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長(zhǎng)光辰芯發(fā)布高速背照式CMOS線陣圖像傳感器GLR1002BSI-S

CHANBAEK ? 來源:長(zhǎng)光辰芯 ? 2026-04-17 15:51 ? 次閱讀
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2026年3月23日,長(zhǎng)光辰芯發(fā)布GLR系列第三款產(chǎn)品——GLR1002BSI-S。該產(chǎn)品是專為OCT(光學(xué)相干斷層掃描)技術(shù)應(yīng)用量身打造的高速、高近紅外量子效率、大像素尺寸的背照式線陣圖像傳感器。

OCT探測(cè)是一種非侵入性的高分辨率截面成像手段,其原理是通過收集光的干涉信號(hào),實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)獲取被測(cè)目標(biāo)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息。目前主流應(yīng)用在醫(yī)療行業(yè),如眼科、皮膚科等。由于其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),OCT檢測(cè)技術(shù)在近幾年已迅速拓展至工業(yè)檢測(cè)中,例如電池薄膜檢測(cè),醫(yī)藥糖衣制造,焊接缺陷檢測(cè)等。OCT技術(shù)通常用近紅外光源來提高入射光在被測(cè)目標(biāo)的入射深度,在醫(yī)療行業(yè)中需要控制光源強(qiáng)度來降低光損傷(生物組織,眼底等)。這就要求OCT系統(tǒng)中的探測(cè)器要具備足夠的近紅外靈敏度,以探測(cè)微弱的干涉光信號(hào)。

wKgZPGnh5pGAJBZnAAl704Jec1A076.jpg

圖1:GLR1002BSI-S樣片實(shí)物圖片

GLR1002BSI-S有效分辨率為2411(H) x 1(V),具備大像素尺寸10μm(H) x 200μm(V),并憑借先進(jìn)的背照式工藝,峰值量子效率可達(dá)91%(440nm),近紅外850nm量子效率高達(dá)58%,滿足OCT應(yīng)用對(duì)近紅外高靈敏度的性能要求。

wKgZO2nh5pGAfuIcAAFDBBC6Fpg911.jpg

圖2:GLR1002BSI-S芯片量子效率曲線

為靈活適配不同應(yīng)用行業(yè)和需求,GLR1002BSI-S支持三模式切換:

wKgZPGnh5pKAH_GhAAEHwXfBMO4624.jpg

圖3:GLR1002BSI-S三種工作模式

數(shù)據(jù)輸出采用高速Sub-LVDS通道(工作頻率1.2 GHz),芯片功耗小于450mW,實(shí)現(xiàn)了高效能與低功耗的統(tǒng)一。芯片采用CLCC陶瓷封裝,并配有雙面抗反射鍍膜玻璃密封,在保證可靠性的同時(shí),最大限度地提高了光通效率,芯片尺寸為40mm(X)x 11mm(Y)。

工程樣片及評(píng)估系統(tǒng)預(yù)計(jì)4月底開始發(fā)貨,現(xiàn)已開放訂購。歡迎廣大客戶及合作伙伴聯(lián)系我們,獲取更多產(chǎn)品細(xì)節(jié)。

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