增強(qiáng)模式電源MOSFET TO-252-2L民信微

    NCE30P30K在提供卓越的RDS(ON)性能的同時(shí),具有門電荷特性,讓您的設(shè)備在高效運(yùn)行的同時(shí),實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的使用壽命。產(chǎn)品特點(diǎn):* VDS=-30V,ID=-
    發(fā)表于 11-03 20:39 ?0次下載

    NCE30P12S NCE P通道增強(qiáng)模式電源MOSFET民信微

    ,能在柵電荷和柵電壓低至4.5V的操作中發(fā)揮出無與倫比的優(yōu)勢(shì)。通用功能強(qiáng)大,VDS=-30V,ID=-12A,無論是在高功率還是電流處理能力方面,新
    發(fā)表于 11-05 09:54 ?0次下載

    NCE40P20Q高性價(jià)比 P 溝道 MOSFET助力電源管理與負(fù)載開關(guān)升級(jí)

    NCE40P20Q是一款采用先進(jìn)溝槽技術(shù)研發(fā)的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,專為電源管理和負(fù)載開關(guān)場(chǎng)景設(shè)計(jì)。憑借卓越的電氣性能、可靠的
    的頭像 發(fā)表于 01-21 17:22 ?1567次閱讀
    新<b class='flag-5'>潔</b><b class='flag-5'>能</b> <b class='flag-5'>NCE40P20Q</b>高性價(jià)比 P 溝道 <b class='flag-5'>MOSFET</b>,<b class='flag-5'>助力</b><b class='flag-5'>電源</b>管理與負(fù)載開關(guān)升級(jí)

    NCE20TD60B IGBT:高性能600V/20A功率開關(guān)

    在電力電子領(lǐng)域,功率器件的選擇直接影響著整機(jī)效率、可靠性和成本。新NCE)推出的NCE20TD60B是一款600V/
    的頭像 發(fā)表于 03-06 17:09 ?1671次閱讀
    新<b class='flag-5'>潔</b><b class='flag-5'>能</b><b class='flag-5'>NCE20</b>TD60B IGBT:高性能600<b class='flag-5'>V</b>/<b class='flag-5'>20A</b>功率開關(guān)

    NCE3008M功率MOSFET高效電池保護(hù)與DC/DC轉(zhuǎn)換的理想選擇

    NCE)推出的NCE3008M是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用先進(jìn)的trench技術(shù)制造,專為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電池保護(hù)和開關(guān)
    的頭像 發(fā)表于 03-19 17:00 ?401次閱讀
    新<b class='flag-5'>潔</b><b class='flag-5'>能</b><b class='flag-5'>NCE</b>3008M功率<b class='flag-5'>MOSFET</b>:<b class='flag-5'>高效</b>電池保護(hù)與DC/DC轉(zhuǎn)換的理想選擇

    內(nèi)阻大電流優(yōu)選:新NCE3095G N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET詳解

    南山電子代理的NCE3095G是新NCE)推出的一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)設(shè)計(jì),能夠在保持
    的頭像 發(fā)表于 03-31 17:11 ?374次閱讀
    <b class='flag-5'>低</b><b class='flag-5'>內(nèi)阻</b>大電流優(yōu)選:新<b class='flag-5'>潔</b><b class='flag-5'>能</b><b class='flag-5'>NCE</b>3095G N溝道增強(qiáng)型功率<b class='flag-5'>MOSFET</b>詳解