安森美 NTB25P06 和 NVB25P06 P 溝道 MOSFET 深度解析

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 是至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用于各種電路中。安森美（onsemi）的 NTB25P06 和 NVB25P06 P 溝道 MOSFET，專為低電壓、高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，能夠在雪崩和換向模式下承受高能量。下面就帶大家深入了解這兩款 MOSFET。

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產(chǎn)品特性與應(yīng)用

特性

• AEC Q101 認(rèn)證：NVB25P06 通過(guò)了 AEC Q101 認(rèn)證，這意味著它符合汽車級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，具有高可靠性和穩(wěn)定性，適用于對(duì)安全性和可靠性要求較高的汽車電子應(yīng)用。
• 環(huán)保特性：這些器件無(wú)鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，符合環(huán)保要求，有助于電子設(shè)備制造商滿足相關(guān)環(huán)保法規(guī)。

典型應(yīng)用

• PWM 電機(jī)控制：可用于精確控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速和扭矩，提高電機(jī)的效率和性能。
• 電源供應(yīng)：在電源電路中，能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換和功率管理。
• 轉(zhuǎn)換器：可用于各種類型的轉(zhuǎn)換器，如 DC - DC 轉(zhuǎn)換器，提高轉(zhuǎn)換效率。
• 橋電路：在橋電路中發(fā)揮重要作用，實(shí)現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換和控制。

產(chǎn)品參數(shù)解讀

最大額定值

需要注意的是，超過(guò)最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓：(V_{(BR)DSS}) 典型值為 -64 V，具有正溫度系數(shù)。這意味著隨著溫度升高，擊穿電壓會(huì)有所增加。
• 零柵壓漏極電流：在不同溫度下，該電流值有所不同，(T = 25°C) 時(shí)為 -10 μA，(T = 150°C) 時(shí)為 -100 μA。
• 柵體泄漏電流：最大為 +100 nA。

導(dǎo)通特性

• 柵閾值電壓：(V_{GS(th)}) 典型值為 -2.8 V，具有負(fù)閾值溫度系數(shù)，即溫度升高時(shí)，閾值電壓會(huì)降低。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻：在不同的柵源電壓和漏極電流下，電阻值有所變化。例如，(V_{GS} = -10V)，(I_D = -12.5 A) 時(shí)，典型值為 0.065 Ω。
• 正向跨導(dǎo)：(g_{FS}) 典型值為 13 mhos。

動(dòng)態(tài)特性

• 輸入電容：(C_{iss}) 典型值為 1200 pF。
• 輸出電容：(C_{oss}) 典型值為 345 pF。
• 反向傳輸電容：(C_{rss}) 典型值為 90 pF。

開(kāi)關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時(shí)間：(t_{d(on)}) 典型值為 14 ns。
• 上升時(shí)間：(t_r) 典型值為 72 ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間：(t_{d(off)}) 典型值為 43 ns。
• 下降時(shí)間：(t_f) 典型值為 190 ns。
• 柵極電荷：(Q_T) 典型值為 33 nC。

體漏二極管額定值

• 二極管正向?qū)妷?/strong>：在不同溫度下有所不同，(T = 25°C) 時(shí)為 -1.8 V，(T = 150°C) 時(shí)為 -1.4 V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間：(t_{rr}) 典型值為 70 ns。
• 反向恢復(fù)存儲(chǔ)電荷：(Q_{RR}) 典型值為 0.2 μC。