Onsemi HUF75639系列N溝道功率MOSFET：高效節(jié)能的理想之選

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，功率MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件，對(duì)于提升設(shè)備的性能和效率起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來深入了解一下Onsemi公司推出的HUF75639G3、HUF75639P3、HUF75639S3S和HUF75639S3這一系列N溝道功率MOSFET。

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產(chǎn)品概述

HUF75639系列采用了創(chuàng)新的Ultrafet工藝制造，該先進(jìn)工藝技術(shù)能夠在單位硅面積上實(shí)現(xiàn)盡可能低的導(dǎo)通電阻，從而帶來出色的性能表現(xiàn)。這些MOSFET能夠承受雪崩模式下的高能量，并且其二極管具有極短的反向恢復(fù)時(shí)間和低存儲(chǔ)電荷，非常適合用于對(duì)功率效率要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景，如開關(guān)穩(wěn)壓器、開關(guān)轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、繼電器驅(qū)動(dòng)器、低壓總線開關(guān)以及便攜式和電池供電產(chǎn)品的電源管理等。

產(chǎn)品特性

電氣性能卓越

• 高電流承載能力：能夠提供高達(dá)56A的連續(xù)漏極電流，可滿足多種高功率應(yīng)用的需求。
• 耐壓能力強(qiáng)：漏源電壓（V_DSS）可達(dá)100V，確保在較高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。
• 低導(dǎo)通電阻：在ID = 56A、V_GS = 10V的條件下，漏源導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）典型值為25mΩ，有助于降低功率損耗，提高效率。

  具備多種仿真模型

• 溫度補(bǔ)償模型：提供溫度補(bǔ)償?shù)腜SPICE?和SABER?電氣模型，以及Spice和Saber熱阻抗模型，方便工程師在設(shè)計(jì)階段進(jìn)行精確的電路仿真和熱分析。
• 特性曲線參考：包含峰值電流與脈沖寬度曲線、UIS額定曲線等，為工程師提供了全面的性能參考。

  環(huán)保合規(guī)

  這些器件符合無鉛、無鹵素/BFR-free標(biāo)準(zhǔn)，并且滿足RoHS指令要求，符合環(huán)保理念。

封裝形式

HUF75639系列提供了多種封裝形式，包括TO - 247 - 3LD、TO - 220 - 3LD、D2PAK - 3和I2PAK，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景和設(shè)計(jì)需求。每種封裝都有其特定的尺寸和引腳布局，工程師可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行選擇。

TO - 247 - 3LD封裝

適用于需要較高功率散熱的應(yīng)用，其尺寸較大，能夠提供更好的散熱性能。

TO - 220 - 3LD封裝

是一種常見的封裝形式，具有較好的通用性和散熱能力，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。

D2PAK - 3封裝

體積較小，適合對(duì)空間要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景，同時(shí)也具備一定的散熱性能。

I2PAK封裝

同樣具有較小的體積，并且在散熱和電氣性能方面取得了較好的平衡。

絕對(duì)最大額定值

需要注意的是，超過這些最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。

電氣規(guī)格

關(guān)斷狀態(tài)規(guī)格

• 漏源擊穿電壓（B_VD_SS）：在I_D = 250μA、V_GS = 0V的條件下，最小值為100V。
• 零柵壓漏極電流（I_DSS）：在V_DS = 95V、V_GS = 0V時(shí)，最大值為1μA；在V_DS = 90V、V_GS = 0V、T_C = 150°C時(shí)，最大值為250μA。
• 柵源泄漏電流（I_GSS）：在V_GS = ±20V時(shí)，最大值為±100nA。

  導(dǎo)通狀態(tài)規(guī)格

• 柵源閾值電壓（V_GS(TH)）：在V_GS = V_DS、I_D = 250μA的條件下，典型值為2 - 4V。
• 漏源導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：在I_D = 56A、V_GS = 10V時(shí)，典型值為25mΩ。

  熱規(guī)格

• 結(jié)到外殼熱阻（R_θJC）：典型值為0.74°C/W。
• 結(jié)到環(huán)境熱阻（R_θJA）：TO - 247封裝為30°C/W，TO - 220、TO - 263、TO - 262封裝為62°C/W。

  開關(guān)規(guī)格

  在VGS = 10V的條件下，開關(guān)時(shí)間參數(shù)如下：	參數(shù)	數(shù)值	單位
  開啟時(shí)間（tON）	- 110	ns
  開啟延遲時(shí)間（td(ON)）	15	ns
  上升時(shí)間（tr）	60	ns
  關(guān)斷延遲時(shí)間（td(OFF)）	20	ns
  下降時(shí)間（tf）	25	ns
  關(guān)斷時(shí)間（tOFF）	70	ns

  柵極電荷規(guī)格

  提供了不同條件下的柵極電荷波形，方便工程師進(jìn)行開關(guān)特性的分析和設(shè)計(jì)。

  電容規(guī)格

• 輸入電容（C_iss）：在V_DS = 25V、V_GS = 0V、f = 1MHz時(shí)，典型值為2000pF。
• 輸出電容（C_oss）：典型值為500pF。
• 反向傳輸電容（C_RSS）：典型值為65pF。

  源漏二極管規(guī)格

• 源漏二極管電壓（V_SD）：在I_SD = 56A時(shí)，最大值為1.25V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間（t_rr）：在I_SP = 56A、dI_SP/dt = 100A/μs時(shí)，最大值為110ns。
• 反向恢復(fù)電荷（Q_RR）：在I_SP = 56A、dI_SP/dt = 100A/μs時(shí)，最大值為320nC。

典型性能曲線

文檔中提供了一系列典型性能曲線，包括歸一化功率耗散與外殼溫度曲線、最大連續(xù)漏極電流與外殼溫度曲線、歸一化最大瞬態(tài)熱阻抗曲線、峰值電流能力曲線、正向偏置安全工作區(qū)曲線、非鉗位電感開關(guān)能力曲線、飽和特性曲線、傳輸特性曲線、歸一化漏源導(dǎo)通電阻與結(jié)溫曲線、歸一化柵極閾值電壓與結(jié)溫曲線、歸一化漏源擊穿電壓與結(jié)溫曲線、電容與漏源電壓曲線以及柵極電荷波形曲線等。這些曲線為工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了重要的參考依據(jù)，幫助他們更好地了解器件在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。

仿真模型

PSPICE電氣模型

文檔中給出了詳細(xì)的PSPICE子電路模型，包括各種元件的參數(shù)設(shè)置和模型定義。通過使用該模型，工程師可以在PSPICE軟件中對(duì)HUF75639系列MOSFET進(jìn)行精確的電路仿真，預(yù)測(cè)其在不同工作條件下的性能。

SABER電氣模型

同樣提供了SABER電氣模型，方便工程師在SABER軟件中進(jìn)行電路仿真和分析。

熱模型

包括Spice熱模型和Saber熱模型，用于對(duì)器件的熱性能進(jìn)行仿真和分析，幫助工程師優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)，確保器件在正常工作溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。

機(jī)械尺寸

文檔詳細(xì)給出了各種封裝形式的機(jī)械尺寸和標(biāo)注說明，包括TO - 220 - 3LD、TO - 247 - 3LD、D2PAK - 3和I2PAK封裝。工程師可以根據(jù)這些尺寸信息進(jìn)行PCB設(shè)計(jì)和布局，確保器件能夠正確安裝和使用。

總結(jié)

Onsemi的HUF75639系列N溝道功率MOSFET憑借其卓越的電氣性能、多種封裝形式、豐富的仿真模型和環(huán)保合規(guī)等特點(diǎn)，為電子工程師在設(shè)計(jì)高功率、高效率的電子設(shè)備時(shí)提供了一個(gè)理想的選擇。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師可以根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需求，結(jié)合器件的特性和性能曲線，合理選擇封裝形式和工作參數(shù)，以實(shí)現(xiàn)最佳的設(shè)計(jì)效果。你在使用這類MOSFET時(shí)遇到過哪些問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。